近日，国内又有3家企业/机构加速推进8英寸SiC布局，其进展如下：
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国联万众：8英寸SiC工艺产线已完成升级通线，多款8英寸芯片已交付头部车企开展试用验证；
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芯塔电子：完成定制化8英寸SiC晶圆量产落地，比导通电阻Rsp低至1.8 mΩ・cm²；
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香港微电子研发院：8英寸SiC、GaN中试线预计在年底投入运作。
8英寸SiC芯片已交付头部车企
9月17日，河北中瓷电子科技股份有限公司发布投资者关系活动记录表。针对子公司国联万众6英寸改8英寸碳化硅晶圆产线的客户导入、产能爬坡进度等情况进行说明。
公告透露，国联万众的8英寸SiC工艺产线已完成升级通线，并完成第五代平面栅SiC MOSFET工艺开发；此外封测平台第一阶段已完成建设，碳化硅高压功率模块产线顺利通线。
客户导入层面，国联万众多款8英寸车规芯片已经产出并交付头部车企开展试用验证，正在同步推进头部车企、充电桩、工业电源客户的可靠性验证，开展PCN变更相关工作。
产能爬坡方面，国联万众当前正加快新增设备入场调试、工艺迭代优化，同步完善KGD、晶圆级老化等配套能力，逐步完成良率提升与产能释放，稳步向目标产能爬坡。
今年3月，国联万众总经理助理王川宝接受“行家说三代半”采访时就表示，他们在2025年实现碳化硅MOSFET出货量翻番，合同额显著增长，主要来自于车企大客户的持续复购和采购量的提升，也得益于在充电桩、感应加热、镀膜电源等领域实现批量出货。
2026年，国联万众将推进SiC MOSFET在8英寸产线完成第五代工艺的开发和量产，同时加快8英寸SiC产品的客户验证与市场导入，推动在主流客户端实现批量销售。
8英寸碳化硅晶圆实现量产落地
近日，芯塔电子在官微透露，他们立足自主设计技术，近期完成定制化8英寸碳化硅晶圆量产落地，在比导通电阻、良率水平、参数一致性等关键制造指标上具备优势。
芯塔电子8 英寸碳化硅晶圆
据悉，本次量产基于XM4.0+工艺平台，采用芯塔电子自研超精细原胞结构设计，在优化高温工况下导通表现的同时，实现器件动态开关特性的同步提升。他们还引入W‑plug金属填孔工艺，攻克大尺寸晶圆制造中的金属化工艺难点，为多样化定制化器件方案提供强有力的工艺支撑。
从具体参数来看，芯塔电子本次量产实现大于99%的流片良率水平，晶圆级实测比导通电阻Rsp低至1.8 mΩ・cm²，VSD波动控制在±0.1V区间，VTH标准偏差小于0.1V。从晶圆实测统计数据来看，VTH1、VSD、导通电阻各项指标的标准差均维持在极低水平。
芯塔电子表示，他们将持续迭代8英寸工艺平台，借助大尺寸制造优势释放产能空间，为后续优化批量交付的综合成本创造有利条件，并深化面向客户的定制化开发能力，不断打磨产品可靠性与交付能力。
安徽芯塔电子科技有限公司成立于2020年10月，是一家专注于宽禁带半导体功率器件和应用技术创新的国家高新技术企业，总部位于安徽芜湖，在湖州设有年产30万套碳化硅功率模块封测基地，产品已经导入新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、数据中心电源和消费电子等诸多领域标杆企业。
8英寸中试线预计年底运作
9月16日，香港特区行政长官李家超发表2026年施政报告，强调要推进创科和产业建设，筹建首个在港国家制造业创新中心，由微电子研发院牵头运营。
报告进一步透露， 微电子研发院已入驻元朗微电子中心，其两条8英寸中试线正全速组装，聚焦第三代半导体芯片技术研发与试产，目标在年底投入运作。
据“行家说三代半”此前报道，香港微电子研发院（MRDI）成立于2024年9月，其建设资金为28.38亿港元（约合人民币26.4亿）。其中，24.78亿元（约合人民币23亿）用于建立中试线，其余资金为5年内的运营开支。
2025年3月，香港微电子研发院（MRDI）开始设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，原计划在2025年完成安装及调试。目前来看，该建设计划有望在今年实现落地。
今年3月，香港微电子研发院（MRDI）主席陈正豪接受东方日报采访时表示，MRDI成立一年半以来，团队已扩至逾百人，开始与企业商讨合作项目，约有5个项目已确认推进，还有10个项目正在审核中，合作方包括中国内地企业及欧美企业，其中包括碳化硅衬底大厂天岳先进。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
