英飞凌12吋硅、碳化硅、氮化镓晶圆

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“要在功率半导体领域保持领先地位，就必须不断推动技术进步。凭借硅、氮化镓以及现在的12英寸碳化硅晶圆，我们在扩大半导体制造规模和推动盈利增长方面处于领先地位。”

据“行家说三代半”调研，英飞凌的12英寸碳化硅衬底供应商为天岳先进，12英寸碳化硅外延片由天域半导体和瀚天天成供应。

“行家说三代半”认为，英飞凌的12英寸SiC晶圆技术突破，初步验证了大尺寸SiC晶圆的技术可行性，为未来提升生产效率、降低制造成本提供了新的探索方向。

根据英飞凌的说法，12英寸碳化硅晶圆的面积约为8英寸的2.3倍。碳化硅衬底直径越大，单片能做出的芯片越多，成本也越低，这是众多厂商积极推动12英寸碳化硅的核心动力。

同时，该技术也推动碳化硅与硅和氮化镓在12英寸技术上同步演进，为碳化硅未来10年从6/8英寸降本放量走向12英寸规模导入提供路径参考，其方向性意义大于短期量产意义。

不过，12英寸SiC的规模化仍面临现实挑战：

1. 成本与供应链

据不完全统计，截至2026年8月，全球12英寸N型导电SiC衬底玩家共26家，其中中国企业占24家，占比超过90%。

但玩家多不代表价格适宜且供应充足，总体来看行业还缺乏高性价比的12英寸碳化硅衬底。目前多数企业的12英寸产品仍处于送样或者小批量交付阶段。据行家说调研，目前12英寸导电型碳化硅衬底的价格在万元以上，目前还达不到12英寸“单片出片多、单颗成本低”的理论优势。

2. 配套设备与工艺

新建12英寸SiC晶圆线成本高昂。目前英飞凌选择依托现有硅基设备，但碳化硅加工条件远比硅苛刻，当前离子注入、退高温火炉等12英寸SiC专用设备尚不成熟。虽然用硅基产线可以实现12英寸碳化硅晶圆的技术突破，但大规模量产仍需要设备端的配套支持。

总的来说，在功率半导体领域，当前6/8英寸碳化硅晶圆仍是行业主流，头部企业推12英寸碳化硅晶圆更多是技术卡位和研发储备。

除了功率半导体，大尺寸光学级碳化硅材料也是一条极具潜力的新兴赛道。

10月29日，Wolfspeed宣布其专有的透明碳化硅技术正式投入商业应用，拓展了碳化硅在AR、量子计算和先进光学等领域的应用潜力。

Wolfspeed表示，其12英寸光学级衬底具有极低吸光度和卓越的晶圆平整度。同时，凭借碳化硅的高折射率、低双折射、高硬度和高导热性，其将成为下一代AR波导的理想材料，有助于实现更宽广的视野、更高的图像质量和更紧凑的可穿戴设备。

此外，Wolfspeed认为，12英寸光学级衬底在量子计算领域也展现出潜力，能够在单个碳化硅晶体中容纳量子比特，保持其量子态，并通过光传输量子信息。

Wolfspeed公司负责Beyond Power业务的副总裁Katrin Feurle表示：“Wolfspeed专有的TSiC™技术和丰富的知识产权组合，使我们能够助力AR、量子计算和其他新兴市场的突破，进一步巩固碳化硅的多功能性和变革潜力。”

Wolfspeed还表示，在推进8英寸光学级衬底技术的同时，也在积极研发12英寸TSiC™技术，以满足未来市场需求。

据《2026 AR眼镜光学显示调研白皮书》数据，早期SiC光波导设计通常基于4英寸衬底，但目前光波导厂商已转向8-12英寸产线布局。8英寸SiC已成为主流，预计3年内12英寸将被大幅采用。

大尺寸衬底和晶圆的进展，离不开配套设备的支撑。近期，又有一家国内设备厂商在这一环节取得突破。