11月6日，广东天域半导体股份有限公司（02658.HK）发布公告，拟收购浙江东尼电子股份有限公司（603595.SH）约7%的股份。
公告显示，东尼电子旗下半导体业务主要从事碳化硅衬底开发与制造，产品覆盖6英寸及8英寸导电型衬底。此次投资意味着天域半导体进一步向产业链上游延伸，为双方加强供应链协同、联合技术研发及市场拓展创造新的合作空间。
当前，受益于AI数据中心、新能源汽车等市场的快速增长，碳化硅材料/器件需求正大幅增加，不少企业处于“满产满销”状态。值此关键节点，天域半导体向上游供应链深化布局，其背后蕴含着三大战略意图，下文将逐一解读。
碳化硅衬底是外延片生产的重要基础材料，其晶体质量、表面平整度及缺陷水平都会影响后续外延生长的质量和良率。随着碳化硅芯片尺寸不断增大，对衬底及外延的缺陷密度提出了更为苛刻的要求，因此保障衬底及外延的生产稳定性尤为重要。
此次战略投资，天域半导体的主要目的是加强碳化硅供应链建设。据公告透露，天域半导体将结合碳化硅外延技术的专长与东尼电子在晶体生长及衬底加工方面的能力，加强衬底生产与外延生长之间的相互协调。
同时，双方将同步展开材料工程、外延工艺及质量管理团队之间的合作，可支持从晶体生长到外延的质量可追溯性、改善洁净室管理及可靠性测试，以及共享测试及分析设施，从而提高运营效率并减少重复测试及认证开支。
天域半导体表示，该合作预期可支持6英寸及8英寸导电型衬底的可靠供应，提高质量一致性及生产良率，并降低采购成本及供应风险。
从供应链角度看，东尼电子与天域半导体分别处于产业链上下游，业务具有天然互补性。对天域半导体而言，通过战略投资布局，获取稳定的原材料供应和上下游工艺衔接，是提升生产效率、控制综合成本的重要基础。
据东尼电子2026年半年度报告，其碳化硅业务以导电型碳化硅衬底为主，并已向多家碳化硅器件客户陆续交付6英寸和8英寸导电型衬底，表明其已具备稳定的量产交付能力。
另一方面，据天域半导体2026年中期业绩公告，其6英寸碳化硅外延片保持稳定出货量，8英寸碳化硅外延片的出货比例持续增加；6英寸和8英寸碳化硅外延片销售收入合计占整体收入80%以上，成为营收基本盘。
通过此次战略投资，天域半导体的供应链韧性将进一步加强，有助于保障6英寸和8英寸碳化硅衬底的稳定供应，并强化上下游技术协同，为下游器件客户提供更加稳定和优质的产品。
从行业发展趋势看，随着碳化硅产业规模扩大，企业竞争将逐渐延伸至供应链效率和产业协同能力。天域半导体亦能通过本次战略参股向上游衬底环节延伸，有望在供应链效率与产业协同方面形成更强支撑。
在保障产能稳定供应的基础上，天域半导体还将联合东尼电子共同研发大尺寸碳化硅技术，进一步巩固技术优势，抢抓未来市场窗口。
根据公告，双方将加速研发进程：一方面，通过晶体生长、衬底加工及外延的联合开发，持续改善材料质量；另一方面，加快开发用于高压及车规级应用的更大直径（包括8英寸及以上）碳化硅材料，为晶圆尺寸升级进行技术储备。
这一布局背后，恰好印证了碳化硅行业正处于大尺寸升级的关键阶段：6英寸晶圆目前仍是规模化生产的主流，但8英寸晶圆的产能和出货比例正不断加大，6英寸向8英寸及更大尺寸切换已成为明确趋势和竞争主战场。
碳化硅行业竞相“扩径”的核心逻辑在于降本。相较于6英寸，8英寸/12英寸晶圆拥有更大的有效面积，在工艺成熟、良率达标的情况下，有望增加单片晶圆的芯片产出数量，降低单位制造成本。但是，大尺寸升级对晶体生长、衬底加工和外延工艺均提出了更高要求。
对于供应关系通常深度绑定的碳化硅产业而言，这需要衬底及外延厂商进一步加大研发投入、深化协同攻关，在良率持续爬坡中兑现大尺寸的降本红利，从而有效支撑下游器件端的产能落地。
据不完全统计，截至目前，全球已有近30家企业及机构在建或计划建设8英寸SiC晶圆产线，公开产能合计超过数百万片/年。其中，大部分产线计划于2025年实现投产，2026年之后，8英寸SiC晶圆产能迎来集中释放。
全球8英寸SiC产线建设概况 来源：行家说Research
随着8英寸碳化硅晶圆产线的产能利用率逐渐提升，市场对大尺寸衬底及外延的需求将持续攀升。可以预见，谁能确保高可靠性大尺寸碳化硅衬底/外延的稳定供应，谁就能在8英寸市场竞争中占据先手。
从技术储备看，天域半导体与东尼电子的合作具备扎实的落地基础：外延环节，天域半导体已具备6/8/12英寸碳化硅外延全系列产品，实现主流尺寸全覆盖；衬底环节，东尼电子的8英寸衬底总体销量仍保持逐年增长，并推进核心技术攻关和大尺寸产能提升计划，布局12英寸导电型和半绝缘型衬底，部分产品已送样验证。
这意味着，双方在衬底与外延两大关键环节均握有大尺寸碳化硅的技术基础，未来可充分发挥各自优势，形成“衬底+外延”的一体化协同，凭借这一协同优势，双方有望在8英寸放量浪潮乃至12英寸的远期竞争中，率先卡位、赢得主动。
除技术领域协同外，天域半导体和东尼电子还将聚焦市场端的战略协同。天域半导体在公告中表示，更紧密的技术协调可缩短服务于电动汽车、人工智能数据中心、储能及电网等产品的送样及客户认证周期，进而扩大客户及产品机遇。
双方在下游市场具有互补性，尤其是覆盖电动汽车、人工智能数据中心、光伏及储能。围绕碳化硅功率半导体材料及东尼电子更广泛的电子材料能力开展合作，天域半导体可支持更全面的产品供应，加强客户关系，并在该等应用中产生额外业务机遇。
从行业层面看，碳化硅功率半导体市场前景愈发广阔。随着碳化硅功率半导体在新能源汽车、数据中心、光储充、消费电子等领域加速应用，碳化硅衬底及外延需求有望持续增长。
光储充及消费电子场景积极导入SiC 来源：行家说Research
以SiC功率半导体最大的应用市场——新能源汽车领域为例，据测算，每7辆两驱版SiC车型大约需要1片6英寸SiC晶圆。随着新能源汽车销量增长、SiC车型渗透率提升，以及SiC在车载场景中的应用范围扩大，SiC晶圆需求将显著增长。
据行家说Research统计，2023年、2024年和2025年采用SiC主驱的车型销量分别为280万台、387万台及605万台；2026年1—9月全球SiC车型销量约545万辆，已达到去年总销量的90%左右，预计2026年全年销量将大幅超过2025年。
除汽车领域外，人工智能数据中心（AIDC）也在成为SiC器件新的高增长、高价值市场。随着英伟达、微软、Meta、字节跳动、腾讯等头部厂商加速推进800V直流数据中心供电架构部署，SiC器件将持续应用于UPS（不间断电源）、服务器机架电源（PSU）、固态变压器（SST）和高压DC-DC等环节。
与此同时，SiC器件在光储充、消费电子、高压电网、轨道交通、eVTOL、电动船舶等领域加速渗透，头部终端企业正不断加码布局，应用规模持续扩大。可以预见，随着上述市场渐次起量，叠加新能源汽车与AI数据中心两大主力的持续放量，碳化硅需求有望步入长期增长通道。
据行家说Research测算，2030年全球SiC晶圆需求将达到733万片/年，并保持稳定增长。这意味着，未来数年碳化硅衬底与外延的需求将同步持续增长，稳定的高品质材料供应能力，将成为产业链竞争中的关键变量。
从产业发展视角及企业自身战略布局来看，天域半导体通过本次战略参股向上游衬底环节延伸，并借助东尼电子在电子材料能力及下游客户方面的资源，将提升供应链韧性与产业协同效率，有望在新能源汽车、人工智能数据中心、光储充等增量市场中扩大客户覆盖与产品机遇。
近年来碳化硅产业关系的变化，很大程度上体现为供应链关系的变化。天域半导体此次战略入股东尼电子，表明其不仅需要产能绑定，更需要战略绑定。
这也是中国碳化硅产业迈入新阶段的一个缩影：过去十余年以“从无到有”的规模扩张为主，当前核心矛盾已转向“能否高质量稳定交付”，竞争能力建设也从单一环节的技术优势转向链条协同与稳定交付能力。
天域半导体推动产业链整合，走出一条“技术积累—资本加持—产业协同”的进阶路径，既是头部外延厂商的先行探路，也是国产碳化硅产业链从粗放生长走向成熟整合的缩影。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
