10月29日，富士电机公布2026财年上半年（4月-9月）财报，他们的营业收入、利润都创下了历史新高：

• 报告期内营业收入5933亿日元（约合人民币249.19亿元），同比增长9%；

• 归属于母公司股东的净利润421亿日元（约合人民币17.68亿元），同比增长58%。

与集团整体业绩增长不同，富士电机半导体业务营收同比基本持平。不过，受原材料价格上涨及中国工业半导体市场价格竞争等因素影响，半导体业务营业利润同比下降28%，至64亿日元（约合人民币2.69亿元）。

分领域看，工业与汽车两大业务表现分化明显。工厂自动化需求的增长和汇率变化，使得富士电机工业半导体实现营收644亿日元（约合人民币27.05亿元），同比增长14.18%。

而汽车半导体的需求明显减少，导致该板块营收441亿日元（约合人民币18.52亿元），同比下降了15.68%。

但是，富士电机在业绩说明会上释放了一个明确信号：下半年汽车半导体业绩有望增长，SiC器件需求增加正是关键推力之一。这家公司到底靠什么撬动增长？下面就来拆解富士电机碳化硅业务的规划与“杀手锏”。

在2026年5月举行的2026年度半导体战略说明会上，富士电机更详尽地阐明了他们SiC的增长情况和未来规划。

2025年，富士电机通过大笔增加对SiC晶圆前道工序的投资成功拉动了销售额的增长。富士津轻半导体工厂2025年的SiC晶圆产能达到了2024年的2.5倍，销售额则达到了2024年的2倍。此外，他们的车规级第三代SiC芯片等新产品也实现了量产。

至于2026年的经营计划，富士电机预计SiC模块在汽车业务的销售额占比从2025年度的11%提升到25%。

照此计算，2025年富士电机的汽车SiC营收约为129.47亿日元（约合人民币5.44亿元），预计2026年其汽车SiC营收将达到259.25亿日元（约合人民币10.89亿元），并争取在2030财年达到约60%。

富士电机在汽车半导体领域正持续推进新一代IGBT及SiC产品的客户导入，已有5家客户涉及SiC产品导入或项目规划，他们预计，以2026财年为基准，到2030财年新产品相关业务洽谈规模将扩大至约14倍。

为争取更多汽车客户，富士电机正加快新型SiC功率模块开发。据富士电机公布的规划，采用3D布线技术的高输出汽车SiC模块计划于2026财年第三季度启动量产，较此前产品体积缩小49%、内部电感降低约80%。同期，富士电机还计划启动下一代薄型SiC模块样品供应，以覆盖更多电流等级及客户应用需求。

富士电机的的碳化硅为何有信心实现超过100%的增长？其新型SiC模块可能是关键点。

2026年10月7日，EEPower刊登了富士电机技术人员Antonio Poveda Serrano撰写的技术文章《基于低电感SiC功率卡的牵引逆变器设计》，介绍了新型汽车SiC模块的技术设计及测试结果。

这篇技术文章中提到，SiC的开关速度达到了前所未有的水平，如今再想提升器件效率，最大的挑战在于如何降低寄生电感、改善热界面和优化机械结构等方面。

为此，富士电机从芯片结构、3D布线、散热基板及模块化设计四个方面入手，进一步降低损耗，提升功率密度、连接可靠性与产品适配能力：

1. 芯片升级：比导通电阻降低23%。

SiC MOSFET是由大量元胞并联组成的，如果能缩小元胞间距，可以在相同芯片面积下布置更多导电通道，降低导通电阻。但在多元胞并联时需要控制高电压下的电场，避免损伤栅极氧化层。

为此，富士电机在第三代SiC MOSFET中移除部分P型扩散层，并通过调整沟槽底部的P+保护区域及漂移层掺杂浓度，优化高电压下的电场分布，在保护栅氧化层的同时缩小元胞间距。

第二代和第三代SiC MOSFET的横截面对比

与第二代产品相比，第三代SiC MOSFET的元胞间距缩小25%，比导通电阻（Ron,sp）降低23%，使相同芯片面积下能够承载更大电流。

2. 3D布线：寄生电感降低76%、开关损耗降低56%。

传统功率模块通常采用键合线或铜夹片连接芯片与外部电路。其中，铜夹片虽然可以承载更大电流，但其跨接结构使正向与回流电流路径相距较远，容易产生较大的寄生电感。SiC器件高速开关时，寄生电感可能引起电压过冲，限制开关速度。

针对这一问题，富士电机采用3D布线技术，以垂直铜引脚取代传统铜夹片，将芯片连接至上方的多层电路板。多层布线，使得正向与回流电流路径紧密排列，相邻反向电流产生的磁场相互抵消，从而降低寄生电感。

铜夹布线与3D布线结构的对比

测试结果显示，相较于传统铜夹片结构，新型3D布线的寄生电感由10.4nH降至2.5nH，降低76%。得益于更低的寄生电感，模块可以在控制电压过冲的同时加快开关速度，使总开关损耗降低56%、功率密度达到传统结构的约两倍。

3.散热结构：降低连接层应力，提升模块可靠性。

在散热结构方面，富士电机采用树脂绝缘金属基板（IMS），解决传统陶瓷基板在冷热循环中容易翘曲的问题。

传统陶瓷基板与铜的热膨胀差异容易引起翘曲，影响模块与冷却器的连接可靠性。富士电机通过调整树脂绝缘层的热膨胀特性，减少基板变形和连接层应力。

125°C和-40°C条件下，

陶瓷基板与树脂IMS的FEM计算出的基板翘曲轮廓

测试结果显示，新结构的连接层应变幅度降至陶瓷参考结构的约五分之一，经过1000次冷热循环后，热阻仅变化约5%。此外，该结构还可采用低熔点焊料等连接材料，降低对高温工艺和专用设备的依赖。

4. 模块化设计：提高产品适配能力。

最后，富士电机通过标准化功率卡与独立辅助引脚框架设计，提高模块对不同汽车客户的适配能力。

不同汽车客户对逆变器的电流等级、引脚位置及连接方式有不同要求。如果每款模块都重新设计，不仅增加开发工作量，也不利于产品系列化。

针对这一问题，富士电机将核心SiC功率卡与辅助引脚框架分开设计。功率卡先安装至冷却器，再装配独立引脚框架，既能减少冷却器安装偏差对引脚定位的影响，也允许客户根据需求调整引脚数量、排列及连接方式，而无需重新设计核心功率卡。

富士电机标准化SiC功率卡及模块组合示意图

目前，富士电机已开发N201二合一半桥模块，以及分别面向双电机驱动和三电平拓扑的M417、M418四合一模块。

这些产品采用相同的标准化功率单元，可通过不同组合适配多种逆变器结构，在提高产品设计灵活性的同时，减少重复开发工作。通过复用标准化功率单元，富士电机能够适配不同电流等级、逆变器结构和车型需求，减少重复开发，提高产品开发效率。

随着新型SiC模块商业化推进，富士电机正通过技术升级与产品系列扩展，争取更多汽车客户，为SiC业务后续增长提供支撑。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。