近期，国外3个碳化硅晶圆项目正在推进建设，合计投资金额超30亿元，规划年产能超过8万片：
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印度SiCSem：项目获批，晶圆产能6万片/年，投资约26.57亿元。
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印度RIR Power：完成外延设备安装调试，2027年底产能2万片，二期规划月产3500片。
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巴西CEITEC：建设进度约50%，将联合中国碳化硅企业，获补贴约2.87亿元。
从这三个项目的推进来看，全球对碳化硅技术的长期前景仍然看好，并且仍保持较高关注度。对于国内碳化硅衬底、外延和设备企业来说，这些产线的建设可能带来潜在合作机会。
印度和巴西碳化硅项目的推进均有地缘政治、政府补贴和本土产业扶持等因素推动，但参与企业体量相对有限，产业链配套、人才等配套相对较弱。在欧美日头部碳化硅企业扩产趋谨慎，部分企业甚至转向与中国碳化硅晶圆厂合作代工的背景下，印度、巴西这些碳化硅晶圆产线能否形成竞争力仍需进一步观察。
9月15日，印度商务与工业部正式批准SiCSem在奥迪沙邦，建设碳化硅晶圆制造项目，项目用地约 21.889英亩。根据SiCSem资料显示，该工厂的晶圆产能规划为6万片/年，芯片产能为9600万颗/年。
该项目计划投资约340.6亿印度卢比（26.57亿元人民币）；其中，设备投资约23.45亿元人民币，包括约6.18亿印度设备和17.27亿进口设备。
2025年8月，该项目获得印度政府及奥迪沙邦政府的财政支持安排：中央支持补贴5.46亿元，奥迪沙邦方面此前的财政支持为2.73亿元，合计补贴接近8.2亿。
SiCSem成立于2023年12月，总部位于印度金奈，是印度化工企业Archean Chemical Industries（ACIL）旗下的半导体子公司。Archean公司2026财年合并营收为约7.55亿元人民币，净利润约合6790万元人民币。
SiCSem的定位为碳化硅IDM企业，技术合作方包括提供英国Clas-SiC Wafer Fab、美国 NoMIS Power，以及供应外延设备的爱思强等设备企业。9月份，SiCSem 向瑞士 Evatec 公司订购了四套 CLUSTERLINE® 200 系统，用于其前端晶圆制造产线。
9月16日，印度RIR Power Electronics Limited发布公告称，他们的碳化硅晶圆厂已经完成碳化硅外延MOCVD设备的安装与调试。
RIR Power的碳化硅晶圆厂总投资61.8亿卢比（约4.32亿元人民币），整体规划逐步建立从SiC外延、晶圆制造到封装的垂直整合能力。第一阶段重点建设SiC外延产线，预计2027年底年产能将达2万片；第二阶段进一步建设6英寸SiC晶圆厂，计划月产能达到3500片。
该项目于 2023 年启动规划，2024年9月举行奠基仪式，2025 年 2 月又获得邦政府半导体政策下的定制化激励，建设由此进入实质推进阶段。2026 年，项目完成洁净室建设，并安装调试了碳化硅外延晶圆制造反应炉及配套电力与公用设施，预计 2026 年底前启动试生产。
RIR Power的前身是Ruttonsha，早在2021年通过Visicon Power布局建设碳化硅外延厂，当时从意大利LPE公司进口了2台碳化硅外延炉，以及Disco、K&S、ASM、Dage等设备，整个工厂的设备总投资成本超过500万美元（约3185万元），日产能40片晶圆。
RIR Power碳化硅技术支持来源于SiCamore。2024年10月，RIR以约500万人民币，与SiCamore 签署SiC 技术转让协议。现阶段，IR Power主要在台亚半导体的碳化硅晶圆厂进行碳化硅晶圆流片。
最近，巴西碳化硅晶圆线也在加快建设当中。
9月17日，Homerun Resources宣布，他们与巴西国有半导体公司（CEITEC S.A）签署谅解备忘录。
据新闻通稿，本次合作，Homerun将为CEITEC S.A提供碳化硅衬底与外延，助力巴西搭建更为完整的本土碳化硅产业链。
CEITEC是巴西联邦政府全资国有半导体公司，于2008年成立。Homerun是加拿大温哥华的高纯硅粉和石墨材料公司。
我们先简单说一下Homerun在碳化硅衬底方面的技术特点，后面再重点介绍CEITEC的碳化硅晶圆线布局。
在碳化硅衬底方面，Homerun一方面拥有高纯硅粉和石墨材料子公司，另一方面他们在碳化硅粉料合成方面有独到的技术。
传统艾奇逊/感应法的SiC粉料合成工艺，核心是采用碳热还原反应，将高纯度石英砂（SiO₂）与碳粉混合，在2000–2500°C高温中合成粉料，通常能耗大、制备周期长（数天）。
2025年7月，Homerun与美国加州大学戴维斯分校（UC Davis）合作，先进热固结技术成功合成SiC粉料，制备时间缩短至数分钟内，每批次粉料合成的能耗大幅降低，成本也得到优化。
据“行家说三代半”了解，Homerun与UC Davis先通过闪蒸焦耳加热（FJH）、放电等离子烧结（SPS）、定向能量沉积（DED）等技术，通过激光能量直接、精准地作用于原料颗粒，以极快速的高压放电在毫秒至数秒内诱导温度峰值达到 1700°C至2200°C，迫使二氧化硅基质被内部碳立即还原，从而合成高纯度SiC粉料。
回到CEITEC的碳化硅晶圆线。早在2025年10月，CEITEC SA开始转型，启动碳化硅产线改造，他们希望此举将让巴西跻身高效功率器件制造版图。
CEITEC敢于开展碳化硅项目，很大程度上得益于巴西科研项目资助局（Finep）签订的技术委托订单——项目总额达2.2 亿雷亚尔（约2.87亿元人民币），资金分三年拨付，用于研发碳化硅功率芯片。
CEITEC当时称，他们正在推动内部一系列基础性建设工作，其中包括采购全新一代、专门用于碳化硅工艺的生产设备，以及扩充技术团队，新引入八名高端专业人才。
2026年8月，CEITEC宣布收到一台用于 SiC 制造工艺的离子注入机，据相关报道，该设备被称为南美目前唯一同类设备。CEITEC方面称，整个 SiC晶圆线的物理建设已经完成约 50%。
在碳化硅项目建设推进的同时，CEITEC也在寻求与欧美、亚洲企业代表展开对接，探索技术合作、知识转让以及碳化硅材料供应等合作机会。
根据巴西本土头部科技产业媒体IT Forum于2026年5月的报道，巴西科学、技术与创新部（MCTI）牵头斡旋，推动了Ceitec与中国一家碳化硅IDM企业开展谈判，目标在巴西开展碳化硅半导体生产，这份协议尚处在正式敲定阶段。
CEITEC此前主要做半导体、微电子、RFID/智能卡、ASIC芯片，企业累计生产半导体器件超 2.45 亿颗，2021年营收约为3150万人民币，长期依赖财政补贴。2021巴西政府曾启动CEITEC清算程序，但巴西审计法院（TCU）随后介入并叫停相关程序，2025年CEITEC恢复运营，2025年1月至9月累计收入约恢复到910万人民币。
据“行家说三代半”测算，CEITEC累计营收约为1亿人民币，但累计补贴超过了15.12亿人民币。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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