近期，碳化硅产业链多个项目迎来新进展：
浙江晶瑞：宁夏60万片8英寸碳化硅衬底项目即将完成全部设备安装；
西安交大：SiC模块封装平台即将投用，将采购国产设备；
晶飞半导体：投资2000万元建设碳化硅激光剥离设备生产基地；
苏州浩晶：碳化硅长晶炉项目签约入驻苏州。
9月8日，宁夏银川经开区管委会发文报道了当地8英寸碳化硅衬底产线的最新进展。
据报道，创盛新材料的“年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目”现场正在紧锣密鼓地进行设备安装调试。
创盛新材料是浙江晶瑞电子的全资控股子公司。上述项目总投资56亿元，2025年7月20日举行了开工仪式，全面启动建设，建设周期为2年。
据宁夏创盛新材料科技有限公司相关负责人介绍，目前，该项目已安装设备超300台，剩余设备预计将在10月初全部到场。
浙江晶瑞的碳化硅布局是“一条产业链、多地分工”的模式，正在加速形成6英寸和8英寸衬底年产90万片项目投产。其中，宁夏基地负责前端的晶体生长，而浙江绍兴和马来西亚槟城基地则负责后端的衬底片切磨抛加工。
绍兴基地方面，2023年11月，其“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”完成环评拟审批公示。随后在2025年6月，浙江晶瑞进一步备案了年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目，总投资15亿元，规划于2027年6月建成。
槟城基地方面，2025年7月，“年产24万片8英寸碳化硅衬底一期项目”奠基动工，预计在2026年底通线投产。
9月15日，西安交大绍兴市通越宽禁带半导体研究院发文称，他们的碳化硅模块即将完成建设，并投入使用。
据介绍，该研究院实施运营“宽禁带功率半导体高性能封装集成攻关平台”，主要研发生产SiC（碳化硅）模块，围绕高压封装、高温封装材料、封装结构优化等方向，重点突破低寄生电感、高导热、高可靠等核心技术。
最近，该平台实现了多项进展：室内装修完成95%，废水废气处理设备同步安装调试，平台正以“倒计时”状态冲刺投用。
该研究院表示，接下来该平台项目将采购高精度贴片机、真空回流焊机等封装关键设备，设备国产化率不低于50%。平台建成后，将具备封装中试、小批量定制、测试认证、可靠性验证等能力。
9月17日，天津经开区管委会发文介绍了北京晶飞半导体的激光剥离设备生产基地项目。
据介绍，晶飞半导体近日在天津经开区注册成立“天津晶飞半导体科技有限公司”，将打造高端激光剥离设备生产基地项目，该项目主要产品包括：激光剥离碳化硅设备和激光剥离金刚石设备。
该项目投资金额为2000万元，预计2026年10月开始厂房装修改造，年底设备进场，2027年上半年正式投产。
9月11日，据苏州元创智谷数字经济产业园介绍，一家碳化硅长晶设备企业已签约入驻该产业园。
本次入驻的企业为苏州浩晶真空半导体设备有限公司，该公司的主营产品为碳化硅长晶装备，以及12英寸碳化硅晶锭。
苏州浩晶成立于2026年1月，公司股东包括王化飞、蔡俊毅、邹惠君、李家宏。2026年9月，上市公司元利科技（603217.SH）对其进行了战略投资，持股比例为51%，苏州浩晶成为元利科技的控股子公司。
据介绍，苏州浩晶拥有半导体装备研发积淀，客户涵盖台积电、富士康等行业大厂，该公司的前开式 PVT 电阻长晶炉核心零部件实现100%国产化，晶锭良率可达85%以上。其核心产品碳化硅电阻炉具备多项专利技术，包括突波导流电路、闭环温度控制系统、特殊设计的石墨加热器等。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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