英诺赛科：InnoGaN驱动算力加速与物理智能
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8月25日，【SiC/GaN赋能800V数据中心与新能源创新峰会】将在深圳举办，英诺赛科已确认出席，其应用工程部总监邹艳波将带来《InnoGaN驱动算力加速与物理智能》的主题演讲，全方位展示该企业的全场景GaN功率解决方案。
在算力与物理智能终端爆发的全新时代，GaN正在成为驱动这场变革的核心引擎。英诺赛科将在现场演示GaN全场景解决方案如何赋能“算力加速”与“物理智能”：
在算力侧，GaN正凭借卓越的高频特性，为AI算力集群突破能耗瓶颈、释放极致性能提供关键支撑。
在终端侧，GaN正深度赋能智能时代的两大核心载体：
——在智能汽车领域，GaN助力自动驾驶感知系统实现更高精度与内部电源管理更低功耗；
——在人形机器人领域，GaN让关节电机控制更加精准高效，实现机器人轻量化和延长续航能力。
近期，英诺赛科推出了数据中心800V-50V 12kW HVDC全氮化镓供电方案，届时演讲中也将重点展开介绍。该方案满载效率高达98.2%，峰值效率突破98.6%，同时方案设计极致紧凑，功率级尺寸仅60mm×124mm×11mm。
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【SiC/GaN赋能800V数据中心与新能源创新峰会】即将于8月25日在深圳举行，大会将搭建从SiC/GaN、电源到终端应用的闭环交流生态，汇聚全链路领军企业的创新技术与实战经验,致力于加速GaN和SiC技术在众多高增量市场的规模化商用渗透。活动亮点如下：
直击行业热门痛点
本次大会将聚焦数据中心、新能源汽车、人形机器人、家电、消费电子、储能等电源转换/电力电子技术热门方向，围绕“800V数据中心与SST技术研讨会”和“GaN赋能AIDC、机器人、新能源研讨会”两大专场主题活动，探寻突破性的SiC/GaN电力电子变换新技术方案。
2场圆桌论坛嘉宾阵容
大会期间，将举办两场高规格圆桌论坛：
上午场为“AI数据中心对SiC/GaN的机遇和挑战”沙发论坛，扬杰科技战略市场部总经理施俊、利普思总经理丁烜明、凌锐半导体总经理刘桂新、澎芯半导体董事长计建新、瞻芯电子副总经理曹峻、国联万众研发总监王川宝、芯长征市场高级总监盛杰、AOS应用工程总监张龙等嘉宾已确认出席。
下午场则是“氮化镓破界应用机遇与挑战”圆桌论坛，格晶半导体董事长白俊春、纳微达斯半导体现场应用总监况草根、新微半导体功率产品总监刘天猷、镓未来公司IP与技术合作总监张大江、三安半导体GaN研发处长刘成博士等嘉宾已确认出席。
2份行业报告重磅发布
大会现场，行家说三代半研究总监张文灵将作题为“800VDC数据中心市场容量与演进趋势”的开场报告，为与会者梳理全球800VDC数据中心发展脉络。
另一重磅消息是，本次大会将发布《2026氮化镓（GaN）产业调研白皮书》成果，详细解读GaN产业的竞争态势、市场前景等，助力参会者洞察GaN在人形机器人、AI数据中心、新能源汽车、快充、消费电子、工业等多个领域的发展脉络与未来走向。
设置SiC/GaN成果展示区，促成商机
大会现场将设置专场展览，纳芯微、国联万众、创锐光谱等国内外多家功率半导体企业进行SiC/GaN与电源新产品、新技术展示，包括SiC/GaN器件&模块、电源技术方案、其他元器件等，为参会企业提供精准的商业配对和需求对接平台，推动新一代电源创新技术商业化落地。
马上扫码参会，共探SiC/GaN前沿应用方向：
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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