这家企业SiC营收超5亿，今年产能将扩大250%
5月27日，富士电机半导体事业本部发布了他们2026年度的《事业部战略说明会》，公布了他们的碳化硅营收和产能的相关计划。
2025年度，富士电机半导体业务实现销售额为2374亿日元（约合人民币101亿元），与去年大致持平。分业务来看，大约一半销售额来自汽车市场，另一半来自工业市场。
2025年富士电机的营业利润为235亿日元（约合人民币10亿元），销售利润率9.9%，同比下滑5.8%。
值得注意的是，在2025年，富士电机通过大笔增加对SiC晶圆前道工序的投资来拉动销售额。富士电机津轻SiC晶圆厂的产能去年同比增长了2.5倍，同时SiC半导体销售额同比增长约2倍。此外，其车规级第三代SiC芯片等新产品也已经实现量产。
对于2026年的经营计划，富士电机准备将SiC模块在汽车业务的销售额占比从2025年度的11%提升到25%。
照此计算，2025年富士电机的汽车SiC营收约为129.47亿日元（约合人民币5.51亿元），预计2026年其汽车SiC营收将达到259.25亿日元（约合人民币11.03亿元），同比增长100%。
据介绍，在汽车SiC领域，富士电机半导体已和5家客户达成了长期合作，并在2026年预计将为2家企业开始供应SiC产品。预计到2028年，可达成7项车规级SiC项目合作。
富士电机预测，其汽车功率半导体业务营收在2030年预计可增长到14倍（IGBT+碳化硅）。
为此，富士电机正在研发更具有竞争力的、适用于电气设备的SiC模块新产品。
为了助力碳化硅业务的增长，富士电机半导体的SiC芯片都由其津轻SiC晶圆工厂负责生产。但从2026年度开始，富士电机的松本工厂也将开始生产6英寸SiC晶圆产品，同时还将着手推进8英寸SiC晶圆产品的生产工作。
同时，富士电机今年的设备投资计划为203亿日元（约合人民币8.6亿元），较上一年减少约42%，主要投资内容包括：SiC晶圆的产能提升、后道环节的产能增强，同时投资建设8英寸SiC生产线。
研发费用方面，富士电机计划投入146亿日元（约合人民币6.2亿元），用于8英寸SiC的研发、第三代和第四代SiC芯片的研发，以及第八代IGBT的研制工作。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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