23家SiC企业布局SST，技术方案有何差异？
近日，Wolfspeed宣布高压SiC模块成功落地应用于Amperesand第三代固态变压器（SST）产品；与此同时，英飞凌、凌锐半导体、纳微半导体、瞻芯电子、利普思、昕感科技、芯粤能、宏微科技、赛晶半导体、中恒微半导体、晶能微电子等22家SiC企业也在密集布局，推动SST技术走向量产落地。
为了系统展现SiC技术在SST领域的最新产业进展，本文梳理汇总了国内外主流SiC企业在SST赛道的合作动态与最新技术方案。
Wolfspeed：
3.3kV模块已被SST企业采用
5月21日，Wolfspeed在官网透露，Amperesand第三代SST在中压前端采用了Wolfspeed的3.3kV全桥SiC模块，其中集成了第四代SiC MOSFET技术。
文章表示，双方的早期合作始于Amperesand主动联系Wolfspeed团队，且Amperesand提供了一系列关键电源任务场景，包括NVIDIA、OpenAI和微软联合发布的AI训练工作负载条件，随后Wolfspeed着手开展全面的任务场景寿命分析。
通过合作验证后发现，得益于Wolfspeed模块提供的电压裕量高于典型的中压SST工作电压，可在电压过冲情况下提供额外的冗余，因此Amperesand第三代SST显著减少了功率级数量，优化了功率密度、效率和成本，同时仍保持了冗余性、可维护性和裕量。
Amperesand成立于2023年，SST技术来源于新加坡南洋理工大学（NTU）能源研究所，服务对象包括超大规模数据中心、兆瓦级电动汽车充电站等，首批商业设备计划于2026年交付。过去两年，Amperesand大幅加速研发，凭借其位于内华达州里诺、旧金山和新加坡的设计和制造基地，成功推出了专为AIDC工厂打造的第三代SST。
Amperesand第三代SST融合了十年的技术研发和验证成果，并采用碳化硅技术，实现了超过98.5%的中压交流到低压直流转换效率，能够为新兴的800VDC人工智能系统提供5-10MW的模块化电源转换。
Amperesand首席执行官Brian Dow表示，Amperesand专注于中压侧至AI机柜的关键供电业务，该领域对产品的可靠性、功率密度、转换效率及成本提出了更高标准。采用碳化硅技术后，可在负载波动剧烈的 AI 算力场景下保障设备可靠，其搭配优化封装工艺，不仅实现了以往难以企及的成本控制，更达成行业领先的功率密度与能效表现。
22家SiC企业加速布局：
达成终端合作/发布产品方案
除Wolfspeed外，海内外一众碳化硅企业正全面加速SST赛道布局，通过开展战略合作、迭代产品方案等多种方式，持续推进SST技术迭代与商业化落地。
据行家说《AIDC专刊》调研显示，目前SST应用主要以SiC器件为主，既有1.2kV单管方案，也有3.3kV模块方案。但是，也有企业选择采用双向GaN器件，用342个功率模块达到1.25MW的总功率。
英飞凌
据“行家说三代半”此前报道，英飞凌相继与SolarEdge 、为光能源、DG Matrix、Enphase Energy达成合作，采用碳化硅/氮化镓技术进一步提升固态变压器效率、功率密度与可靠性。其中，为光能源采用了英飞凌1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件。
英飞凌在其固态变压器应用案例剖析中提到，使用2kV SiC MOSFET替代1200V SiC MOSFET，以60kW的子单元系统为例，SST系统中DCDC变换器原边的SiC器件数量从96个减小为48个，为之前的一半。
虽然对于单个器件而言，2kV的SiC MOSFET损耗可能偏高，但是由于简化的电路结构，更少的器件数量，整个系统的损耗、成本、体积等都会得到改善。
凌锐半导体
2月，凌锐半导体宣布，采用其SiC MOS芯片的固态变压器（SST）研发取得圆满成功，目前相关产品已顺利进入批量供货阶段。
凌锐半导体表示，早在2025年，他们就与某大型电力电子行业上市公司联合攻关，由凌锐提供高性能、高可靠性，自主研发的SiC MOS芯片方案。经过双方密切协作，该10KV SST项目于2026年1月顺利实现批量商业化落地，凌锐半导体已成功接收项目方订单并完成交付。
纳微半导体
5月，纳微半导体宣布将对外展示两款依托其GeneSi技术打造的固态变压器拓扑方案。
一是由瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）研发的全集成固态变压器单元。该方案采用创新单级拓扑结构，整合原边变换级、变压器及副边变换级，核心搭载纳微3300V 与1200V碳化硅器件。
二是50千伏安双向有源前端双有源桥固态变压器解决方案，基于纳微3300V SiCPAK MOSFET功率模块开发，搭配德州仪器 C2000™实时微控制器UCC218915-Q1 栅极驱动器。
瞻芯电子
瞻芯电子在2025年6月与浙江大学联合发表10kV等级SiC MOSFET芯片，单芯片尺寸达到10mm x 10mm，导通电流接近40A，击穿电压超过12kV，比导通电阻（Ron.sp）为117 mΩ·cm，未来将有力支撑SST应用落地。
利普思
4月，据“和高资本”官微透露，利普思SiC模块已在头部电网、新能源重卡、变压器企业稳定量产，多款1200V‑3300V产品进入国内外知名客户固态变压器（SST）测试与可靠性验证，预计 2027 年在 AI 算力电源领域迎来放量增长。
同期，利普思还在新品发布会上推出针对高压市场的LPP SiC模块，该模块用叠层母排设计与芯片多并联布局，绝缘封装能力达6kV以上，支持1200V-3300V电压等级的IGBT与SiC芯片，适用于固态变压器、风电变流器、矿用及牵引变流器等高压大电流场景。
昕感科技
5月，昕感科技在官微发文透露，他们将加速SST专用SiC模块的量产与迭代，并协同SST系统集成商、电网公司、AI数据中心及超充运营商，共同推动从器件定义到系统落地的全链条创新。
针对SST应用，昕感科技可提供1200V/1700V级别的SiC MOSFET及车规级功率模块，可匹配SST中压输入级与高频隔离级的需求。
芯粤能
5月，据“芯粤能”官微透露，搭载其SiC芯片的客户产品已批量进入各类传统和新兴工业市场，在充电模块、AI数据中心HVDC方案、储能变流器 (PCS)、光伏逆变器、固态变压器SST、IPM模块、消费电子快充等领域持续获得客户好评，并叩响海外市场的大门。
据官方介绍，芯粤能已构建覆盖MOSFET、SBD等主流器件的完整工艺平台，第四代平面MOSFET已进入开发阶段，第二代沟槽MOSFET平台良率突破96%，第二代1400V SiC MOSFET主驱芯片实际击穿电压典型值约1700V。
宏微科技
5月，宏微科技在官微透露，他们已与多家 SST 企业、数据中心能源设备厂商开展合作，基于现有成熟的 SiC 模块方案，联合优化 SST 系统设计，实现产品快速落地；同时，双方将基于下一代新品路线图保持深度协同，共同研发面向未来的 SST 平台，加速固态变压器技术的商业化普及。
针对SST应用，宏微科技推出1200V半桥SiC功率模块，该产品满足固态变压器三电平拓扑的核心应用需求，同时正在研发三电平拓扑全集成 SiC 模块，推动 SST 系统向更高集成度、更高功率密度的方向持续升级。
同时，他们正在布局适用于SST的2300V SiCMOSFET器件。其中SiC MOSFET芯片产品比导通电阻达8mΩ·cm²，该器件支持两级拓扑架构，减少子系统数量，简化系统链路。
赛晶半导体
4月，在“800VDC数据中心能源变革·储能与第三代半导体协同发展论坛”上，赛晶亚太半导体研发主管Nick Schneider发表了题为《固态变压器用2300V SiC MOSFET技术方案》的主题演讲，正式发布面向下一代数据中心能源系统的2300V碳化硅功率器件解决方案。
据介绍，该产品在电压等级选择上实现了技术性能与系统成本的最优平衡：相较于1200V器件，2300V器件可支持两级拓扑结构，减少50%的子系统数量和系统复杂度；相较于更高电压等级（如6.5kV）器件，则在成本、导通损耗和商用成熟度方面具有显著优势。
中恒微半导体
今年2月，中恒微半导体针对性推出Drive P3封装SiC功率模块，精准适配SST应用需求，为该领域技术落地与规模化推广提供关键支撑。据介绍，中恒微Drive P3封装SiC功率模块通过2000V/225A的精准参数设计、INPC与全桥拓扑的灵活配置，以及先进的封装工艺，实现了与SST技术需求的深度匹配，为SST的高效化、小型化、智能化发展提供了可靠的功率器件解决方案。
晶能微电子
4月，晶能微电子在官微表示，他们在巩固新能源主驱逆变器市场优势的同时，正在积极拓宽技术应用边界，重点布局固态变压器（SST）领域的SiC模块创新研发，致力于为AI基础设施、智能高压充电桩等新兴场景。
官网显示，当前晶能微电子工业级功率模块涵盖600V至1700V电压及10A至950A电流范围，车规级功率模块电压等级涵盖750V和1200V。
派恩杰半导体
5月，派恩杰携SiC核心前沿技术成果——SST（固态变压器）、SSCB（固态断路器）以及SiC JFET、嵌入式功率模块、半桥模块等车规级产品参加北京车展。
派恩杰半导体表示，他们有多款高压SiC MOSFET产品，电压等级涵盖2200V与3300V，分别适用与1500V与2200V直流母线电压的应用，可以为SST配套优选方案。
基本半导体
4月，基本半导体成功签约“SST直流供电技术全产业链研究平台”和“AIDC直流配电系统产业链”两大合作项目，前者将着力于攻克SST直流供电技术在材料、器件、系统集成等全产业链环节的关键难题。
基本半导体市场部总监魏炜在AIDC相关论坛上透露，基本半导体全碳化硅SST系统方案推荐采用星形级联架构，优选1200V或2000V碳化硅MOSFET，高频隔离DC/DC优选1200V 5.5mΩ碳化硅模块，减少变压器、APF、AC/DC电源等配电设备投入，可有效降低智算中心建设和运营成本。
士兰微电子
4月10日，在深圳“800VDC数据中心能源变革——储能与第三代半导体协同发展论坛”上，士兰微器件成品产品线市场总监伏友文系统介绍了针对算力数据中心供电系统的“功率器件+电源管理IC”整体解决方案。
面向SST应用，士兰微推出了1200V、2300V SiC器件及模块产品，其产品版图还覆盖HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用。
安森美
2023年，安森美在官微透露，他们正在开发2000V SiC MOSFET 技术，以支持太阳能、固态变压器和电子断路器等新兴应用。
Microchip5月，Microchip宣布推出全新3.3 kV HV-D3 mSiC®功率模块，旨在简化和加速固态变压器（SST）在人工智能超大规模数据中心和其他高压电源应用中的部署。该产品采用 Microchip 的 mSiC MOSFET 技术，具有极具竞争力的导通电阻稳定性，其封装支持6kV隔离。东芝半导体4月，东芝电子元件高级工程师李松涛在AIDC相关论坛上透露，针对SST应用，他们已经推出1200V SiC分立器件方案，以及1.7kV-3.3kV模块方案。
方正微
5月，方正微电子与超聚变签订战略合作协议。作为核心合作伙伴，超聚变将全面搭载方正微电子SiC芯片及功率模块产品，双方围绕AI智算及数据中心电源场景展开深度合作。
此次合作，方正微电子将发挥SiC全链条核心优势，为超聚变提供650V-2300V全电压平台SiC MOSFET器件、功率模组及一站式解决方案，覆盖SST、UPS、HVDC、AI服务器电源等关键场景。
芯塔电子4月，芯塔电子在官微透露，针对SST的工程化落地，他们已从1200V SiC MOSFET，成功扩展至1700V与2200V更高耐压等级的系列产品，并实现成功量产，将进一步简化SST的模块化架构，降低了系统成本与复杂度。泰科天润
5月，泰科天润宣布推出高电压碳化硅MOSFET全系列器件，电压平台全面覆盖2000V、3300V、4500V、6500V。
其中，2000V系列构建了完整的规格矩阵，导通电阻涵盖24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ四款核心型号，专为固态变压器（SST）、中压光伏逆变、高压直挂充电桩、智能电网能量路由器等场景优化设计。
杰平方半导体
杰平方半导体依托在充电桩等电力领域的客户积累，正与SST等电力装备相关企业深度合作，围绕10kV SiC MOSFET共同规划开发匹配规格产品，推动器件与下游应用场景的精准适配。
芯能半导体
4月，芯能半导体发布固态变压器（SST）产品组合应用方案，其中在高压AC-DC整流侧采用1700V/300A-900A系列半桥封装IGBT模块，在低压DC-DC侧采用1200V/300-600A半桥封装SIC模块。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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