芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体加码SiC项目建设
近期，国内半导体企业纷纷加码SiC领域布局，芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体等企业相继推进相关项目建设：
芯联集成：正在推进碳化硅MOS芯片制造二期项目建设，将新增1.5万/片月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线；
士兰微：成都士兰汽车半导体封装（二期）项目力争年底通线，一批次产线满产后预计可形成IGBT&SiC模块300万块/月产能；
中瑞宏芯半导体：碳化硅芯片封测基地项目签约无锡，预计今年9月正式投产。
芯联集成：
SiC二期项目产能达1.5万片/月
近期，据交通银行浙江省分行官微透露，他们旗下分行已为芯联动力碳化硅项目进行授信贷款，首笔项目资金迅速投放到位，全力保障企业重点项目建设。
文章透露，作为芯联集成集团碳化硅项目的建设主体，芯联动力聚焦车规级碳化硅领域，打造从芯片到整车的一站式系统解决方案。企业负责人表示，“通过碳化硅MOS芯片制造二期项目，我们将新增1.5万片/月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线，加速实现技术落地。”
“行家说三代半”发现，2025年芯联集成已在官网公示碳化硅MOS 芯片制造二期项目的环评文件。据文件资料显示，该项目属于新建项目，总投资为28亿元，位于浙江绍兴，拟租用芯联越州集成电路制造绍兴有限公司已建厂房进行产线建设。
文字进一步透露，2024年芯联集成旗下芯联越州实施了碳化硅MOS芯片制造一期项目，并于2024年9月完成了竣工环保验收，具备月产0.5万片的 6/8 英寸兼容碳化硅 MOS 芯片的生产规模。为了更好地适应市场需求，芯联越州于2023年9月组建了其全资子公司芯联先进集成电路制造绍兴有限公司，拟由芯联先进实施碳化硅MOS 芯片制造二期项目。
2025年10月，芯联集成在投资者关系活动记录表中透露，目前他们已经构建8000片/月的6英寸碳化硅产能、2000片/月的8英寸碳化硅产能。未来产能扩张将更多聚焦在12英寸10万片月产能产线的建设及碳化硅产线建设的需求。
士兰微：
成都SiC项目力争年内通线
4月9日，据成都日报报道，成都士兰汽车半导体封装（二期）项目整体建设进度已过半，一批次产线满产后预计可形成300万块/月的汽车级功率模块（含IGBT&SiC，即绝缘栅双极型晶体管、碳化硅功率器件/模块）封装测试能力。
据成都士兰半导体制造有限公司相关负责人介绍，“从去年到现在，SiC功率器件/模块开始在电动汽车、新能源、大型算力服务器等领域大批量应用，根据已掌握的市场信息，我们原先一期项目规划的产能，预计将无法完全满足市场需求，因此士兰成都公司启动了汽车半导体封装项目二期的建设。”
据介绍，目前在建的汽车半导体封装（二期）厂房建设项目，于2025年11月启动建设。眼下二期厂房规划并全力推进一批次产线项目，预计今年8月进行产线设备安装及调试，力争年底通线并投入试运行。满产后，预计可形成300万块/月的汽车级功率模块封装测试能力，按照年3600万块封装测试能力估算，年产值可达3亿元。
文章进一步透露，作为士兰微电子全国唯一功率半导体产品封装基地，士兰成都公司扎根金堂10余年，累计投资超50亿元，产品从硅外延片制造延伸至功率器件、功率模块封装等产业链关键环节，具备年产特色功率器件12亿只、功率模块4.8亿只的封装能力，近三年来复合增长率超30%，预计2026年仍将保持30%左右增速。
中瑞宏芯半导体：
SiC芯片封测项目签约无锡
4月14日，据无锡新闻官微透露，当日中韩集成电路产业园一期项目签约入驻暨二期开工活动在江阴高新区举行，签约项目包括总投资1.8亿元的中瑞宏芯半导体碳化硅芯片封测基地项目。
文章透露，中韩集成电路产业园项目总投资10.8亿元，总占地面积62.2亩，总建筑面积7.18万平方米，共分为两期建设。目前，项目一期已正式竣工，中瑞宏芯半导体项目预计9月正式投产；产业园项目二期4月正式动工，预计2027年春节后投运，目前已有4个韩国项目正在洽谈。
据“行家说三代半”此前报道，今年3月，中瑞宏芯半导体宣布完成新一轮融资，融资金额达亿元级，投资方为纳芯微和优优绿能，此次融资将助力中瑞宏芯在技术协同与市场拓展上实现跨越式发展，进一步加速SiC器件在新能源汽车与充电设施领域的国产化替代进程。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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