CBP的裁定允许美国市场进口英诺赛科的GaN产品，为英诺赛科扫除了EPC发起337调查案所设的障碍

CBP的裁定确认了英诺赛科新一代氮化镓GaN功率半导体产品（产品型号含“AD”后缀）不受有限排除令（LEO）的限制

案件背景： 2023年5月，EPC发起针对英诺赛科的诉讼，指控英诺赛科侵犯了EPC的美国专利第8,350,294号专利（US'294）以及其它3项美国专利（总计4项涉案专利）。在随后的案件调查阶段，EPC撤回了其中两项专利的指控和针对第三项专利的指控，美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科不侵权。随后，美国专利商标局（US PTO）发布最终裁决，宣布US'294专利的全部12项权利要求无效，这再次表明EPC发起对英诺赛科的不实指控已全部丧失权利基础。

该有限排除令目前仅适用于英诺赛科所产的旧款氮化镓（GaN）芯片，重点强调的是：即便采用这些旧款氮化镓GaN产品，该有限排除令对于产品的PCBA在美国境外完成后才进入到美国市场的电源产品客户无任何影响。

现阶段，ITC的裁定及USPTO关于US’294专利无效的最终决定均处于上诉程序中。美国联邦巡回上诉法院后续发布的推翻ITC裁决的结果或者维持USPTO关于该专利无效的决定都将使该有限排除令被永久撤销。

特此说明：自2026年2月20日起，英诺赛科在美国境内开展新一代产品（产品型号含“AD”后缀）的制造、使用、销售、许诺销售及进口等相关业务不受任何限制。

英诺赛科认同美国海关与边境保护局（CBP）的裁定并认为该裁定的影响对我们的客户以及整个氮化镓（GaN）行业都是积极的。该裁定再次验证了英诺赛科先进技术的法律正当性，同时也印证了英诺赛科致力于为客户提供可靠、高性能、高性价比的氮化镓产品的承诺。

关于英诺赛科

英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案。凭借已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。

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