新增4个SiC项目动态，最高投资达10亿元
近期，“行家说三代半”发现新增4个SiC项目动态，涵盖国联万众的8英寸SiC芯片与模块产线、北一半导体的高压功率模块项目，以及面向AI服务器电源的模块项目，其产能建设/投资规模呈现亮眼表现，或将进一步推动国内SiC产业在车规、能源、算力基建等应用的国产化进程。
国联万众：
8英寸SiC芯片线量产、模块生产线通线
12月19日，中瓷电子发布《投资者关系活动记录表》，其中披露了关于其子公司国联万众的产线情况：
8英寸SiC芯片生产线于今年10月完成通线并开始批量供货，产能预计可达到5000片/月；
新建的SiC功率模块生产线于今年10月已经通线，1200V 600A半桥功率模块产品已经在某当地车企进行A样验证；
已有的6英寸SiC生产线2026年预计继续维持5000片/月的产能。
图：国联万众的8英寸与6英寸碳化硅晶圆
在产能持续爬坡与产品陆续量产的支撑下，国联万众在市场拓展与技术应用方面也取得了相应进展。
SiC MOS芯片上车方面，国联万众1200V 18mΩ、750V 14mΩ芯片产品在国内头部车企已经完成验证，并与其他国内头部车企完成技术对接并签署了战略合作协议，目标产品包括1200V 10mΩSiC MOS等芯片产品。
新应用扩展方面，在固态变压器、低空无人机EVTOL等方向，国联万众增积极跟进客户进行相关对接沟通和芯片开发等工作。其中，针对固态变压器、固态断路器等电网装备应用，他们正在开发3300V-10kV超压产品，且已有产品在送样验证。此外，对于AI数据中心、无人机、人形机器人等，国联万众也有针对性布局。
客户导入方面，国联万众于今年有新的战略客户导入，在第四季度已经开始稳定供货。另根据客户给出的2026年需求预计，其8寸新增产能利用率目前已经大于60%，并将持续增长。
北一半导体：
三期项目正式投产
据北一半导体12月22日官微消息，其三期项目已正式投产。该项目从工艺方案、封装设备、测试及应用验证能力均按照3300V电压等级建设，涵盖IGBT及SiC模块产品，致力于为固态变压器、风电、高压直流输电、AI数据中心等应用提供国产化替代产品及系统解决方案。
据介绍，该项目的投产，使得北一半导体进一步完善了自身产品架构，形成了晶圆、塑封器件、塑封模块、灌封中低压模块、灌封高压模块的全类别功率器件产品。
官网显示，北一半导体于2017年成立，专注于IGBT、SiC等功率半导体设计、工艺与制造，具备芯片设计、模块工艺与测试全平台能力，产品广泛应用于工业变频、光伏、风电等领域，并进入国内车企及家电头部供应链。
AI服务器电源碳化硅模块总部项目：
落户浙江杭州
12月18日，浙江杭州钱塘（新）区加快建设人工智能产业新高地推进大会在钱塘区国际创博中心举行，现场涉及具身智能、AI医药、高端芯片赛道等的11个新项目集中签约，AI服务器电源碳化硅模块总部项目就位列其中。
据杭州网报道，AI服务器电源碳化硅模块总部项目总投资达10亿元，是该项目企业近年来投资金额最高的项目。
杭州钱塘（新）区主要领导表示，他们将力争用三年时间，推动人工智能产业营收突破1000亿元，形成一批具有引领示范作用的高价值应用场景。以此来看，AI服务器电源碳化硅模块总部项目或将成为该区布局人工智能产业的重要一环。
目前，关于该项目的其它信息官方暂未披露，“行家说三代半”将继续关注。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
