今日，英诺赛科与安森美半导体共同宣布，双方达成战略合作，共同加速推进氮化镓产业的应用与布局。

安森美在官网透露，双方将探索利用英诺赛科成熟的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-silicon）工艺扩大氮化镓（GaN）功率器件的生产规模。

一方面，此次合作将扩大安森美半导体的低压和中压氮化镓功率产品组合，计划从40-200V电压产品切入，预计将于2026年上半年开始进行样品测试。同时，安森美半导体将在全球范围内扩大氮化镓制造规模，以加快产品上市速度并扩大市场应用。

另一方面，双方合作将结合安森美半导体在系统集成、驱动器和封装方面的专业技术，以及英诺赛科在GaN晶圆和大规模生产制造方面的优势，旨在更快地将高性价比、高能效的解决方案推向市场，并加速GaN技术普及到汽车、工业应用、数据中心等市场。

针对此次合作，安森美半导体公司企业战略副总裁 Antoine Jalabert表示，随着各行各业电力需求的增长，氮化镓 (GaN) 相较于其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能量损耗。此前，在低压和中压领域，成本和供应限制了其广泛应用。通过与英诺赛科的合作，安森美有望利用业界最大的GaN生产基地，并迅速扩大面向全球客户的GaN产品规模，从而推动其在主流电力应用中的更广泛应用。

英诺赛科也在官微表示，此次战略合作，将通过晶圆采购等方式，整合英诺赛科成熟先进的氮化镓制造能力及安森美在系统封装与集成等领域的经验和优势，加速推动氮化镓在新能源汽车、人工智能、数据中心，工业等领域的快速落地。此次合作，有望在未来几年将带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场开拓与布局带来先机。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。