国家出台充电桩新政策！SiC需求将大幅增长
10月15日，国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027 年）》的通知。
这一政策官宣，意味着碳化硅产业正迎来重大机遇。尤其是在政策驱动下，充电桩企业早已率先启动碳化硅器件招标。同时，即将实施的电动汽车供电设备能效新国标更将倒逼技术升级。
一场与碳化硅息息相关的能源效率革命，正在充电桩市场悄然爆发。
“三年倍增”行动方案官宣SiC迎来确定性增长
行动方案明确，到2027年底，在全国范围内建成2800万个充电设施，提供超3亿千瓦的公共充电容量，满足超过8000万辆电动汽车充电需求，实现充电服务能力的翻倍增长。这一“倍增计划”不仅是充电基础设施的规模扩张，更隐藏着对设备技术升级的硬性需求。
相较于传统硅基IGBT器件，碳化硅器件因其高耐压、高频率、低损耗的特性，不仅能提升充电桩的转换效率，同时能缩小设备体积、降低散热成本，正成为提升充电桩功率密度和能效的关键材料。
对此，业内人士指出，这一重磅政策，将有望直接拉动对碳化硅功率器件的需求。
充电桩企业抢先布局SiC采购需求增加
值得关注的是，在政策明确之前，今年已有部分充电企业率先启动碳化硅器件布局。
6月，作为充电桩运营商，特来电在官微发布“功率器件采购招标公告”，以公开招标的方式招标碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、绝缘栅双极晶体管（IGBT），其中对碳化硅器件的需求量达1000万颗。投标器件年度需求分别是：
包一：碳化硅MOSFET，年度净需求：400万颗。
包二：碳化硅二极管，年度净需求：600万颗。
包三：绝缘栅双极晶体管（IGBT），年度净需求：600万颗。
7月，充电设备厂商领充新能源也在官微发布“IGBT&MOS招标”，涵盖碳化硅MOS及IGBT，其中对碳化硅MOS的年需求量达160万颗。具体招标物料/年用量pcs如下：
标的一：1200V 40mΩ SIC MOS -- 1.6KK；
标的二：650V 50A IGBT -- 1.2KK；
标的三：650V 75A IGBT -- 1.2KK。
这些招标动向在表明，充电桩企业已锁定碳化硅技术，以应对充电模块大功率化、高效化的发展趋势。
此外，据“行家说三代半”不完全统计，今年以来已有超25款充电桩采用碳化硅。从另一角度来看，在能效升级和成本控制方面，碳化硅技术能为充电桩企业提供有效助力。
能效新国标倒逼技术升级SiC成为企业破局的关键
在需求扩张的同时，充电桩开始面临严格的能效门槛。
10月5日，国家市场监督管理总局批准发布了GB 46519-2025《电动汽车供电设备能效限定值及能效等级》，新国标将直流充电设备能效分为3个等级，其中一级能效要求整桩加权效率不低于96.5%，该标准将于2026年11月1日起正式实施。
当前市场上采用传统硅基IGBT的充电桩，整桩效率普遍低于96.5%，难以满足一级能效标准。这也意味着，随着2026年11月标准正式实施，企业若不主动进行技术升级，大量现有充电桩产品可能面临淘汰。而能将充电桩效率提升至97%以上的碳化硅方案，则成为达标的关键路径。
总而言之，从国家“三年倍增计划”的政策拉动，到充电桩企业千万级的招标需求，再到能效新国标的技术倒逼，碳化硅正成为充电桩产业升级的一大变量。
对于碳化硅产业而言，充电桩市场的爆发不仅是短期增量，更将推动器件厂商在成本控制、可靠性验证等方面持续突破，进而反哺新能源汽车、储能等领域的应用。而对于充电桩企业，能否抓住碳化硅技术，或将成为其在能效竞赛与市场竞争中占据先机的关键。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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