英诺赛科发布多系列应用文档，帮助工程师快速上手GaN设计
2025-05-28
氮化镓 (GaN) 作为一种新型的第三代半导体材料，具备高效率、小体积、低发热等特性，目前已在消费电子、家电、数据中心、新能源与储能、汽车等领域展开应用。英诺赛科是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造的领导者，以高可靠性、高性能的氮化镓产品实现了氮化镓在多个应用领域的突破，加速市场普及。
在应用实践过程中，英诺赛科总结了一系列氮化镓设计应用技巧，并整理成文档，为行业工程师提供完整的技术指南，帮助工程师快速掌握氮化镓方案设计技能，提升系统设计能力。
接下来就让我们详细了解一下吧！
APP NOTE
01
Guick Start 快速入门手册
— INNOSCIENCE —
文档AN012：
《InnoGaN应用Quick Start及常用注意事项》
主要内容：
InnoGaN基础知识和设计与应用中各类常见问题，可以帮助用户快速上手，启动基于InnoGaN产品的电路设计
APP NOTE
02
Gate drive design 驱动设计
— INNOSCIENCE —
文档AN001：
《高压 InnoGaN驱动设计指导》
文档AN002：
《低压 InnoGaN驱动设计指导》
主要内容：
分别提供高压和低压InnoGaN的栅极特性、单管/半桥驱动方案推荐、设计要点和驱动设计案例，以及InnoGaN应用中驱动电路的设计指导
APP NOTE
03
电源 EMC 设计
— INNOSCIENCE —
文档AN003：
《InnoGaN电源EMC设计指导》
主要内容：
基于InnoGaN的EMC设计要点和案例，传导和辐射噪声的消除措施，为客户解决InnoGaN应用于电源中的EMC问题提供指导
APP NOTE
04
Parallel design 并联设计
— INNOSCIENCE —
文档AN004：
《低压InnoGaN并联设计指导》
文档AN010：
《高压 InnoGaN小功率并联设计指导》
文档AN011：
《高压 InnoGaN大功率并联设计指导》
主要内容：
InnoGaN应用与并联场景的特性、layout设计要点，提供并联案例作为设计参考，并给出实测数据，指导用户将GaN应用于多管并联方案
APP NOTE
05
Device Characteristics 器件特性
— INNOSCIENCE —
文档AN005：
《InnoGaN开关特性介绍》
主要内容：
介绍InnoGaN的开关特性，解读详细开关过程，讲解GaN的损耗计算方法
文档AN007：
《InnoGaN 器件特性介绍》
主要内容：
概述介绍GaN材料和器件结构，解读耐压、开关速度、驱动、反向导通等用户普遍关心的器件特性
APP NOTE
06
Layout 布局设计
— INNOSCIENCE —
文档AN006：
《InnoGaN layout设计指导》
主要内容：
解读InnoGaN在应用中layout的关键注意点、设计准则/步骤，以实际案例的形式分别给出高压和低压InnoGaN应于单管、半桥和并联等场景的layout注意事项
APP NOTE
07
Simulation 建模与仿真
— INNOSCIENCE —
文档AN008：
《InnoGaN 器件模型介绍和仿真应用指导》
主要内容：
InnoGaN仿真模型的介绍和使用指南，帮助用户了解英诺赛科提供的器件仿真模型及使用方法，利用仿真模型完成损耗、效率、参数扫描等仿真
APP NOTE
08
Thermal 热设计
— INNOSCIENCE —
文档AN008：
《InnoGaN热设计指导》
主要内容：
帮助用户了解不同InnoGaN封装形式下的最佳散热方式，提供实际案例作为设计参考
以上文档均覆盖中文和英文版本，方便多个地区的工程师查看。
英诺赛科也在持续关注氮化镓的应用发展趋势，针对应用端提出的问题不断整理技术文档，希望通过InnoGaN应用指导文档帮助行业工程师快速掌握氮化镓设计技巧，加速氮化镓在各个领域的应用进程。
END
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！
英诺赛科 向上滑动看下一个
英诺赛科 写留言 ,选择留言身份