新增2条8英寸SiC产线，有望年底通线
近期，“行家说三代半”关注到，国内外又将新增2条8英寸SiC产线：
株洲中车：8英寸SiC晶圆产线有望今年年底实现产线拉通；
新加坡A*Star：将建设一条8英寸碳化硅晶圆开放式研发线。
株洲中车：
8英寸SiC晶圆线有望年底通线
5月21日，据证券时报网报道，科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场于上证路演中心召开，参会公司有株洲中车等。
会上，株洲中车董事长、执行董事李东林向投资者透露，株洲三期碳化硅产线于2024年11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
此外，株洲中车还拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。
技术方面，株洲中车第三代精细平面栅SiC产品已定型，技术水平行业主流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。
产品及合作方面，株洲中车研发制造的SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、UPS等领域。SiC SBD在光伏领域批量供货，SiC TO器件在充电桩、OBC、电源检测等领域批量供货。
李东林进一步透露，2022年底，株洲中车通过新能源车用全SiCC-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s正式发布，目前正在整车厂送样验证阶段。2025年公司SiC MOSFET产品有望突破新能源车主驱批量出货。
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新加坡：
将打造8英寸SiC晶圆研发线
5月20日，据The Edge Singapore等报道，新加坡贸易和工业部第二部长陈诗龙在东南亚半导体展上宣布，他们将通过新加坡科技研究局-A*Star打造一个8英寸SiC平台，以促进和加速碳化硅创新。
据悉，该平台由新加坡科技研究局微电子研究所（IME）打造，是一条8英寸碳化硅晶圆的开放式研发线，用于电动汽车、射频设备和 5G 通信系统。
陈诗龙表示，这是世界上第一条8英寸SiC工业级生产线，可供新加坡本地公司使用，特别是那些服务于电力电子终端市场的公司，已有多家公司从该平台中受益，其中包括本地初创公司 WaferLead。
A*Star 在另一份声明中表示，通过将此类晶圆的开发和试生产集中在一个屋檐下，可以加快研发速度，而不是像以前那样研究人员和公司必须跨多个设施进行“分散的流程”。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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