光储赛道热捧GaN！超10家终端玩家已布局

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

5月12日，据外媒报道，在2025年慕尼黑Intersolar展会上，多家企业展示了太阳能与储能领域的最新突破。

值得注意的是，古瑞瓦特（Growatt）推出的NEXA 2000阳台光伏系统创新性地采用了氮化镓逆变器技术，成为本届展会的高光产品之一。

报道称，古瑞瓦特NEXA 2000系统通过GaN材料的应用，在逆变器性能上实现显著提升。该设备可承载20A的组串电流，支持匹配650W高功率光伏组件，整套系统的太阳能输入容量达到2600W。

与传统硅基逆变器相比，氮化镓技术使得逆变器体积更小、效率更高，同时降低了系统发热量。该一体化系统内置2kWh储能模块，并可通过扩展电池组将总容量提升至8kWh。目前该产品已在德国市场正式上市，售价约750欧元（约6000人民币）。

随着全球能源转型加速，氮化镓在光储领域愈发展现出独特优势，众多GaN企业均积极通过旗下方案推动产业升级。以英诺赛科为例，他们已推出基于氮化镓技术开发的2kW微型逆变器方案，采用Flyback+H桥逆变器架构，搭配150V/650V GaN器件，可在屋顶光伏等场景中实现更高功率密度与效率。

终端应用方面，据《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》阶段性调研统计，目前已有昱能科技、移族、大恒能源等十余家企业已实现GaN光储产品量产，覆盖从太阳能光伏到工业级储能全场景。

当前，《GaN白皮书》编撰工作仍在推进，英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业均已参编，欢迎更多GaN产业链企业提供技术案例与市场数据，共同完善第三代半导体在新能源领域的技术图谱。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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