投资超6亿！4个SiC相关项目加速推进

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

近日，国内碳化硅产业加速布局，天岳先进、中微半导体等多家企业的SiC项目取得新进展，公开投资金额超过6亿元：

天岳先进：

SiC单晶项目即将投产

4月7日，据大众新闻报道，天岳先进位于济南市槐荫区的碳化硅项目即将迎来投产。

据了解，该项目为“年产500吨碳化硅单晶基地”扩产能项目，可一次性解决5000台生长炉的扩产能需求，计划2025年5月进行生产设备安装调试、6月实现首批生产设备投产试运营。

据“行家说三代半”此前报道，天岳先进目前主要有两大生产基地，其中上海工厂已经达到年产 30 万片碳化硅衬底的量产能力，此外，第二阶段产能提升规划也已启动，总体产能规划约60万片/年。

产量方面，2024 年天岳先进的碳化硅衬底产量为 41.02 万片，较 2023 年增长56.56%，产量持续增长，屡创历史新高。销量方面，2024年天岳先进的碳化硅衬底销售量为36.12万片，较 2023 年增长59.61%。

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中微半导体：

SiC项目落户南昌

4月7日，据南昌广播电视台官微透露，中微半导体设备（上海）股份有限公司微观加工设备研发中心项目已与当地政府正式签约，将落户南昌市高新区。

据了解，中微公司将扩大在南昌高新区的研发投入力度，进一步推动用于先进封装产业半导体制造相关设备与工艺的开发、第三代半导体（碳化硅和氮化镓）功率器件相关制造设备与工艺的开发、Micro LED用MOCVD设备应用推广、Mini LED用MOCVD设备性能提升等。

“行家说三代半”发现，中微半导体设备（上海）股份有限公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案，其开发的碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类MOCVD设备取得了良好进展，已进入验证阶段，后续有望规模化生产。

卓远半导体：

SiC项目总投资3亿

近日，据“奔跑经开”透露，阳新县与江苏卓远半导体有限公司项目签约仪式在江苏省如皋市举行，总投资3亿元的“卓远半导体项目”正式签约落户阳新经济开发区。

根据签约协议，江苏卓远半导体有限公司在阳新投资3亿元，成立子公司，从事MPCVD 金刚石长晶设备、碳化硅长晶设备以及12英寸直拉式大硅片长晶设备等研发生产。项目全面投产达效后，可实现年产MPCVD设备100台，大硅片设备5台，碳化硅设备10台，年产值2亿元。

据悉，江苏卓远半导体有限公司是一家第三代半导体高新科技企业，主营业务有宽禁带半导体晶体生长装备、金刚石与碳化硅SiC晶体工艺及解决方案。

博涛热工：

SiC装备项目投资3亿

4月7日，据成华区融媒体中心透露，江苏博涛智能热工股份有限公司正式在成华区注册全资子公司——成都博涛创芯科技有限公司，总投资约3亿元，将在成华经开区建设集总部研发、装备制造、集成应用、销售结算、技术支持等于一体的博涛智能高端热工装备西南制造基地。

该公司相关负责人表示，博涛智能高端热工装备西南制造基地的主要建设内容为研发中心及工业厂房，主要产品是泛半导体高温制程解决方案及其配套装备，包括平板显示用PECVD装备、太阳能电池用PECVD/ALD装备、硅基与碳化硅晶体生长炉装备等，预计在今年内启动建设，2027年正式投入生产。

“行家说三代半”发现，博涛热工主要从事热工解决方案及其配套装备的研发和销售，是国家级专精特新“小巨人”企业，作为工业窑炉及配套设备行业的龙头企业，在行业内形成了较高的市场地位。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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