超4.6亿!该8英寸SiC工厂动工建设

2024-11-28

插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、悉智科技、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请扫下方二维码↓↓↓

近日,国内外4个SiC相关项目传建设进展:

● 晶能:车规级Si/SiC半导体封测基地项目二期开工,计划于2026年竣工投产。

● Vishay:从安世半导体中收购的Newport 8英寸晶圆厂开启一阶段建设,初始投资4.65亿人民币。

● 银芯微:IGBT/SiC功率模块代工厂正式开业,预计月产能可达20万只。

● 晶驰机电:半导体材料装备研发生产项目投产,产品包括碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备等。

晶能:

半导体封测基地项目二期开工

11月26日,据温岭日报消息,近日,由浙江温岭新城开发区负责建设的半导体孵化园项目暨晶能微电子车规级半导体封测基地二期项目正式开工。

报道称,2023年5月,温岭新城开发区与浙江晶能微电子有限公司成功签约车规级半导体封测基地项目。项目分两期建设,其中一期扩建项目主要建设一条车规级Si/SiC器件先进封装生产线,已于今年7月正式投产,预计年产值将突破2亿元。

二期项目位于将新建一栋生产性用房、一栋生活服务用房及辅助用房等,主要用于车规级功率器件系列产品的研发、生产、销售,同时将一期生产线整体迁入新建厂房,计划于2026年竣工投产。据温岭新城开发区相关负责人介绍,目前,二期整体工程已顺利进入桩基施工阶段。

晶能为吉利集团旗下子公司,10月25日,晶能正式完成5亿元B轮融资,并即将开展股份制改造,切实推动各项业务高质量发展。

值得一提的是,晶能将在12月11日-12日出席在深圳举办的“2024行家说三代半年会”,向业界公布他们在碳化硅领域的最新进展。

此外,还有合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、芯联集成、意法半导体、平湖实验室、纳微半导体、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及悉智科技等企业将联袂出席并带来重磅主题演讲,报名请扫描下方二维码!

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Vishay:

Newport晶圆厂开始建设

11月26日,据外媒报道,威世集团(Vishay)正在推进其位于英国南威尔士纽波特的8英寸SiC工厂的建设,项目初始投资5100万英镑(约4.65亿人民币)。

据“行家说三代半”此前报道,Vishay于2023年11月以1.77亿美元(约合人民币12.88亿元)现金收购了安世半导体的8英寸硅基晶圆厂(Newport晶圆厂),用于改造为8英寸车规级碳化硅和氮化镓生产基地,推进SiC MOSFET的商业化进程。

目前,Vishay已确认初步投资5100万英镑用于Newport工厂的一阶段建设,这笔资金包含了来自威尔士政府提供的500万英镑;未来,Vishay将长期计划将向该厂注资 10 亿英镑(超91亿人民币),以加快车规SiC/GaN规模化制造计划。

银芯微:

IGBT/SiC功率模块代工厂正式开业

11月25日,据上海陆芯官微消息,常州银芯微功率半导体有限公司在常州新北区的新模块代工厂正式开业。

据介绍,银芯微功率模块制造工厂核心业务聚焦于IGBT功率模块和碳化硅功率模块的研发与生产,涵盖多种类型的(包括但不限于34mm/48mm/62mm半桥、PM、EconoDual、HPI、HPD等)IGBT模块的封装。工厂规划占地面积约为4000平方米,预计月产能可达20万只。

资料显示,银芯微成立于2024年7月,由银河微电、上海陆芯共同持股,持股比例分别为63.08%、36.92%。其中银河微电产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件等领域。

晶驰机电:

半导体材料装备研发生产项目投产

据“平湖新埭”官微消息,11月26日上午,晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产仪式在嘉兴平湖新埭镇举行。

资料显示,晶驰机电(嘉兴)有限公司成立于2023年,目前公司产品包括6英寸水平进气和8英寸垂直进气碳化硅外延设备(LPCVD法),金刚石晶体生长设备(MPCVD法),氮化铝晶体生长设备,碳化硅源粉合成炉,碳化硅晶体生长设备(PVT法),氧化镓单晶生长炉(导模法、CZ法),各种晶体和晶片热处理炉。达产后预计实现年产值1.4亿元。

据“行家说三代半”此前报道,晶驰机电在河北石家庄也建有一个半导体材料研发生产项目,并于11月初投产——

该项目以金刚石设备与碳化硅外延设备为产品核心,专注于第三代和第四代半导体材料装备的研发、生产。项目建成后,将把三代、四代半导体设备与材料的上下游产业链引入石家庄正定县。

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