天岳先进公布12英寸SiC衬底！
今日，天岳先进在官微透露，他们近期携带全系列碳化硅衬底产品参加2024德国慕尼黑半导体展览会，并在会上隆重发布了业内首款300mm碳化硅衬底产品。
据悉，300mm碳化硅衬底材料不仅能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量，还能在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
天岳先进表示，300mm碳化硅衬底材料的发布，标志着他们正式迈入超大尺寸碳化硅衬底的新时代，未来，他们将通过增加300mm碳化硅衬底产品，打造了更多差异化的产品系列，并在产品品质、性能等方面满足客户多样化的需求。
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值得注意的是，除了天岳先进之外，国内还有一家企业实现了12英寸碳化硅材料的突破。
据“行家说三代半”此前报道，今年3月，博雅新材在semicon展会上首次展示了12英寸的SiC晶锭，该企业是国内少数同时拥有气相法(PVT法)和液相法(TSSG法)生产SiC单品衬底材料的企业，已成功量产4英寸、6英寸、8英寸SiC产品。
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