新增一8吋SiC玩家，年底送样！

前2日，日本Oxide宣布了将在2025年初送样8吋SiC产品（.点这里.）；而“行家说三代半”发现，中国台湾也有新的SiC市场参与者宣布，他们最早可能在今年内就能提供8英寸产品的样品。

台湾应用晶体：

最快年底送样8吋SiC

9月5日，据台媒报道，台湾大立光电集团控股子公司台湾应用晶体（台应晶），近日宣布在碳化硅晶体生长及衬底生产技术上取得了重大突破，实现了从设备设计到整体生产流程的完全自主研发，6/8吋产品即将送样。

台应晶总经理林谓昌表示，公司6吋碳化硅产品预计10月送样，12月底至明年1月送样8吋产品；在6吋及8吋SiC衬底产品正式量产后，台应晶还将发力SiC外延环节，将于2026年量产。

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资料显示，台应晶成立于2012年，此前专注于设计与制造CGS系统，产品广泛应用于医学成像、固态激光器及激光照明等高端领域的晶体生长；2023年7月，台应晶与台湾国立中山大学晶体研究中心及其所属集团正式签订了5年5千万元新台币（约1097万人民币）的SiC技术转移合同，正式跨入第三代半导体领域。

据台应晶官微披露，国立中山大学在是台湾唯一能够生长碳化硅的实验室，已于2023年3月已经成功生长出6英寸的碳化硅晶锭。未来5年，双方将在6英寸、8英寸大尺寸的导电型与半绝缘型4H、6H碳化硅单晶方面进行合作。

在取得了SiC相关转让技术后，台应晶紧接着宣布获得了光学大厂大立光电集团的投资，大立光持股逾70%，是该公司最大法人股东。

全球8吋SiC玩家达33家

《季报Q3》即将推送

第三季度以来，“行家说三代半”也报道了多个8吋SiC突破进展；日前，行家说产研中心正在编制《季度内参——第三代半导体与新能源汽车（2024Q3）》，其中对相关动态进行了详细汇总。这份《季报Q3》即将发布，扫描下方二维码抢先订阅↓↓↓

● 上海汉虹：8月30日，上海汉虹官微宣布，他们在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。

● 日本碍子：9月17日，日本碍子株式会社（NGK Insulators）在官网宣布，他们已完成了8英寸SiC的制备，将在ICSCRM2024国际会议中首次展出。此外，他们还开发了一种能够在多片SiC籽晶上同时进行晶体生长的新方法，并进行了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长9个晶体的生长实验。

● 日本Oxide：10 月 9 日，Oxide和JS foundry共同宣布，他们已经达成了初步合作，正致力于将溶液法碳化硅衬底的商业化。Oxide还宣布将成立一家全资子公司“Oxide Power Crystal”，并计划在2025年2月末之前开始8英寸碳化硅产品送样。

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