目标8英寸SiC!这两家企业宣布联手
2024-09-25
就在刚刚,Soitec和Resonac宣布达成8英寸复合型SiC合作开发协议——
9月24日下午,Resonac(原昭和电工)官网宣布,他们与Soitec签订了联合开发协议,双方将共同开发8英寸SiC——Resonac将在8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术,最终提高8英寸碳化硅外延的生产效率,并实现碳化硅外延片业务供应链的多样化。
目前,Resonac正在积极扩径,其8吋SiC外延片已开始向客户送样。为确保SiC衬底产能供应,Resonac最近也宣布了扩产——
9月12日,Resonac在日本山形县东根市工厂内新建了一条专门生产SiC衬底的产线,并举行了开工仪式,该项目预计2025年第三季度竣工。
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Soitec表示,通过Smart Cut™技术制造的SmartSiC™衬底,具有非常高的质量,能够优化器件良率。SmartCut™工艺可提高碳化硅单晶衬底的重复利用率,实现高水平的导电性和导热性。其研究表明,SmartCut SiC可将碳化硅衬底的电阻率降低至少4倍,电阻率的显著降低可以使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。
除Resonac外,Soitec还与意法半导体等多家企业合作,推进SmartSiC™技术的量产:
● 2022年,意法半导体就曾与Soitec达成合作,以验证8吋复合型SiC衬底,并表示有望在中期实现量产。
● 今年5月23日,X-FAB和Soitec共同宣布,双方在经过评估阶段后正式达成合作,Soite将为X-FAB位于德克萨斯州拉伯克的工厂供应SmartSiC晶圆,用于生产碳化硅功率器件。
同期,Soitec还宣布与东海炭素建立了战略合作伙伴关系,东洋炭素将利用其在多晶碳化硅(polySiC)方面的技术和制造能力去配合Soitec SmartSiC™的生产,以加强 SmartSiC 生态系统。
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