2个SiC项目将扩产，8吋产能超13万片
“行家说三代半”近日获悉，国内又有2家SiC企业扩产进度更新：
● 天科合达：SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批，目标年产37.1万片。
● 纳设智能：SiC外延设备生产基地项目已进入拟批准公示阶段。
天科合达：
SiC衬底产业化基地二期
8月13日，据“北京市生态环境局”披露，北京天科合达半导体股份有限公司的SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批。
报告书显示，天科合达计划在北京市大兴新城东南片区建设第三代半导体碳化硅衬底产业化基地的二期工程，该项目是北京市重点支持的高新技术产业项目之一。
具体来看，天科合达此次扩建地块选中现有工程空地；项目总占地面积52790.032m²，总建筑面积105913.29m²，建设包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
据“行家说三代半”此前报道，天科合达现有的碳化硅衬底产业化基地建设项目于2020年6月取得北京市生态环境局的环评批复，2022年11月完成了竣工环境保护自主验收。该项目建设了1条碳化硅晶片生产线，年产6英寸碳化硅衬底15万片。
此次扩产旨在进一步扩大碳化硅衬底的生产能力，以满足市场对高性能半导体材料的需求，产品将主要应用于新能源汽车、5G通信、航空航天等领域。
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纳设智能：
SiC外延设备生产基地
8月12日，南通高新区发布了关于纳设智能装备（江苏）有限公司生产基地工程项目的拟批准公示，纳设智能位于南通市南通高新技术产业开发区双福路126号半导体光电产业园N2栋1F、4F的厂房获得环评审批。
环评信息显示，该项目总投资6000万元，通过购置超声波清洗机、电加热烤箱、光学装配平台、氦检仪、CV测试仪等生产设备进行CVD外延设备生产，项目建成后，预计形成年产R02型号CVD外延设备230台、R04型号CVD外延设备220台的生产能力。
纳设智能成立于2018年10月，致力于第三代半导体、碳纳米材料等先进材料制造装备的研发及产业化。目前纳设智能6英寸的碳化硅外延设备已批量出货给多家外延客户，同时研发并交付了8英寸碳化硅外延设备，本次项目建成将助力纳设智能提升产能，确保产品的高质交付。
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