英飞凌8吋SiC厂正式落成，将追加390亿投资

今天，英飞凌的8吋SiC晶圆厂正式启用。

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居林3号工厂航拍 来源：英飞凌

8月8日上午，英飞凌正式启用马来西亚居林新SiC晶圆厂的一期工程，并为该晶圆厂举行了落成典礼。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck、马来西亚首相拿督斯里安瓦尔等出席了揭牌仪式。

Jochen Hanebeck（右三）、拿督斯里安瓦尔（右四 ）

在落成典礼上，拿督斯里安瓦尔为新晶圆厂主持揭幕，并宣布该工厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体工厂。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck致辞表示，居林3号工厂一期投资金额为20亿欧元（合计约144亿人民币）；在未来五年内，英飞凌将再投入多达50亿欧元（约391亿人民币）进行马来西亚居林第三厂区的二期建设，届时2期项目将在马来西亚创造4000个工作岗位。

新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。

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据英飞凌2024财年第三季度透露，目前，居林3号工厂的扩建工作已成功获得10亿欧元资金支持，这主要得益于多家汽车主机厂和工业客户预付的设计订单。

随着居林3号工厂的正式开业，英飞凌将进一步履行其在推动功率电子和电动汽车领域技术创新方面的承诺。

除了居林3号工厂外，英飞凌还投资改造奥地利的菲拉赫生产基地，也将致力于8英寸SiC/GaN的生产。

据了解，英飞凌目前正在持续推进奥地利菲拉赫的硅晶圆工厂进行改造，计划将6英寸和8英寸的硅晶圆生产线转变为碳化硅和氮化镓器件的生产线。

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