新增3个SiC项目，已获11+亿资助
近期，欧盟、韩国均宣布拨款加码SiC产业化，资助金额合计超11亿人民币，法雷奥、贺利氏、SK siltron及DB Hitech等多家企业均已加入到这些资助项目中，详情请往下看。
欧盟资助FastLane项目
法雷奥、贺利氏已加入
6月24日，据多家外媒报道，欧盟出资2300万欧元（约1.79亿人民币）资助了一个名为FastLane的半导体项目，该项目旨在改变欧洲碳化硅电子电力产品的价值链，助力欧洲实现SiC技术可持续发展。
报道披露，该项目总投资预算为9600万欧元（约7.5亿人民币），其中包括欧盟2300万欧元的资助资金，项目建设为期36个月，从2024年5月1日至2027年4月30日。
项目由法雷奥法国公司牵头，还汇集了贺利氏等29家半导体企业，其中贺利氏将专注于开发用于无贵金属金属化活性金属钎焊（AMB）基板和铝散热器的新型银烧结材料。
FastLane项目计划在欧洲建立从SiC粉料到衬底制造的技术支撑，以促进新型智能半导体器件、智能功率模块和功率转换器的开发，最终拓宽基于碳化硅技术的应用领域。
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韩国2大投资计划
推进8吋SiC等进程
韩国近期也在加大投资，吸引多家SiC相关企业形成强大的联盟，共同推动SiC技术在电力电子领域的应用。
● 釜山建立8英寸SiC功率半导体示范基地
6月25日，韩国贸易、工业和能源部宣布，将启动“第二材料、零部件和设备专业复杂试验台建设项目”投资计划——将在未来五年内实施，总投资 1000 亿韩元（约5.22亿人民币）资助五个园区，其中包括釜山8英寸SiC功率半导体批量工艺试验台建设项目。
具体来看，该项目将在三至五年内获得总额为 415 亿韩元（约2.17亿人民币）的政府资助，其中200 亿韩元将投资于试验台建设（设备），200 亿韩元将投资于研究与开发，以建立8英寸SiC等化合物功率半导体供应链，15亿韩元将投资于人力资源培训。
● 韩国KITIE推进 "化合物功率半导体先进技术开发项目"
6月26日，据韩媒报道，韩国产业技术规划和评估研究院（KITIE）将投资1385 亿韩元（约7.23亿人民币），从今年直至2028年期间，支持推进"化合物功率半导体先进技术开发项目"，包括SiC及GaN的产品技术开发。
6月20日，KITIE已与SK Siltron（材料）、Above Semiconductor（设计）、DB Hi-Tech（制造）以及韩国半导体研究协会签署了业务合作谅解备忘录，共同积极打造化合物功率半导体生态链。
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