量芯微GaNPower-1200V氮化镓动态性能实现重大突破
量芯微GaNPower(www.iganpower.cn)额定1200V/20A(70mR)的器件，在125℃、f=333KHz、Vbus=1200V、Vgs=+12V的条件下，电流突破20A。
横向GaN实现高压，瓶颈之一是衬底漏电，对于硅基氮化镓尤其如此。在1200V及以上，由于p型掺杂更易漏电，所以实现高压更具挑战性。量芯微GaNPower是第一个克服漏电并实现硅基氮化镓1500V 击穿电压的厂商[1]。
横向GaN实现高压，另一瓶颈是动态电阻跳变，特别在电压超过700V后会突然上升，此情况在大电流、高频率时尤其糟糕。在高压关态和低压通态时的电阻称为动态电阻。对于横向GaN，其动态电阻会随电压、频率和电流的增加而增加。一个好的功率器件，其动态电阻理应接近静态电阻。量芯微GaNPower是第一个在高频、高压下实现稳定动态电阻的厂商。
图1 动态电阻突变的物理原因
加入氮化镓大佬群，请加微信：hangjiashuo999
横向GaN由生长在衬底的外延层 GaN/AlGaN 组成。各外延层之间会不可避免的产生缺陷。当关态电压高时这些缺陷会被高电场激活而形成等效栅极（Virtual Gate）。被陷阱捕获的电荷限制了沟道的完全打开，此部分未完全打开的沟道即是动态电阻突变的来源。
1200V硅基氮化镓发明后，量芯微GaNPower经历了几代技术升级。最新的产品使用 All GaN 技术（已申请专利）实现1200V的重大突破。
图2 静态耐压在0-1400V之间的Id-Vds曲线
图3 双脉冲实验的实验环境、测试条件
图4 测试相关数据
图5 测试波形
索样请联系：程喆16651199555（微信同号）
[1]US patent 11,107,755 B2, Li et al,"Packging for lateral High Voltage GaN Power Devices."
关于苏州量芯微电子有限公司
苏州量芯微电子有限公司（GaNPower）位于中国苏州，量芯微GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的650V、900V和1200V增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。
·END·
转发，点赞，在看，安排一下
其他人都在看：
总投资超62亿！再添一座8吋SiC工厂
合计投资超7亿！3个SiC项目传新进展
三安出席上海碳化硅大会，以SiC IDM模式助力新能源
喜欢此内容的人还喜欢 不喜欢
不喜欢
不喜欢
行家说三代半 向上滑动看下一个
人划线
,选择留言身份
