冲刺万亿美元订单，英伟达800VDC生态链亮相
3月16日，2026英伟达GTC大会拉开帷幕。在这场由英伟达主办的全球顶级AI盛会中，黄仁勋不仅抛出多个重磅信息，还进一步透露其800VDC数据中心的建设进展：
AI业务进展：推出下一代Vera Rubin芯片及Kyber机架，单柜功率将突破350kW，预计到2027年来自GPU芯片的采购订单总额将达到1万亿美元；
800VDC数据中心进展：英伟达正在积极推动3个800VDC数据中心落地，分别落地美国及中国台湾。
值得关注的是，本次GTC大会集结了近30家电源与半导体企业，涵盖SiC、GaN、服务器电源等核心厂商，并集中展示了800VDC数据中心电源架构的相关技术方案，下文将逐一报道。
英伟达冲刺万亿级订单
三大800VDC数据中心落地
在GTC大会上，黄仁勋发表了长达2个多小时的主题演讲，全程围绕AI基建这一核心主线展开，集中发布了一系列颠覆性创新技术，其中下一代GPU芯片及全新机架架构的亮相，迅速成为全球科技业界的关注焦点。
最受瞩目的成果之一，便是英伟达正式推出的新一代GPU架构——Vera Rubin平台，其将在2026年下半年正式投入量产。据悉，Vera Rubin芯片单颗功耗达2300W，搭配英伟达NVL72机架方案（单机柜集成72颗GPU）及800V高压直流（HVDC）供电技术，单机柜功耗将提升至240-260kW。
此外，英伟达已明确规划下一代产品路线，预计2028年推出Feynman平台，业内推测其单颗芯片功耗将突破4kW，有望再次刷新GPU性能与功耗的行业上限。
除了GPU更新迭代外，英伟达还同步展示了全新Kyber机架架构方案，进一步突破机柜芯片容量的现有瓶颈。与传统横向排列不同，Kyber架构创新采用垂直放置的计算托架，可将144颗GPU集成于单机柜中。
据悉，Kyber架构将率先应用于英伟达Vera Rubin Ultra平台，预计于2027年下半年上市，并将为2028年基于下一代Feynman GPU芯片的超大规模AI计算系统奠定基础。
值得关注的是，Vera Rubin平台芯片已完成客户样品交付，并与OpenAI、Meta、谷歌、微软等AI厂商及云服务商达成合作，计划在本十年末部署超过5GW的AI处理能力。黄仁勋预计到2026年Rubin GPU的产能将达到 20 万至30万颗，而在2027年，来自Blackwell和Vera Rubin芯片的采购订单总额将达到1万亿美元。
“行家说三代半”认为，英伟达新一代GPU芯片及机架架构的量产落地有着实际性意义。早在2025年10月，英伟达就曾宣布，将与合作伙伴联手打造采用800VDC供电架构的下一代GW级人工智能工厂，这一工厂旨在支持Rubin平台芯片与Kyber机架的大规模应用。
如今，英伟达正在积极推动3个800VDC数据中心落地，分别位于美国西弗吉尼亚州和中国台湾：
美国：3月16日，AI基础设施服务商Nscale与微软签署了一份意向书，将提供1.35GW的AI计算能力，把西弗吉尼亚州园区打造成为NVIDIA下一代 Vera Rubin GPU 的全球旗舰部署地，该园区采用 Vera Rubin NVL72 系统，将从 2027 年底开始分阶段交付，最终建成全球规模最大的专用 AI 计算设施之一。
美国：3月10日，英伟达与Thinking Machines Lab宣布达成一项多年战略合作协议，将在明年初部署至少1GW的下一代 NVIDIA Vera Rubin 系统，以支持 Thinking Machines 的前沿模型训练和平台，从而大规模交付可定制的 AI 解决方案。英伟达还对 Thinking Machines Lab 进行了大量投资，以支持公司的长期发展。
中国台湾：2025年10月，富士康在官网上宣布，公司正在与英伟达合作，推动800V直流电源架构落地人工智能（AI）数据中心。这一新架构将首先在高雄K-1人工智能数据中心项目中实施，其总容量为40MW。
“行家说三代半”发现，为推进800VDC数据中心普及落地，英伟达创始人黄仁勋在大会上宣布两大重磅举措。这些举措以AI工厂部署为核心，将推动800VDC数据中心加速落地，并动谷歌、微软等主流AI厂商及云服务商向这一高压直流架构靠拢。
首先，英伟达将业务重心从销售独立芯片和单机服务器，转向销售完整的“AI工厂”。未来，英伟达将提供全栈AI工厂解决方案，既包括高性能芯片、集成机架等基础设施，还有各类软件及设计方案，以加速AI的大规模化开发和部署。
其次，为助推行业更快实现GW级数据中心部署，英伟达同步发布Vera Rubin DSX AI工厂参考设计和Omniverse DSX数字孪生蓝图等创新工具，为800VDC数据中心落地提供技术支撑。前者概述了AI工厂基础设施堆栈的设计、构建与运行方案，后者则提供了大规模AI工厂设计和运营的开放框架。
这一系列举措，体现了英伟达的战略转型。作为全球首家市值突破4万亿美元的上市公司，它已不满足于“卖显卡”的单一供应商角色，更希望转型为AI产业链的多方位建设者。
随着英伟达硬件及软件设施的不断完善，其产业号召力持续释放，将有力推动OPENAI、META、谷歌、微软等AI厂商及云服务商，加快建设基于800VDC高压直流的数据中心，推动800VDC时代加速到来。
英伟达800VDC产业链盘点
近30家厂商亮相新技术
“行家说三代半”发现，在本届英伟达GTC大会上，主办方集结了众多生态合作伙伴，集中展示了各类前沿技术方案。
针对英伟达800VDC架构这一核心领域，多家电源、半导体企业依托SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）第三代半导体技术，在大会现场重磅发布800VDC电源架构解决方案，覆盖从服务器电源到多级DC-DC转换模块，构建起完整的电力系统生态闭环。
聚焦芯片厂商方面，英飞凌、意法半导体、安森美、德州仪器等国内外功率半导体巨头纷纷发力，基于成熟的SiC、GaN等功率器件技术，扎堆推出适配英伟达800VDC架构的专属电源转换等方案。
英飞凌
3月17日，英飞凌宣布推出两款全新的高压中间总线转换器 (HV IBC) 参考设计，旨在帮助客户加速向采用 +/-400 V 和 800 V 直流 (VDC) 供电的 AI 服务器电源架构转型。这两款参考设计采用英飞凌 650 V CoolGaN™ 开关，适用于两种不同的架构：800 VDC 转 50 V 设计可作为下游 48 V IBC 模块的中间级，而 800 VDC 转 12 V 设计则可直接转换以用于紧凑型服务器主板。
据悉，针对800V 直流供电的电源转换，英飞凌正利用其中间总线变换器 (IBC) 技术和基于氮化镓 (GaN) 的高频开关解决方案，加速开发从电网到核心的三级和两级转换解决方案
此外，在整个服务器机架持续运行的情况下，更换800V 直流总线上的服务器主板需要对主板进行受控的预充电和放电。英飞凌为此提供了碳化硅解决方案。借助 CoolSiC™ JFET 技术，数据中心运营商可以在 800V 直流架构中更换服务器主板，同时保持同一机架内其他服务器的正常运行。
意法半导体
3月17日，意法半导体宣布扩展其800VDC电源转换产品组合，新增两款先进架构：800VDC转12V和800VDC转6V。这两款新型电源转换级结合了ST在功率半导体（硅、SiC、GaN）、模拟和混合信号以及微控制器方面的技术，基于NVIDIA 800VDC参考设计开发，是对此前推出的800VDC转50V解决方案的有力补充。
意法半导体表示，新型 800VDC 至 12V 转换器可实现从机架级电源架到为先进 AI 加速器供电的电压域的高效配电。新的 800VDC 至 6V 转换路径使 OEM 厂商能够减少转换级数，并将 6V 总线更靠近 GPU。这减少了铜材用量，最大限度地降低了电阻损耗，并提高了瞬态性能，这对于大规模训练集群而言至关重要。
早在 2025 年 10 月，意法半导体就推出了一款完全集成的原型电源输送系统，该系统展示了一款紧凑型 GaN 基 LLC 转换器，可在 1 MHz 频率下直接以 800 V 电压运行，效率超过 98%，并且在智能手机大小的体积内具有高功率密度，在 50 V 电压下功率密度超过 2,600 W/in³。
安森美
在GTC 大会，安森美主要展示了高性能图像传感器、智能功率半导体和先进的能源管理解决方案。
针对800 伏VDC 电源架构，安森美凭借在硅和碳化硅技术领域的创新积累，可提供业界领先的固态变压器、电源单元、800VDC 配电和核心电源解决方案，所有产品均集成智能监控功能。
值得关注的是，此前安森美已在领英平台上宣布，他们已经成为英伟达全新Vera Rubin NVL144 MGX 机架式平台的芯片合作伙伴，将助力构建更快、更高效、更具扩展性的 AI 基础设施。
德州仪器
3月16日，德州仪器发布了基于NVIDIA 800VDC参考设计的完整800V直流（DC）电源架构，该架构专为下一代AI数据中心打造：
一是800V 热插拔控制器：可扩展的热插拔解决方案，用于 800V 电源轨的输入电源保护。
二是800V 至 6V DC/DC 总线转换器：高密度解决方案，采用集成 GaN 功率级，峰值效率达 97.6%，功率密度 >2000W/in 3，适用于计算托盘应用。
三是6V 至 多相降压转换器：适用于高级 GPU 内核的高电流解决方案，与 12V 设计相比具有更高的功率密度，并具有双相功率级。
除了上述设计外，德州仪器还展示一款用于 AI 服务器的 30kW 800V 高功率密度 AC/DC 电源，以及采用 EDLC 超级电容器、功率密度高达 40W/in³ 的 800V 电容组单元 (CBU)。未来，TI还将推出一款用于计算托架电源转换的 800V 转 12V DC/DC 总线转换器。
罗姆半导体
目前，罗姆半导体已经发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。
据了解，罗姆不仅提供硅功率器件，还提供包括碳化硅和氮化镓等在内的丰富的功率元器件产品群，其中碳化硅器件可用于输出AC-DC 电源单元以及数据中心PSU电源模块，而650V氮化镓器件也可以用于AI服务器电源。
英诺赛科
作为 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem 的合作伙伴，英诺赛科在大会上重点展示了 800V-to-50V 全氮化镓电源模块方案。
该模块位于AI服务器电源系统的关键前级转换环节，采用英诺赛科最新的第三代氮化镓器件（8颗650V GaN 和 32颗100V GaN）,可将 800V高压直流母线电压直接转换为50V服务器标准电压，为后端GPU服务器提供稳定、高效的输入电源。
英诺赛科还表示，在NVIDIA本次现场展示的全套800V HVDC AI数据中心电源解决方案生态中，除了英诺赛科自己展示的方案以外，超过半数NVIDIA合作伙伴的电源系统方案，均以英诺赛科氮化镓器件为核心构建。
纳微半导体
纳微半导体在GTC展会上宣布推出最新的基于 GaNFast™ 技术的 DC-DC 电源传输板 (PDB)，该板可在单级功率传输中实现 800 V 至 6 V 的直接转换。这一突破性解决方案省去了计算服务器托架内传统的 48 V 中间总线转换器 (IBC) 级，从而最大限度地提高了系统效率、可靠性。
据了解，纳微半导体的800V 至 6V DC-DC 电源分配板 (PDB) 旨在以 1MHz 的开关频率实现满载时高达 96.5% 的峰值效率，从而实现 2100W/in³ 的功率密度，其厚度比手机薄约20%，超薄设计使其能够与 GPU 板紧密集成，最大限度地提高瞬态性能并增强电源分配效率。
PI
作为已实现量产1250V和1700V高压GaN开关的重点供应商，PI正与NVIDIA合作，加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
PI表示，1250V 和 1700V 的 PowiGaN 器件是主电源和辅助电源的理想选择，能够提供 800V 直流数据中心所需的效率、可靠性和功率密度。目前，他们已经推出InnoMux™2-EP IC，它是适用于800VDC数据中心辅助电源的解决方案，内部集成1700V PowiGaN开关支持1000VDC输入电压，其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中可为12V系统提供超过90.3%的效率。
瑞萨电子
作为全球半导体解决方案供应商，瑞萨电子已宣布支持800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能基础设施发展。
据悉，瑞萨基于GaN的电源解决方案=支持高效且密集的DC/DC电源转换，工作电压范围覆盖48V至400V，并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器（LLC DCX）拓扑结构，可实现高达98%的转换效率。
在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并提升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单（BOM）提供了有力补充。
AOS
针对800VDC架构，AOS提供碳化硅、氮化镓、功率 MOSFET 及电源IC解决方案。目前AOS 已经开发出1200VSiC 器件，以及650V和100VGaN器件，并提供多种封装选项，并针对 800VDC 系统进行了优化。
其中碳化硅器件适用于边柜供电方案（Sidecar 方案）以及固态变压器方案。在机柜内部，AOS 提供650V及100V氮化镓器件，可为800V直流电至 GPU 所需低压的 高密度转换提供关键技术支撑。
此外，AOS的80V、100V堆叠式MOSFET与100V氮化镓器件采用共用封装设计，使设计人员能在 LLC 拓扑次级侧及 54V-12V 总线变换器中灵活权衡成本与能效。
ADI
ADI 的解决方案涵盖机架级热插拔保护到智能高压转换等多个方面，助力向 800VDC 架构转型。这些解决方案具备强大的稳健性和高效的性能，以满足严苛的 AI 工作负载需求。
具体来看，ADI可为800 VDC架构提供高可靠性热插拔控制器与一级电源转换产品。其中，一级电源转换产品用于800V电源转换GPU供电环节，在高负载工况下，转换效率可达98%以上。
EPC
未来的AI工厂数据中心将需要兆瓦级机架式电源输送系统。为了应对这一挑战，EPC开发了一种基于输入串输出并联（ISOP）拓扑结构的低成本、低剖面GaN基6kW 800V至12.5V转换器。
据悉，这一方案可以高效地将 800 V直流电转换为靠近GPU负载的12.5 V直流电，从而降低母线损耗并提高系统级效率，并实现了未来 AI 数据中心所需的可扩展性、简易性和能源优化。
聚焦电源厂商方面，台达电子、光宝科技、麦格米特、Flex、BizLink等头部企业同步亮相，围绕英伟达800VDC架构推出新一代基础设施解决方案。
台达电子
台达电子在NVIDIA GTC 2026 大会上展示其最新的节能电源、液冷和微电网解决方案，这些解决方案专为下一代 AI 工厂的 800VDC 架构而设计。
一是800VDC并排式660kW电源机架，每个机架层板均配备嵌入式80kW电池备用单元（BBU）（总容量480kW），AC-DC转换效率高达98%；
二是两款并排式冷却液分配单元（CDU），冷却能力分别为3000kW和2400kW，其中2400kW采用N+1泵设计，支持800VDC；
三是革命性的微电网解决方案，该方案融合了台达全新开发的固态变压器和固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，以及一体化储能系统。
台达集团董事长兼首席执行官程平表示：“人工智能时代正以前所未有的速度改变着各行各业和商业模式，同时也对数据中心基础设施和能源效率提出了更高的要求。因此，台达集团再次提升了其电力、冷却和基础设施解决方案的能力。”
光宝科技
光宝科技在GTC 2026 大会发布了一系列面向下一代AI数据中心的解决方案。此次展示的方案均基于NVIDIA Vera Rubin平台，包括基于下一代架构的高效电源系统、先进的机架系统以及液冷技术。
重点产品包括800VDC电源机架、110kW电源架、基于NVIDIA MGX的液冷系统和机架、2.1MW行内CDU以及电源砖。这些产品旨在加速客户部署兆瓦级AI数据中心，并满足AI时代对计算性能和能源管理日益增长的需求。
目前，光宝科技正在加速开发下一代集成数据中心解决方案，涵盖800VDC、高效电源转换、机械设计和液冷集成等领域。
麦格米特
作为电源和能源解决方案提供商，麦格米特宣布他们正在设计和制造先进的电源解决方案，其中包括面向NVIDIA MGX™架构的800VDC数据中心架构。
目前，MEGMEET已经展示了其专为下一代人工智能工厂的兆瓦级机架供电而设计的800V电源解决方案，该方案支持NVIDIA的800VDC数据中心，旨在实现机架级超过 1 兆瓦的功率输出、高达 5% 的端到端电源效率提升、铜材用量最多可减少 45%。同时将总拥有成本(TCO) 降低高达 30%。Flex3月16日，Flex宣布与NVIDIA合作开发800VDC电源机架，以支持NVIDIA Vera Rubin平台。作为Flex人工智能基础设施平台的一部分，这款800VDC电源机架扩展了他们在全球范围内加速人工智能基础设施部署的产品和服务组合。这款 800V 直流电源机架采用解耦式架构，并配备 Flex 专为 NVIDIA Vera Rubin 平台设计的电源托架。通过将电源产品从 IT 机架中移出，该架构最大限度地释放了计算空间，从而可以更密集地部署更多 GPU。此外，它能使现有数据中心无需进行昂贵的改造即可支持高功率密度、下一代加速计算机架。当与未来的GPU平台配合使用时，该架构可将每个机架的可用计算能力从约125千瓦提升至高达880千瓦。Flex还提供电池备用单元（BBU）和电容备用单元（CBU）作为800伏直流电源机架的增强选项，通过保护关键的AI工作负载免受断电和电网扰动的影响，从而提高系统的弹性。BizLink 今年的展会上，BizLink 展示其在开发关键电源架构组件方面的专业优势，重点介绍其对NVIDIA Vera Rubin 平台的支持，以及业界向下一代人工智能数据800VDC 配电的转型。据了解，BizLink的下一代人工智能数据中心解决方案包括电源鞭、液冷机架母线、机架母线、内部电源组件以及高性能服务器线缆。BizLink高性能计算业务部副总裁Eric Wu表示：“我们非常荣幸能与NVIDIA合作，共同推动AI基础设施的进步。我们全新的电源和散热互连技术经过专门设计，旨在满足未来数据中心对功率密度和散热方面的挑战。”
Lead Wealth
Lead Wealth是一家全球领先的高科技创新产品供应商，集团业务涵盖游戏PC、汽车、人工智能数据中心、机器人等多元化市场领域。其中在数据中心业务，Lead Wealth可提供高压直流输电解决方案、电源架、UPS等产品，并采用MOS 和 SiC 器件实现小型化和高效率。
2025年10月，Lead Wealth宣布将利用其垂直整合的能力——涵盖电源转换、冷却系统、电池技术和精密制造——与 NVIDIA 合作开发 Lead Wealth 的 800V 直流电源解决方案，该解决方案将支持 AI 基础设施中的 800V 直流电源架构：最大限度地减少空间限制、减少铜过载并提高电源转换效率。
聚焦数据中心电力系统方面，维谛技术、三菱电机、施耐德电气、西门子、日立能源、ABB、伊顿、GE Vernova、Heron Power等巨头深度入局，从顶层架构、配电方案到数字孪生仿真，全方位夯实800VDC AI工厂的底层基建。
维谛技术
在NVIDIA GTC 2026 大会上，维谛技术展示支持可扩展、AI 就绪型基础设施的系统级解决方案，包括从电网到芯片的可扩展电源和从芯片到热量再利用的散热方案。
2025年10月，维谛技术宣布与NVIDIA 合作加速下一代 AI 工厂建设，并详细介绍了其800VDC 电源架构的设计成熟度。按照计划，他们将在2026 年下半年发布800VDC 电源产品组合，以支持 NVIDIA Rubin Ultra 平台在 2027 年的推出。
据了解，维谛技术已积极参与多个大型人工智能工厂项目的早期设计阶段，其 800VDC 参考架构是这些项目的设计基础，并已根据实际千兆瓦级需求进行了扩展。
三菱电机
在NVIDIA GTC 2026 大会上，三菱电机重点展示其数据中心解决方案，包括展出和演示高效的现场发电、高效冷却解决方案和下一代配电系统。
据了解，三菱电机旗下MEPPI CPSD 已与 NVIDIA 合作，利用在直流配电技术方面的成熟专业知识，正在研发集中式整流器和直流兼容储能系统，旨在为全球计算基础设施提供安全、高效、高性能的 800VDC 电源。
随着向800 VDC 迈进，并深化与 NVIDIA 的合作，MEPPI 将继续投资研发，以提供满足客户最迫切需求的解决方案——大规模的安全、可靠性和正常运行时间。
施耐德电气
3月17日，施耐德电气携手NVIDIA和工业软件领导者AVEVA，宣布在设计、仿真、构建、运营和维护下一代AI数据中心基础设施方面取得关键进展 。
这些进展包括：全新的NVIDIA Vera Rubin参考设计，用于验证NVIDIA最新机架级架构的电源和冷却性能；将先进的数字孪生功能集成到NVIDIA Omniverse DSX Blueprint及其生态系统中；以及利用NVIDIA Nemotron开放模型对数据中心报警管理服务的智能体AI进行早期测试 。
其中，最新 发布的AI参考设计是首批专为 NVIDIA Vera Rubin NVL72机架打造的设计之一。该参考设计经过验证，涵盖电源和散热，并与施耐德电气的控制参考设计集成 。更重要的是，该设计满足了NVIDIA最新机架级系统的重要基础设施需求,支持采用更高供电电压（480 VAC）的新型配电方式
施耐德电气表示，以上措施进一步加强了施耐德电气和英伟达现有的合作，并为开发面向千兆瓦级规模和效率的人工智能工厂奠定了全面的基础。
西门子
3月17日，西门子发布了一套全新的 AI 数据中心参考架构，该架构与NVIDIA Omniverse DSX 蓝图集成，旨在满足新一代专为 AI 而构建的基础设施的迫切需求。
基于此前与NVIDIA共同开发的 100 兆瓦超大规模 AI 数据中心蓝图，西门子新一代 DSX 对齐参考设计针对 NVIDIA GPU 系列量身定制，并以可直接用于仿真的资产形式交付。
此外，西门子Rubin DSX的IEC AI蓝图和西门子Rubin DSX的UL AI蓝图，将中低压电力、自动化和基于物理的数字孪生技术集成到端到端的蓝图中。通过直接集成到NVIDIA Omniverse DSX蓝图中，西门子实现了吉瓦级的极致协同设计，显著加快了构建速度，并为运营商提供了一条更清晰、更快捷的路径，从概念到上线运行，并确保性能可预测且经过仿真验证。
日立能源
3月17日，日立能源发布了其800 伏直流 (800 VDC)电源和控制架构，该架构已完全集成到 Vera Rubin DSX 参考设计中，并且与 NVIDIA Omniverse DSX Blueprint 兼容，以支持未来 NVIDIA 在千兆瓦级 AI 工厂中的机架设计。
日立能源表示，该电源解决方案设计可在各种运行场景下，为800VDC 机架提供稳定、持续的电力供应，同时保持电网合规性，旨在将高效可靠的直流电源输送系统推向市场。预计到2030年，快速增长的人工智能工作负载将使电力需求增加至125吉瓦，从而推动电力系统的大规模扩容和现代化改造。
ABB
2025年10月，ABB将与NVIDIA合作，加速开发千兆瓦级下一代数据中心。双方将专注于开发和部署尖端电源解决方案，为未来的人工智能工作负载提供高效、可扩展的电力供应。这些研发项目将支持用于1兆瓦服务器机架的800VDC电源架构。
据悉，ABB面向数据中心的产品组合涵盖智能配电系统、备用电源解决方案、数字化监控以及其他关键技术，旨在确保AI服务器的持续运行并优化能源利用。
近期，ABB还推出多项创新产品助力数据中心行业发展，其中包括全球首款固态中压UPS—— ABB HiPerGuard。HiPerGuard解决方案能够帮助人工智能数据中心在更小的空间内提升功率密度和能源效率。此外，ABB的SACE Infinitus是全球首款获得IEC认证的固态断路器，旨在提供直流配电所需的速度和可控性。
伊顿
3月16日，智能电源管理公司伊顿与英伟达联合发布了全新的Eaton Beam Rubin DSX平台，该平台支持人工智能工厂的端到端基础设施，旨在实现更高水平的速度、效率和可靠性。
据悉，伊顿Beam Rubin DSX全新平台能提供端到端的标准实施方案，助力其在NVIDIA Vera Rubin平台上快速、可重复地部署AI工厂。从电网基础设施到配电，再到芯片级先进冷却，该预制方案可扩展至兆瓦级到数百兆瓦级，并提供完整的AI数据中心电力生态系统。
早在2025年10月，伊顿就宣布推出全新参考架构，旨在加速人工智能 数据中心采用 800VDC 电源。该设计中使用的伊顿产品包括：用于快速循环备用电源的超级电容器；ORV3设计中包含的通过母线实现的配电技术；用于支撑应用中母线槽和电缆桥架的热通道封闭系统；直流连接器等等。
GE Vernova
GE Vernova 与 NVIDIA 携手合作，开发了以 800VDC 电源为核心的千兆级 AI 工厂参考设计，旨在打造更快、更高效、更具可扩展性的 AI 基础设施。
据悉，GE Vernova的新型电源架构由五个主要要素构成：电网基础设施、发电系统、稳定性解决方案、能源管理系统、主电网。其中电网基础设施包括高压至中压变压器、断路器、开关设备以及保护和控制系统，可实现从发电点到人工智能工厂的无缝互连。
此外，GE Vernova与数据中心厂商合作，开发了三种参考设计方案，以指导人工智能工厂的部署：并网型、孤岛型和桥接供电型。这些标准化设计方案可实现更快的部署速度、更高的可扩展性和更强的可靠性，从而确保满足人工智能工作负载的严苛要求。
Heron Power
Heron Power在展会上主要展示了其固态变压器技术。针对800VDC数据中心应用，Heron Power推出一款模块化中压固态变压器——Heron Link。
Heron Link提供 34.5kV 交流电到 800V 直流电的转换，同时稳定纹波并提供跨流保护，从而取代传统设备（低压变压器、MSB、UPS、PDU、RPP 和 PSU）。该产品集成 SuperBBU，专为加速计算而设计，最终可实现更小的占地面积、更高的效率、可扩展的 800V 机架式架构、更低的总体拥有成本以及卓越的正常运行时间。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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