SiC产业分化加剧，多维度迎来发展拐点
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为士兰微电子器件成品产品线市场总监伏友文、芯合半导体应用总监车湖深。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
SiC&GaN产业迎来分化格局
全面转向 “规模化落地期”
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
士兰微-伏友文：如果要用一个关键词来总结2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，我认为是：“分化”，这个“分化”体现在产业发展的多个层面，既充满了挑战，也孕育着全新的机遇。
1、竞争的“分化”：内卷加剧与洗牌开启。2025年的SiC和GaN市场不再是普涨的蓝海，竞争态势出现了显著的分化：
1）残酷的价格战与生存压力：市场用“太卷了”来形容这一年的竞争态势。特别是在中国，激烈的内部竞争给所有企业带来了巨大的生存压力。
2）企业命运的分化：伴随“内卷”的是行业的加速洗牌。一方面，像英飞凌、士兰微等行业头部领先者，其业绩在2025年实现了较大幅度增长；而另一方面，许多技术或成本控制能力不足的企业则面临被淘汰的风险，行业普遍认为未来3-4年愈发向龙头企业聚拢。
2、技术路线的“分化”：大尺寸与新结构的突破。技术演进在2025年呈现出多点开花的局面，不同技术路线在各自的方向上取得了关键突破：
1）衬底尺寸的竞赛：行业正加速从6英寸向8英寸晶圆过渡，这被视为降低成本的关键路径。同时，中国厂商已成功展示了12英寸SiC衬底样品，虽然不直接用于当前主流器件制造，但预示着未来更长远的成本下降空间。
2）器件结构的创新：除了传统的平面型器件，沟槽型SiC MOSFET因其性能和成本优势，被国内外龙头厂商积极推动量产。在GaN领域，垂直氮化镓技术取得突破，能够应对1200V及以上高压，为GaN打开了新的应用场景。
3、应用市场的“分化”：传统与新兴领域并行。下游应用市场不再是新能源汽车“一家独大”，多元化的需求正在形成：
1）基本盘稳固的新能源汽车：依然是SiC最核心的应用市场，2025年占据了全球SiC器件市场约75%的份额，且随着800V高压平台渗透率越来越高，需求持续旺盛。
2）繁荣爆发的新兴市场：AI数据中心和人形机器人市场成为2025年最令人瞩目的新增长点，为SiC和GaN带来了“第二增长曲线”。AI数据中心的能耗压力带来了对SiC/GaN功率器件和散热材料的巨大需求；人形机器人则因GaN材料卓越的特性，打开了全新的市场增量。
4、产业角色的“分化”：IDM主导与代工新模式。
1）IDM模式的主导地位强化：IDM（垂直整合制造）模式成为SiC产业的主流，尤其是在要求严苛的车规级市场，企业通过内部不断地技术迭代和掌控的晶圆产能来保障研发和供应链安全，主导地位不断强化。
2）代工格局的微妙变化：2025年，台积电宣布将退出GaN代工业务，这被业内解读为中国厂商的机会窗口。与此同时，专业代工（Foundry）虽然在SiC器件营收中占比仍低（仅个位数），但随着新参与者进入和8英寸产线的建设，未来IDM和代工两种产业角色分化竞争。
总的来看，2025年的第三代半导体产业，就像一场在激烈震荡中重新洗牌的比赛。一边是传统优势领域（如新能源汽车）的深化渗透和残酷的价格厮杀，另一边是新技术路线（8英寸、垂直结构）的加速成熟和新应用领域（AI、人形机器人）的潜在预期。这种多维度的“分化”，既考验着企业的短期生存能力，也决定着它们在未来市场格局中的长期定力。
芯合半导体-车湖深：2025年，第三代半导体产业从 “技术验证期” 全面转向 “规模化落地期”，成本下探成为驱动渗透率快速上升、应用场景全面打开的核心引擎，产业到达技术和应用落地的拐点。越来越多的行业应用有意愿使用第三代半导体，付诸实践并落地成功。
大尺寸SiC接连突破
产业生态日趋成熟
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
士兰微-伏友文：2025年底，中国企业在全球范围内实现了12英寸（300mm）碳化硅外延晶片的首发。这不仅是简单的尺寸放大，更意味着产业成本的巨大下降空间——单片12英寸晶圆可承载的芯片数量是6英寸的4.4倍，是8英寸的2.3倍。据悉，其外延层厚度不均匀性小于3%，芯片良率超过96%，为未来功率器件的规模化、低成本应用奠定了坚实的材料基础。
如果说12英寸材料代表了未来的技术高度，那么2025年士兰微等企业多条8英寸SiC产线的集中通线，则代表着中国第三代半导体产业正式具备了与国际巨头同台竞技的“规模化制造能力”。8英寸SiC产线的国产化“通线潮”无疑是2025年整个第三代半导体产业最具标志性、最具产业意义的里程碑事件。这不再是实验室的样品，而是可以大规模量产、能真正打入汽车等高端供应链的“武器”。
攻克万伏级高压芯核心器件的突破也是可圈可点。据报道，浙江大学团队成功研发出10 kV（万伏级）碳化硅MOSFET器件，单芯片通流能力和制造良率均达到国际最高水平。这一突破的意义在于，以往需要多颗低压器件串联才能实现的高压场景，现在仅需单颗芯片即可完成，极大地简化了系统设计。该技术未来将直接支撑直流断路器、固态变压器等应用，为我国新型电力系统和能源清洁低碳转型提供核心部。
芯合半导体-车湖深：2025年第三代半导体产业飞速发展，可以观测到一些模式上、体系上的进步和成绩：
① 应用开发迭代升级：从“卖器件”转型“交方案”。过去，行业多以单纯售卖器件为核心模式，难以解决客户实际应用中的各类难题，合作粘性与客户信任度始终受限。2025 年第三代半导体企业在应用开发团队组建上初显成效，依托对行业应用的深度研究，完成从“卖器件”到“交方案”的核心转型，为客户打造一站式功率解决方案，构建起全流程闭环服务体系。第三代半导体企业的竞争，从芯片设计、晶圆流片、器件封装拓展到应用方案、技术服务。
② 8英寸量产落地：从“概念畅想”转向“现实降本”。长期以来，成本问题一直是SiC规模化应用的核心阻碍，8英寸SiC量产也一度停留在概念层面。2025年整个行业经过技术攻坚与产线优化，国内有数条8英寸SiC产线通线，如今我们实现8英寸SiC产线规模化产出，让“降本增效”从口号变成现实。
③ 应用边界持续拓展：跳出单一赛道，多领域同步爆发增长。以往我们的 SiC 应用多聚焦于汽车领域，发展模式相对单一，抗风险能力较弱。随着技术成熟与市场需求升级，如今 SiC 应用边界全面扩大，实现汽车、工业、新能源多领域同步爆发，构建起多元化增长格局。
目前，光伏逆变器、储能 PCS、工控电源、服务器电源等核心领域，已大批量导入SiC 器件，市场需求持续攀升。这种多场景布局的模式，让我们不再单一押注汽车行业，有效分散了市场风险，打造出多个业绩增长点。同时，我们依托同一器件平台，实现产品跨场景复用，大幅提升研发效率，降低研发成本，真正实现“一次研发、多场景落地”的高效发展模式。
④ 产业生态日趋成熟：全链条协同发力，共填行业发展“深坑”。SiC产业的高质量发展，从来不是单打独斗，而是全产业链的协同共进。经过行业同仁的共同努力，如今 SiC 产业生态逐步成熟完善，以往制约行业发展的各类难题，都在产业链协同下逐一破解。
当下，驱动芯片、封装、测试、设备、材料等核心配套环节全部成熟，构建起完整的产业配套体系。行业发展模式从以往的各自为战，转变为材料—器件—模块—整车—设备全链条协同迭代，各方资源互通、优势互补，合力攻克技术难题、优化产品性能。同时，行业标准、认证体系、测试方法逐步统一，大幅降低了上下游沟通成本，让产业发展更高效、更顺畅，为SiC行业的长期稳健发展筑牢了生态根基。
机遇与挑战空前交织
生态建设步伐加快
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
士兰微-伏友文：在经历了2025年的集中突破与繁荣之后，站在2026年回望，中国第三代半导体产业正处在一个机遇与挑战空前交织的关键节点。一方面，国内企业在8英寸产线、12英寸材料上高歌猛进；另一方面，产业深水区的固有矛盾与快速扩张带来的新问题正集中显现。如何正视这些“成长的烦恼”，并找到突破路径，决定了国内企业能否从“并跑”真正迈向“领跑”。
当前行业面临的主要问题，可以归结为以下几个维度的核心矛盾：
1、残酷的价格战与盈利困境：
随着2025年多条8英寸产线通线，产能集中释放引发了激烈的价格战，这直接冲击了企业盈利能力，如何在“放量”与“盈利”之间找到平衡，是所有厂商的生存考验。
2、高端材料设备与供应链发展：
在衬底的晶体生长控制、缺陷密度优化等核心指标上，国内企业与国际龙头仍有差距，高端MOCVD设备、用于长晶的特种石墨等高纯耗材，对进口依赖度依然较高。碳化硅材料极硬，要实现像硅一样精细的刻蚀（小线宽）难度极高，相关设备尚处起步摸索阶段。这也限制了我们国内企业在最先进、最复杂器件领域的竞争力。
3、应用市场拓展较慢：
车规认证壁垒高：车规级认证（如AEC-Q101）周期长、标准严苛，国内GaN器件在汽车核心应用上仍处验证阶段，尚未大规模量产。
新兴应用落地慢：资本市场对SiC在AI芯片中的应用充满期待，但产业界普遍认为，产业链大量使用国产，这将是需3-5年甚至更长时间的“持久战”。
总而言之，第三代半导体产业的竞争已从单一的技术性能比拼，升级为覆盖“材料-器件-应用-标准-循环”的全生态战略博弈。对于中国企业而言，既要正视眼前的成本与盈利压力，也要在新一代材料、工艺技术、异质集成等前沿领域保持战略定力，方能在这场全球竞赛中占据主动。
芯合半导体-车湖深：当前第三代半导体行业面临的最突出难题，依旧是成本管控与生态构建两大关键瓶颈，这也是制约产业规模化普及的核心堵点。
一方面是成本劣势尚未彻底扭转。尽管近年来行业通过技术迭代、产线升级实现了大幅降本增效，但相较于历经数十年规模化发展的硅基产品，第三代半导体单器件成本仍处于相对劣势，价格门槛始终存在。这也直接导致相关技术与产品难以快速渗透，无法在各下游行业实现大面积推广应用，规模化普及进程受阻。
另一方面是应用生态仍显薄弱、亟待完善。硅基产品依托数十年市场沉淀，搭建起了成熟完备的应用生态体系；而第三代半导体产业尚处发展期，即便行业内多数工程师对其性能优势认可度高、应用期许强烈，但依旧面临应用试错成本偏高、项目落地周期偏长、专业应用型人才紧缺等现实问题，整体应用生态脆弱，难以快速适配下游多元化、大批量的应用需求。
立足行业近况来看，破局之路已然开启。过去一年，业内各家企业纷纷加码布局应用端，大力扩充应用开发团队，深耕驱动方案、场景化应用方案研发，同时组建专业化 FAE 技术团队，全力补齐生态短板，提速第三代半导体应用生态建设步伐，产业生态优化成效逐步显现。
放眼未来，生态成熟的节奏将持续加快。后续 SiC、GaN专用配套驱动芯片将迎来规模化落地，这类专用芯片的研发与普及，能够大幅降低应用生态搭建成本，有效压缩行业应用生态成熟周期，助力第三代半导体彻底打破生态桎梏，实现全场景、大批量的落地应用。
SiC&GaN规模化进程加速
产业底层根基不断夯实
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
士兰微-伏友文：我会用“规模化”这个关键词，展望未来 5 年（2026–2030）第三代半导体（SiC/GaN）的发展。
1、为什么是 “规模化”？
未来 5 年，国产第三代半导体将从技术验证、小批量试点，全面进入大规模量产、全场景渗透、成本快速下探、产业生态成熟的阶段。 这是行业从“尝鲜”到“刚需”、从“小众”到“主流”的决定性转折。
2、规模化的三大核心表现
（1）需求端：从“可选”到“必选”，渗透率爆发。
新能源汽车（核心引擎）：800V 高压平台成为主流，SiC MOSFET从高端车型下探至中低端，主逆变器、OBC、DC/DC 全面渗透。预计 2030 年全球新能源车SiC渗透率超60%，单车价值量显著提升。
AI 与算力（新增量）：AI 服务器、数据中心电源向高压、高效、高密度演进，SiC/GaN 成为标配，支撑 “兆瓦级算力” 的能源效率革命。
光伏 / 储能 / 工控（存量替代）：SiC 在光伏逆变器、储能变流器（PCS）中快速替代硅基 IGBT，提升转换效率、降低系统成本。
消费电子与通信（成熟生态）：GaN 快充全面普及；SiC替代传统电源Si MOS需求爆发。
（2）供给端：产能扩张+良率提升+成本跳水。
全球产能爆发：国内外厂商大规模扩产，8 英寸加速推进。预计 2030 年全球 SiC 产能较 2025 年增长3–5 倍。
良率与成本拐点：衬底、外延、器件制造良率持续突破，SiC 器件成本持续下降，性价比快速逼近硅基，打开更大替代空间。
国产供应链成型：从衬底、外延、芯片设计、制造到封测，全链条国产化率显著提升，设备与材料进口依赖度下降。
（3）产业端：生态成熟+格局重塑+竞争加剧。
生态协同：IDM、Fabless、Foundry、封测厂深度绑定，车规级、工业级标准完善，可靠性验证体系成熟。
格局分化：头部企业凭借技术、产能、客户壁垒强者恒强；中低端产能过剩，价格战开启，行业加速洗牌，中小企业面临出清。
应用创新：异质集成（SiC/GaN 与硅基混合）、系统级方案成为趋势，推动第三代半导体从 “器件” 走向 “能源与算力基础设施”。
总的来说，未来 5 年，规模化是第三代半导体行业的绝对主线。它意味着：市场规模从 “十亿美元级” 迈向 “百亿美元级”，SiC/GaN 有望从“高端材料”变成“基础元器件”。
规模化既是机遇，也是淘汰赛。谁能在产能、成本、良率、客户与生态上形成综合优势，谁就能赢得第三代功率半导体的竞争红利。
芯合半导体-车湖深：我认为关键词会是“提速”。站在 2026 年的开局之年，回望行业发展历程、盘点当下产业现状，我们能清晰看到，第三代半导体产业已然迈入全新发展阶段。历经多年深耕蓄力，第三代半导体早已在各大应用领域播下蓬勃生长的种子，从新能源汽车核心赛道，到工业功率应用场景，再到消费电子、白色家电等民生领域，应用版图持续拓宽、覆盖范围大幅扩容，产业渗透力不断凸显。
与此同时，行业发展底气持续夯实，一批具备成熟产品落地能力的优质企业顺势崛起，专业晶圆制造产线、先进封装测试基地相继建成投产，筑牢了产业规模化发展的硬件根基。碳化硅、氮化镓作为第三代半导体的核心代表，也早已从前沿技术概念，转变为各行业工程师耳熟能详、广泛认可的核心方案，业内企业纷纷主动推进应用导入与落地验证，借力第三代半导体的性能优势，抢占市场先机、筑牢核心竞争力。可以说，加快推进第三代半导体的升级应用，早已成为全行业的高度共识与一致行动。
立足当下、展望未来，未来五年必将是第三代半导体产业提速快跑、提质升级的黄金五年。当前产业发展的底层根基已然筑牢，规模化落地的条件全面成熟，接下来的行业角逐也将迈入深水区。各大市场主体将围绕器件研发创新、先进封测工艺、定制化应用开发、大批量品控管控、全链条成本优化等核心维度，展开全方位、深层次的综合竞争，这既是技术与实力的比拼，更是产业布局与运营能力的较量。
多赛道共振驱动
产业迎高质量发展期
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
士兰微-伏友文：2026 年全球半导体将迎来AI 算力爆发、第三代半导体国产替代（SiC/GaN）、先进封装Chiplet规模化、RISC-V 生态破局的多重共振，WSTS机构预测市场规模有望增长至万亿美元。
2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”，见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。
此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。
同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并预计于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。
此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。未来，士兰将持续以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。
面对 AI 算力爆发式增长，算力中心的能源稳定与高效是核心诉求。士兰凭借功率半导体领域的深度积累，构建了“从电网到核心”全链路算力电源芯片解决方案，覆盖了高端模拟芯片、高性能功率器件到应用系统方案，实现从电网接入到核心算力单元的全链路能源适配。士兰算力电源全栈方案，致力于为全球算力中心提供稳定、绿色的能源保障，精准解决当前算力增长下的能耗痛点。
首先，士兰投入大量的研发力量，瞄准高门槛的高端模拟IC 赛道，推出应用于算力电源系统的高端模拟IC“四剑客”，包括多项控制器，智能功率芯片 Drmos，降压转换器 POL，大电流eFuse，覆盖算力核心板载电源的控制、转换、保护和智能管理全链路。四类产品协同工作，可构成一个高效、可靠、智能的算力核心芯片供电系统，产品性能达到国际领先水平，部分产品已成功打入国际主流供应链。
这不仅是士兰发展的里程碑，也是中国集成电路产业向高端突破的一个生动缩影。未来我们将持续投入研发，紧跟前沿需求，迭代产品，努力实现“国产替代”到“国际竞逐”的关键跨越。
同时，基于IDM 模式先进制造工艺和高质量封装能力，士兰已构筑全系列功率器件平台，推出算力电源高效功率器件“全家桶”，覆盖从硅基到第三代半导体，先进工艺驱动性能跃迁，高质量封装保障系统可靠，可全面应用于从电网接入侧到服务器主机供电侧全链路应用，包括固态变压器SST、高压直流电源HVDC、服务器一次电源PSU、二次电源IBC、热插拔电路等应用产品方案。
在算力与电力深度耦合的时代，士兰将以垂直整合的产品能力、前瞻布局的产线根基、开放共建的生态理念，与客户伙伴携手，拥抱变革、协同创新、共克挑战，共筑绿色、高效的 AI 算力电源基础设施，赋能数字世界智能前行！
芯合半导体-车湖深：我们将焦核心赛道，深耕产业沃土，芯合半导体 2026 年将锚定四大高潜力领域精准发力，全速推进产品落地与市场突破，具体布局如下：
一是新能源汽车领域：目前已全面完成上车前全流程技术储备，筑牢车规级产品量产根基，2026 年将全力冲刺，推动自研 SiC 器件实现规模化量产上车，兑现国产车规半导体的硬核实力。
二是光储充领域：凭借优质产品与成熟方案，已成功导入多家行业头部企业，并实现大批量稳定供货，2026 年将乘势扩围，深挖市场需求、拓宽合作边界，全力抢占更高市场份额，稳固行业领先地位。
三是工业设备领域：聚焦逆变焊机、变频器、感应加热等核心细分赛道，已完成定制化应用方案开发与前期客户导入，夯实场景化落地基础，后续将加速推进批量应用，深耕工业功率半导体市场。
四是白色家电领域：相关 SiC 应用技术已全部储备到位，具备规模化落地的成熟条件，2026 年将作为关键放量之年，全力推动产品大批量上量应用，拓宽 SiC 器件民用化版图。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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