8英寸SiC进入实质性量产爬坡阶段
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为东微半导体宽禁带半导体研发总监陈帆、德龙激光行业经理与SiC/GaN市场负责人王爽。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
第三代半导体跨越“临界点”
从技术验证迈向规模化爆发
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
东微-陈帆：我的关键词是：“临界点”。
选择“临界点”这个词，是因为2025年标志着第三代半导体产业正式完成了从“技术验证与产能爬坡期”向“规模化商业爆发期”的历史性跨越。
这一年，技术成熟度、成本曲线与市场需求实现了前所未有的三重交汇，产业拐点已然确立，潜力开始大规模转化为现实增长。首先，从技术维度看，已经跨越了规模化量产的临界门槛。
2025年堪称SiC产业的“8英寸量产元年”。全产业链在“衬底-外延-晶圆制造-装备”环节实现了集体跃升。例如，山东天岳先进发布了全球首款12英寸碳化硅衬底等，这些突破都彰显了中国在核心材料与器件领域的国际领先地位。
在制造端，平面SiC MOSFET普遍实现了3~4微米的元胞间距量产，沟槽栅（Trench）结构工艺也得以实现，器件性能得到系统性优化。这些技术进步直接驱动了器件性价比的跨越式提升，为大规模应用扫清了最根本的技术障碍。其次，从成本与市场维度看，已经突破了商业可行性的临界线。
2025年，SiC和GaN器件的真实使用成本因工艺进步和产能释放而显著下降，在新能源汽车、数据中心等核心应用中，其全生命周期成本已开始显现出相对于传统硅基方案的明确优势。一个标志性数据是，2025年SiC在新能源汽车主驱逆变器的渗透率首次突破了30%。
同时，6英寸SiC衬底价格在激烈的市场竞争中快速下探，部分厂商已接近成本价出货，这虽然带来了短期的阵痛，却极大地加速了终端应用的普及。成本下降与市场扩张形成了“成本下降→应用增多→需求攀升→规模放大→成本进一步下降”的良性正反馈循环。
最后，从应用生态维度看，迎来了场景扩容的临界爆发。第三代半导体的应用边界在2025年实现了重大突破。其增长引擎从单一的新能源汽车，扩展为多元爆发格局：
AI数据中心（AIDC）：成为新的战略高地。英伟达推动的800V高压直流（HVDC）配电架构，对高能效、高功率密度电源提出了迫切需求，刺激了3kW以上钛金电源批量导入SiC+GaN解决方案，渗透率已达到24%。
消费电子与工业电源：GaN快充持续向高功率演进，并成功切入电视电源等传统硅基“地盘”；SiC在光伏逆变器（200kW以上组串式渗透率超60%）、储能、充电桩等工业领域快速渗透。
前沿探索：在人形机器人关节驱动、固态变压器（SST）、车载激光雷达等新兴领域，第三代半导体凭借其高频、高效、高功率密度特性，正在成为不可或缺的核心部件。
因此，“临界点”精准地概括了2025年的产业状态：它是一个全新发展阶段的起点，意味着第三代半导体从此将深度融入全球能源变革与数字经济的主动脉，开启波澜壮阔的规模化普及时代。
德龙激光-王爽：我选择的关键词是“跨越”，之所以选择这个词，是因为2025年整个行业真正跨越了过去多年徘徊的“小批量阶段”，迈入了一个具有标志性意义的产业拐点—大尺寸量产+成本下探+规模应用同步发生。
2025年也是国产设备自主化明显提速的一年，这本身也是市场规模扩大后的必然结果——只有当市场规模足够大，才能催生出成熟的国产供应链。我们作为上游设备商感受非常明显，过去一年，客户对于“中国标准”的自信明显增强，我们生产的设备不再仅仅是进口设备的替代者，而是开始在切割良率、加工效率上定义工艺标准，面向全球输出中国的制造方案。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
东微-陈帆：我认为2025年第三代半导体产业的进步是全方位的、系统性的，主要体现在以下3个方面：
1.制造平台代际升级，8英寸产业化进程全面提速。这是2025年最硬核的产业成就。从衬底、外延到芯片制造，8英寸SiC平台不再是实验室的样品，而是进入了实质性的量产爬坡阶段。
国内产业链协同攻关，在长晶设备、热场设计、切割抛光等环节取得系列突破，为未来几年成本持续下降奠定了坚实基础。同时，基于8英寸晶圆的器件设计全面展开，预计2026年其产出占比将大幅提升。
在GaN领域，基于8英寸硅衬底（GaN-on-Si）的外延和制造技术也日趋成熟，以英诺赛科为代表的龙头企业实现了8英寸产能的稳定爬坡，为GaN在消费电子和工业领域进一步替代硅基器件提供了强大的成本驱动力
2.应用多元化与高端化齐头并进，产业生态持续繁荣。新能源汽车依然是SiC最大的驱动力，但2025年的亮点在于应用边界的全面开花。SiC在新能源汽车主驱逆变器实现规模化“上车”的同时，在光伏、储能、充电桩等能源基础设施领域也实现了高速渗透。
GaN的应用则实现了历史性跨越：在消费电子领域，百瓦级以上大功率快充成为主流，并成功向笔记本电脑、电视等大功率电源市场渗透；更重要的是，在AI数据中心领域，GaN凭借其极高频特性，在48V-12V中间总线转换器（IBC）等核心部件中快速导入，成为支撑AI算力爆发的高效“电能心脏”，国内头部GaN企业已进入国际巨头供应链。
在新能源汽车辅助电源系统和人形机器人关节驱动等前沿领域，GaN也开始实现从技术导入到量产交付的突破。
3.国产化替代进入“深水区”，全产业链自主能力显著增强。2025年，国产替代从“有没有”向“好不好”加速迈进。
在衬底环节，以天岳、天科为代表的企业，6英寸衬底良率已追近国际水平，凭借成本优势市场份额持续上升。在器件环节，国内设计公司在1200V SiC MOSFET等中高压产品上实现稳定量产和交付，并开始向更先进的沟槽栅结构迭代。
在GaN领域，中国企业不仅在消费类市场占据主导，更在工业级和车规级高压（如1200V）GaN芯片上实现全球首次大规模量产出货，将GaN的耐压能力推向了新高度。国产设备商也开始进入主流产线，供应链安全基础得到加固。
德龙激光-王爽：产业正式从“验证期”跨入了“规模化落地期”，大尺寸、多场景与生态协同构成了高质量发展的“三驾马车”。
大尺寸与降本增效加速：在SiC领域，8英寸衬底和外延的量产能力稳定释放，这不仅是数字上的增长，更代表着制造体系、良率控制和供应链协同能力已经成熟。在新能源车等场景中，SiC的渗透率持续提升，开始从“高端选项”变成“主流方案”，产业进入真正的放量周期。在GaN方面，2025年可以明显看到应用侧的规模化爆发。激光芯片、数据中心电源、基站射频等场景对高频、高效率器件的需求快速增长，使GaN从过去偏消费电子的单一驱动，转向多场景。
标准与生态协同深化：车规级器件可靠性测试规范发布，企业从单点竞争转向垂直整合，供应链韧性显著增强，应对国际竞争与技术封锁的能力提升。标准体系从零散走向系统，生态协同从口号走向实战，产业共识从分歧走向统一。这些看似"基础设施"层面的突破，实际上为行业大规模发展时代的到来铺平了道路。
产业仍面临三大挑战
深度融合将成发展趋势
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
东微-陈帆：在欢庆成绩的同时，我们必须清醒地认识到产业面临的挑战。当前的主要问题可以归结为“成长的烦恼”，主要集中在以下三点：
1.激烈的同质化竞争与价格压力。尤其是在6英寸SiC衬底和中低压MOSFET等相对成熟的领域，产能的集中释放导致了激烈的价格竞争。部分企业为了争夺市场份额陷入低价内卷，一定程度上挤压了研发投入空间，也对产品质量和可靠性构成了潜在风险。如何构建差异化的技术优势和产品竞争力，避免陷入单纯的成本比拼，是每一家企业必须思考的问题。
2.高端应用的技术与认证壁垒依然高企。虽然国产化取得长足进步，但在最高性能的衬底（极低缺陷密度）、最先进的器件结构（如高性能沟槽栅SiC MOSFET）、以及车规级/航空级等高可靠性认证方面，与国际顶尖水平仍存在差距。这些领域技术门槛高、验证周期长、客户粘性强，需要持续的高强度研发投入和耐心的产业协同。
3.供应链的脆弱性与成本控制挑战。部分关键设备（如高性能离子注入机、外延设备）和特殊材料（如高纯石墨耗材）仍依赖进口，存在供应链风险。同时，SiC长晶能耗高、周期长，GaN-on-Si外延的均匀性控制等问题，仍是制约成本进一步下降的瓶颈。
面向未来，突破这些限制需要沿着明确的技术路径协同创新：
路径一：向“更大尺寸”与“更低缺陷”要成本、要性能。持续推进8英寸GaN的量产良率提升和成本下降，并布局12英寸技术的研发。对于SiC，则需攻克8英寸均匀性与缺陷控制难题。这是降低单位芯片成本最根本的途径。
路径二：深化器件结构创新，挖掘材料理论极限。对于SiC，重点发展沟槽栅MOSFET及其衍生结构，以进一步降低导通电阻和开关损耗。对于GaN，继续探索p-GaN栅结构的可靠性改善和垂直结构器件等新技术，以提升耐压能力和可靠性。同时，SiC和GaN的混合集成（如GaN-on-SiC）技术，能够结合两者优势，是应对超高频、超高功率场景的重要方向。
路径三：发展系统级封装与集成技术。未来的竞争不仅是芯片的竞争，更是系统解决方案的竞争。需要大力发展先进封装技术，如双面冷却、银烧结、三维集成等，以大幅提升模块的功率密度和散热能力，简化终端系统设计。将驱动、保护、传感电路与功率芯片集成在一起的智能功率模块（IPM），将是未来的主流形态。
路径四：拓展超宽禁带半导体等新材料体系。着眼于更长远未来，氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石等超宽禁带半导体材料具有更高的理论性能极限。2025年，我国在8英寸氧化镓单晶制备上已取得突破。这些材料有望在轨道交通、特高压电网、极端环境电子等未来产业中扮演关键角色，需要提前布局研发。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
东微-陈帆：关键词：融合普及
未来五年，产业将从当前的“规模化破局”阶段，迈向“高质量融合普及”的新阶段。其内涵体现在三个层面：
一、技术端的深度跨层级融合
未来的竞争焦点将从单一器件性能，转向“材料-器件-封装-驱动-系统应用”的全链条协同创新。例如，GaN的高频优势需要与先进的驱动电路和电磁兼容设计融合；SiC模块需要与高效的散热方案和系统拓扑优化融合。能够提供完整解决方案的企业将获得更大优势。
二、市场端的全场景规模化渗透
新能源汽车：SiC的渗透将从高压平台向更多车型延伸，甚至在部分低压平台替代传统硅基IGBT，与整车电气架构深度耦合。
能源基础设施：从新能源发电、储能到数据中心电源，整个能源链路都将为SiC和GaN带来海量且持续的机会，与绿色能源转型战略深度融合。
消费与工业领域：随着成本优势巩固，在快充、工业电源、机器人等市场的替代进程将全面加速。
三、供应链端的生态共建格局在地缘政治背景下，构建“自主可控”与“全球协同”并重的供应链生态至关重要。中国产业链将继续向上突破核心材料与设备，同时与国际伙伴在技术、标准和市场方面开展合作，推动产业在扩张中走向更成熟、更专业的细分发展阶段。
德龙激光-王爽：如果展望未来五年，我会选择的词是——"融合"。因为当产业跨越过门槛后，下一阶段的核心命题是"如何让这些材料、技术与各应用场景深度耦合，释放最大价值"。未来的五年，我们将看到第三代半导体的发展呈现三个层次的深度融合：
技术生态闭环：SiC与GaN工艺成熟，良率提升，成本下降，材料-设备-器件-应用全链自主可控，国产替代率突破，形成“中国技术+中国标准”体系。
应用生态扩容：SiC全面渗透新能源汽车、智能电网、航空航天等高压大功率场景；GaN主导激光芯片、射频、数据中心电源等高频高效领域，与AI、智能硬件融合开辟新场景，渗透率提升。
竞争生态重构：头部企业通过垂直整合与联盟构建生态壁垒，国际合作与自主可控并行，中国企业从追赶走向局部引领，在材料、设备、器件领域形成全球定价与标准话语权。
深耕AI与新能源高地
开启价值增长新周期
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
东微-陈帆：我非常乐意分享我们在2026年的战略聚焦与发展蓝图。东微半导始终定位于高性能功率半导体领域，我们的核心使命是通过持续的技术创新，为工业升级和汽车电动化提供高效、可靠的“芯”动力。2026年，我们将围绕“深化优势、突破前沿、生态协同”三大主题，在以下关键市场和发展目标上重点发力：
1.全力拥抱AI算力革命，深耕数据中心高端电源市场。
AI数据中心（AIDC）是我们当前增长最迅猛、也是战略优先级最高的赛道。2025年，公司数据中心相关收入占比已超过40%。2026年，我们将进一步巩固和扩大这一优势：
产品层面：推动第四代SiC MOSFET的量产与上量，其优化的栅氧可靠性和更低的导通电阻，特别适配服务器电源对高效率和高功率密度的苛刻要求。同时，我们将加快GaN功率器件在服务器电源中的验证和导入，为客户提供SiC与GaN的完整解决方案矩阵。
客户层面：深化与全球领先电源厂商的战略合作，从芯片定制、联合开发到产能保障，建立全方位的深度绑定。
2.加速车规级产品布局，赋能汽车电动化与智能化。
汽车电子是我们的基因市场，也是体现技术可靠性的试金石。2026年，我们的目标是实现车规级产品从“定点”到“量产”的飞跃。
主驱逆变器：加快推进新一代车规级SiC MOSFET模块的客户认证和测试，瞄准800V高压平台及下一代高性价比车型的需求。
车载电源：扩大在车载充电机（OBC）、DC-DC转换器中的芯片和模块供应。我们的高压超级结MOSFET和SiC器件在此领域已具备显著性能优势。
新兴领域：积极布局电动汽车的无线充电、车载激光雷达（LiDAR）等新兴子系统所需的特种功率半导体解决方案。
3.巩固工业基本盘，拓展能源与自动化新边疆。
工业市场是我们稳定增长的压舱石。2026年，我们将：
升级产品性能：基于12英寸先进工艺平台，进一步优化高压超级结MOSFET和IGBT的性能，降低损耗，提升在工业电源、电机驱动、电焊机等领域的竞争力。
拓展能源应用：针对光伏逆变器、储能变流器（PCS）、充电桩等快速增长的能源基础设施市场，推出高可靠性、高功率密度的专用模块产品。
拥抱工业自动化：开发适用于伺服驱动器、工业机器人关节等场景的高频、高效功率器件，满足智能制造对电能精确控制的需求。
4.加大前沿技术研发投入，构建长期技术护城河。
创新是东微半导的灵魂。2026年，我们的研发将聚焦于：
下一代SiC技术：预研先进沟槽栅器件结构，挑战更低的比导通电阻（Rsp）和更高的开关频率。
下一代GaN技术：预研高压双向开关和垂直结构，挑战更高的电压和功率密度。
模块与系统集成：发展智能功率模块（IPM）和系统级封装（SiP）技术，将传感、驱动与保护功能集成，为客户提供更易用的解决方案。
前瞻性领域探索：我们通过投资和内部研发，在脑机接口（BCI）所需的超低功耗专用芯片和液压柔性电极等底层硬件技术上进行了前瞻布局。虽然这属于更长期的战略储备，但它代表了东微半导探索半导体技术边界、服务未来人类健康的雄心。
5.强化产业链协同与产能保障。
为确保战略的顺利实施，我们将深化与代工伙伴合作：利用国内外一流的制造资源，加速技术转化，保障包括SiC&GaN在内的关键产品的产能供应和品质稳定性。
总结而言，2026年对东微半导将是“夯实基础、锐意进取”的一年。我们的核心目标是在快速增长的AI数据中心和新能源汽车市场确立领先优势，同时确保工业基本盘的稳健增长。我们将坚持以技术创新为驱动，以客户需求为导向，与产业链伙伴携手共进，致力于成为全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商，为中国乃至全球的绿色能源转型和数字化革命贡献我们的力量。
德龙激光-王爽：面向2026年，在SiC及GaN方向，我们的战略核心非常明确：围绕衬底端的“降本”和芯片端的“增效”两大核心痛点布局。具体来看，我们将重点发力以下两个方向：
SiC/GaN晶圆激光切割系统：聚焦SiC/GaN激光开槽/隐切/裂片机，适配大尺寸量产线，提供晶圆切割全套解决方案，满足低损耗、高效率、高良率、高芯片产出的切割需求。同时可避免传统加工方式造成的水资源消耗和环境影响。
SiC晶锭激光切片系统：创新融合了超快激光器技术、光束整形技术、机械分片技术，可提供高效的碳化硅分切解决方案。这项技术具有材料损耗低、加工效率高、出片数量多等优势，更适合应用于大尺寸晶碇的切割。激光切片技术的应用将大幅度地降低碳化硅衬底的成本，有利于衬底产能提升，助力突破碳化硅产业发展的瓶颈。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
