总投资20亿，国内新增2个SiC项目
这两天，浙江、河南分别引进了1个SiC相关项目：
● 浙江湖州：南太湖科创投集团与源芯微电子SiC项目签约仪式举行，总投资10亿；
● 河南三门峡：举行渑池县碳化硅衬底等项目签约仪式，总投资10亿。
源芯微电子：
SiC项目落户浙江
5月9日，南太湖科创投集团宣布，其首个“双招双引”项目——源芯微电子年产20亿支车规级芯片智造项目签约仪式已成功举行。
据介绍，此次签约落地新区的年产20亿支车规级芯片智造基地和碳化硅车规级芯片研究院项目总投资10亿元，分两期建设，全部达产后年产值约18亿元。
“行家说三代半”了解到，安徽源芯微电子有限责任公司成立于2021年2月，是国家级高新技术企业，在车规级中/低压MOS、车规级高压MOS和SiC MOS的汽车电子市场占有领导地位，完全实现汽车MOS芯片的进口替代。
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河南渑池县：
碳化硅衬底等项目签约
5月10日，据渑池媒体消息，河南三门峡市渑池县化合物半导体碳化硅材料和固废综合利用砷化镓衬底项目签约仪式于9日成功举行。
在相关与会人员的共同见证下，郭新书代表渑池县人民政府与化合物半导体材料李有群团队进行现场签约。
据悉，此次签约项目总投资10亿元，其中年产2.5万片碳化硅导电型衬底加工产业化项目，建设6/8寸碳化硅衬底研发、生产线，形成2.5万片综合产能；年产40万片砷化镓晶体及衬底加工制造项目，规划占地1.2万平方米，建设砷化镓晶体及衬底加工的研发、生产、应用生产线及配套设施。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
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