超5000万！国内新增2个GaN项目
超5000万！国内新增2个GaN项目 原创 行家产研Joyce 行家说三代半 2024-05-07 18:13
近日，国内新增2个GaN项目：
● 方唯成半导体：GaN自支撑衬底项目公示，总投资5000万元；
● 华厦半导体：GaN项目签约落户宁波，将打造IDM模式。
方唯成半导体：
GaN自支撑衬底项目公示
4月16日，珠海市生态环境局公示了珠海方唯成半导体GaN自支撑衬底项目(一期工程）环境影响报告表。
根据公告，该项目位于珠海市香洲区，申报内容为2英寸氮化镓自支撑衬底试验生产实验室，研究用创新的更高效的方法试生产氮化镓自支撑衬底。项目总投资 5000 万元，其中环保投资50万元；项目用地面积 2492.86 平方米，建筑面积 2166.17 平方米。
本次项目研发产生的氮化镓衬底仅为后期生产提供参考，不对外销售。
企查查显示，方唯成半导体成立于2022年4月，为珠海经济特区方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。据“行家说三代半”去年报道，方唯成半导体“氮化镓自支撑衬底项目”成功入围2023“创客广东”珠海市中小企业创新创业大赛复赛。
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华厦半导体：
GaN项目落户宁波
4月19日，据“云智集团”官微透露，在宁波市北仑区召开的数字产业和人才发展大会上，华厦半导体成功与北仑开发区数字经济发展局进行了数字经济与人才项目签约仪式。
据介绍，华厦半导体正在开发氮化镓同质衬底专利技术，可以降低氮化镓衬底成本，提高氮化镓衬底尺寸，同时降低成本。在异质氮化镓外延上，华厦在MOCVD设备的低成本创新及外延工艺创新上也取得了一定突破；未来，华厦氮化镓外延项目会向功率芯片IDM模式发展。
华厦半导体于2023年11月入驻百度智能云（宁波）云智基地，致力于半导体集成电路用：高纯单质金属、高纯化合物等产品的产业化研发与生产，布局打造以“镓”金属为核心，从高纯镓，超高纯镓，高纯氮化镓粉末，氮化镓微晶，氮化镓籽晶，氮化镓衬底，氮化镓外延及高纯锑化镓粉末，高纯氧化镓粉末，锑化镓单晶，液态镓基合金材料的华厦镓链。
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