9月9日，据美通社报道，韩国DB HiTek（东部高科）宣布1200V SiC MOSFET工艺在8英寸晶圆上的可靠性认证已顺利完成，并计划于2027年实现量产。
报道透露，东部高科已建立起完整的1200V 8英寸SiC晶圆代工工艺流程，可提供从设计、制造、电气特性分析到可靠性认证等全方位服务的代工服务平台。
基于此次认证的完成，东部高科计划加强对客户的产品开发支持，拓展新客户，计划于今年第三季度完成流程准备工作，并为长期客户提供服务，从2027年第二季度开始向所有客户提供该服务。
为了支持8英寸SiC晶圆代工业务的商业化推广，东部高科正向客户提供其专有的第一代和第二代1200V SiC MOSFET工艺的工艺设计套件（PDK），第三代PDK计划于今年11月发布。通过使用这些PDK，可以减少开发初期所需的资源，加快原型制造速度，并将产品开发周期缩短一年以上。
据了解，东部高科第二代SiC MOSFET工艺的导通电阻为2.5 mΩ•cm²、阈值电压为3V、导通栅极电压为18V，完成了可靠性认证。第三代工艺目标是在相同导通栅极电压下，实现2.3 mΩ•cm²或更低的导通电阻，并实现至少2.5μs的短路耐受时间。
东部高科位于韩国，是全球头部专业半导体代工厂之一，其工艺方案包括模拟/功率 (BCDMOS)、超结 MOSFET等，并积极扩展碳化硅和氮化镓业务。目前东部高科拥有两座8英寸晶圆代工厂，一座Fab1位于韩国京畿道富川市，另一座工厂Fab2位于韩国忠清北道Eumseong的Sangwoo园区。
从2023年开始，东部高科便开始布局8英寸SiC工艺研发及产能建设，并将其作为下一代业务增长引擎：
-
2023年中旬，东部高科计划在年内对8英寸SiC工艺设施进行投资，该设施位于Sangwoo园区的一个闲置空间内，其目标量产时间为2028年，产能预计为2万片/月。
-
2024年10月，东部高科宣布将扩建位于韩国忠清北道的Fab2洁净室设施。此次扩建预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能，将支持氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。东部高科某高层表示，这项投资将利用Sangwoo园区的一个闲置空间，建立系统半导体生产基础；预计到2027年10月末将投入总计2500亿韩元、到2030年投入1.7万亿韩元（约88.74亿人民币）。
-
2025年12月，东部高科透露他们通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证，并同时开发了8英寸GaN 650V HEMT工艺，计划年内完成可靠性验证。
2026年3月，东部高科在年度股东大会上披露，其2025年营收为1.40万亿韩元（约合人民币70.09亿元），同比增长23.5%，营业利润为2773亿韩元（约合人民币13.88亿元），同比增长45.3%，全年产能利用率达到96%。同期，他们巩固了下一代功率半导体（SiC / GaN / Si电容器）的业务路线图，并将其作为未来增长引擎。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
