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直击PCIM:超50家SiC/GaN企业展示技术风向
行家说三代半 · 2026-08-28

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在近日举办的PCIM Asia展会上,第三代半导体成为全场瞩目的焦点。作为深耕产业一线的专业媒体,“行家说三代半”团队直击展会现场,密集走访了超50家产业链上下游代表企业。
本文将逐一展现这些企业(排名不分先后)在碳化硅与氮化镓两大核心赛道的最新技术突破与产品进展,带您洞察第三代半导体的前沿风向。
英飞凌

英飞凌携机器人、电动出行、AI数据中心及能源基础设施四大主题解决方案亮相现场,并集中展示了多个碳化硅/氮化镓产品方案,其中包括SiC主驱三电平逆变器系统、用于固态配电应用的1200V SiC JFET电源评估板、用于洗衣机的氮化镓电机驱动方案、用于人形机器人的100V氮化镓电机驱动参考设计等。

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体解决方案提供商,总部位于德国,可为汽车电子、工业功率控制、电源管理等业务领域提供芯片与系统解决方案;凭借其在德累斯顿、菲拉赫和马来西亚居林等地的全球研发与制造网络,英飞凌正大力推动碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体技术发展,以满足AI数据中心、绿色能源及智能出行的强劲需求。

博世

此次,博世携覆盖碳化硅裸片、分立器件、功率模块及智能门极驱动控制芯片的完整产品组合亮相,并重点展示碳化硅产品及前沿技术。

值得关注的是,博世特别展示了镀铜芯片及标准功率单元S-cell,其基于碳化硅沟槽MOSFET技术平台,可覆盖750V和1200V电压等级,并采用11×11 mm²标准单元尺寸以及顶部铜金属化设计,可实现更低寄生电感、更高功率密度及更优热管理性能。

凭借垂直整合IDM模式及全球技术储备,自2021年投产以来,博世已在全球累计交付超过6000万颗车规级碳化硅芯片。目前,博世持续投资于碳化硅技术、制造、产能布局和团队人才,通过打造罗伊特林根和罗斯维尔两大碳化硅生产基地,积极向8英寸过渡。

罗姆半导体

罗姆半导体此次围绕“AI服务器”、“车载”、“工业设备”和“应用案例”四大主题展区,集中展示其在功率半导体领域的最新技术与系统级解决方案。其中包括用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET,以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案等。

罗姆半导体集团成立于1958年,总部位于日本京都,是全球领先的半导体及电子元器件制造商,专注于高可靠性IC、分立半导体(包括SiC碳化硅等先进功率器件)、光学元器件(LED)及电阻器等核心产品的研发与制造,产品广泛应用于汽车电子、工业设备、消费电子及通信领域。

三菱电机

三菱电机携多款功率半导体技术与系统解决方案登场,其中包括空调及家电用全SiC DIPIPM和混合SiC DIPIPM模块、第5代沟槽栅SiC-MOSFET裸芯片等产品。据悉,针对xEV的e Axle系统相关应用,三菱电机于2026年6月开始可提供第5代沟槽栅SiC-MOSFET裸芯片样品。

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业,在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有70年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

瑶芯微

作为国内领先的功率半导体、传感器和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯携最新汽车电子、AI数据中心电源、AI智能终端、智能家电、工业电源、光伏储能等解决方案隆重亮相本次展会,覆盖SiC MOS、低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT等系列产品。

据了解,瑶芯微最新一代 650V G5 分立式 SiC MOSFET 系列进一步提升了器件在高频开关工况下的稳定性与损耗表现,并涵盖10/20/25/33/48/60 mΩ 等多种导通电阻规格,可全面满足工业级与车规级应用的严苛要求;1200V G5 AK2CK2MXXXWAMH系列SiC MOSFET的Rsp进一步优化,可降低9%,进一步减小导通损耗;同时米勒电容降低50%,大幅提升抗干扰能力。

瑶芯微电子成立于2019年8月,布局功率半导体以及音频芯片两大产品线。功率产品方面,现已成为汽车及能源功率半导体器件全品类供应商,功率芯片覆盖高中低压不同电压等级、碳化硅、氮化镓及硅基全产品类别,为客户提供功率芯片整体解决方案,产品广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏储能、工业等领域。
中车时代电气

针对AIDC、户用与工商业光储、充电桩、汽车OBC、工业电源等应用,中车时代电气此次重点亮相SiC分立器件系列、新能源汽车用8吋SiC晶圆、轨道交通用8吋SiC高压晶圆、嵌入式SiC模块、2300V/3300V/6500V高压SiC模块、SST用SiC模块等产品。

株洲中车时代电气股份有限公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务,具有“器件+ 系统+整机”的产业结构,产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。同时,公司还积极布局轨道交通以外的产业,在半导体、汽车、 新能源、海洋、工业等领域开展业务。

三安半导体

本次展会,三安半导体携碳化硅先进材料、芯片/器件等解决方案精彩亮相,为客户提供高可靠性的碳化硅芯片解决方案。

现场,三安光电集中展示了从650V到2300V、12mΩ到1000mΩ的全系列碳化硅MOSFET,以及650V至2000V、1A至100A的全电压电流碳化硅二极管,全面覆盖新能源汽车、AI数据中心电源、工业电源、光储逆变器等核心应用场景。

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湖南三安半导体有限责任公司主要从事宽禁带半导体的研发、设计、制造、销售和服务,产品与服务包括SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延片、车规级SiC功率模块代工等,服务于新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、工业电源、AI服务器电源、AR眼镜、家用电器、消费电子等领域的全球超800家客户。

英诺赛科
本次展会,英诺赛科全面展示最新InnoGaN氮化镓功率器件,以及面向AI算力、汽车电子、机器人电机驱动等应用领域的全场景解决方案,包括6.6kw 单相 OBC、2kW 48V双向储能、4.2kW 48V PSU等。

英诺赛科是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者,氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域,涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。英诺赛科的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案,服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域。

赛晶科技

赛晶科技此次重点展示了2300V 30mΩ SiC 芯片、1200V/2300V Easy封装SiC模块、1700V/2300V XP封装IGBT、SiC模块等产品。

赛晶科技是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商。成立于2002年,2010年在香港主板上市,主要覆盖电网输配电、新能源发电及储能等业务板块,2026年上半年自研功率半导体实现销售收入5991万,同比增长13%。

爱仕特

面向AI数据中心、新能源汽车、绿色能源等多元场景,爱仕特搭载自研芯片的SiC分立器件及功率模块全矩阵亮相,全方位展示其在SiC领域的最新技术成果和系统解决方案。

其中,SiC MOSFET系列覆盖650-3300V/1-200A/4-750mΩ规格;SiC Diode系列覆盖650-1700V/25-100A规格;SiC Module系列覆盖650-1700V/30-1000A / 1.3-80mΩ规格。

杭州爱仕特半导体有限责任公司是国内领先的第三代半导体碳化硅功率器件企业,具备从芯片设计、先进封装到模块制造的全链条自主技术与规模化交付能力。旗下产品广泛应用于新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源、固态变压器等关键场景,是高端功率器件国产替代的核心力量之一。

方正微电子
方正微电子携全系列SiC器件与模组登场,针对AI智算、电动出行、光储充三大核心应用,展示系统解决方案。
针对AI智算应用场景,方正微电子重点展示650V、750V、1200V、1500V、2300V系列SiC MOSFET产品;此外,他们还展出车规级SiC器件与功率封装模组,完整覆盖车载主驱逆变器、车载OBC、DCDC转换器、悬架、车载空调压缩机等整车核心功率单元。

深圳方正微电子有限公司成立于2003年12月,是中国第三代半导体IDM企业,主要从事SiC晶圆、器件、模组的研发、生产制造与销售服务,为新能源汽车、光储充、UPS、工业电源、AI计算、消费电子、低空飞行器eVTOL、机器人等领域提供SiC芯片产品解决方案。

瑞能半导体

瑞能半导体携可控硅、碳化硅、功率二极管、IGBT、Si MOSFET五大产品线重磅亮相,完整覆盖消费电子工业控制汽车电子可再生能源四大关键赛道。

瑞能半导体专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合,主要产品包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD、IGBT模块等,产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

华润微电子

本次展会,华润微电子针对AI电源及数据中心、电气化交通、可再生能源与智慧能源等领域携相应的碳化硅产品方案亮相,其重点展示其应用于车规主驱的SiC Module方案和应用于SST的1400V 200A Flex2半桥模块

其中,Flex2半桥模块基于华润微电子第四代平面栅SiC MOS,性能对标国际主流产品,4管并联,采用灌封工艺,最高工作结温达175℃。

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华润微电子致力于打造全产业链一体化IDM体系,涵盖产品设计、掩模制造、晶圆制造、晶圆测试、封装、成品测试六大环节,全链条协同赋能AI算力、机器人、新能源等新兴赛道快速迭代。
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斯达半导体
本次展会,斯达半导体携多款针对车用、工业控制的碳化硅产品精彩亮相,涵盖750V-1700V的SiC MOSFET芯片、SiC模块等。
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斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务。主要产品为半导体芯片和模块,包括IGBT、IPM、FRD、SiC、MCU芯片和模块等,已被成功应用于新能源汽车、工业控制及电源、光伏/风力发电/储能、智能电网、白色家电等领域。

 

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昕感科技
昕感科技携多款碳化硅核心产品重磅亮相,产品包括发电驱动2in1模块NBHP、NXHP与NXMH碳化硅模块产品等。其中,他们的发电驱动2in1模块NBHP能实现“发电+电动”双功能合二为一,具备高功率密度、低热阻、低杂散电感与高可靠性,是混动系统中极具竞争力的功率模块方案。
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昕感科技是聚焦于宽禁带半导体碳化硅功率芯片和模块设计、开发及制造的高科技企业,成立于2020年9月,总部位于北京,并分别在江阴和深圳设有芯片器件生产线和模块模组研发中心。目前,昕感科技650V1200V1700V三个电压平台已推出数十款MOSFETSBD和模块产品,单管器件包含TO-220TO-247等多种封装形式,模块产品有Econo-dual PIM等多种封装。

扬杰科技

本届展会,扬杰科技聚焦AI数据中心、工控、清洁能源、汽车电子、具身智能五大核心赛道,带来多款碳化硅重磅新品与成熟应用方案。

其中包括650V/1200V SiC MOS单管及功率模块,其采用低导通电阻芯片,开关损耗降低30%,适用于高频开关及高功率密度设计,电源转换效率可达98.5%以上,助力数据中心绿色降耗、机柜供电能力倍增。

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扬杰科技是国内的半导体IDM厂商,产品线涵盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,广泛应用于AI数据中心、具身智能、汽车电子、清洁能源、5G通讯、智能家居、工业、消费类电子等诸多领域,其于2014年1月23日在深交所上市。
芯合半导体

 

本次展会上,芯合半导体携多款SiC Wafer、SiC SBD、SiC MOSFET产品亮相深圳,聚焦AIDC、新能源汽车、光储充及工业电源、家电及消费类等领域。

会上,芯合半导体重点展示了其自主研发的8英寸1700V和2300V MOSFET晶圆。其工作人员介绍道,这两款产品主要应用于中高压或特高压场景,比如AIDC、SST及储能系统等。目前,芯合半导体依托8英吋SiC晶圆量产核心优势,搭建起SiC晶圆、分立器件、高端功率模块一体化全链条产品体系。

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芯合半导体,总部位于中国合肥,是国内领先的碳化硅功率半导体 IDM 企业,业务涵盖650V10000V电压等级的碳化硅SBDMOSFETSJ MOSFETJFET以及Module等产品的研发、生产与销售。

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清纯半导体

本次展会,清纯半导体携多款车规级SiC产品亮相,其中包括T2PAK、QDPAK等。现场工作人员向“行家说三代半”介绍,他们的T2PAK相比于插件封装,核心优势在于更高的功率密度和更优的散热性能。目前,该产品已进入客户验证阶段。

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清纯半导体成立于2021年,是一家聚焦于碳化硅半导体领域的高科技芯片公司,专业从事SiC功率器件的研发与产业化。其SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际领先水平,相关产品已经在新能源发电、新能源汽车等领域服务超过70家客户。

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爱微电力电子
爱微(江苏)电力电子有限公司携电动压缩机电机控制器系列及功率模块系列产品亮相,其中包括电机控制用功率模块(含SiC方案)等产品。
爱微(江苏)电力电子有限公司已建立IATF16949汽车及质量管理体系,同时结合韩国子公司IA Powertron多年的研发、生产经验,可为全球客户提供特有的,可定制的专业产品以及贴合需求的应用技术服务。
元山电子
本次展会,元山电子重点展示了从750V至3300V、电流范围30A至1200A的全谱系产品,以及自主研发的配套驱动板,形成“模组+驱动”一体化解决方案。

元山(济南)电子科技有限公司(Yuan Dyn)于2015年开启碳化硅模组自主研发,攻克车规级产品可靠性难关,通过全项车规可靠性测试;凭借行业超低寄生电感设计与卓越动态均流技术,成为国内少数具备全谱系碳化硅功率模组产品供应能力的企业。

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宇泉半导体
深圳展会中,宇泉半导体围绕SiC、IGBT、SBD等新产品和新技术,展出面向AI数据中心、低空经济、新能源汽车及工业控制等领域的完整配套解决方案。
工作人员向我们介绍,此次展会宇泉半导体重点展出其针对低空经济领域的无人机主电源智能电子开关方案,这是一款基于SiC MOSFET技术的高压大功率智能电子开关,专为无人机等平台的主电源控制设计。该产品导通内阻仅1mΩ,采用三优先级控制架构,支持CAN总线通信,实时回读电流、电压、温度及工作状态。
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宇泉半导体 (保定) 有限公司深耕功率模块行业近 20 年,为国家高新技术企业、国家及河北省科技型中小企业。企业依托 SiC 全产业链优势,专注 IGBT、SiC、SBD 功率模块研发、生产与销售,可提供模块、电源、散热、元器件、软硬件控制系统全链路一体化定制集成方案。

 

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昕阳电子

昕阳电子在本届展会上携多款SIC MOS系列产品亮相,助力AI算力与先进封装产业升级。

其中,创新碳化硅单管PCS嵌埋方案,能解决PCB因吸潮引起的碳化硅芯片电气隐患,杂散电感<1nH,有效降低关断应力,并减少了传统模块外壳等,进一步降低成本。

江苏昕阳电子成立于2024年,依托新潮集团产业优势汇集功率半导体产业深耕多年的顶尖专家,从行业需求及系统应用出发,专注并持续拓宽功率半导体产品技术路径。主营产品包括IGBT、SIC MOS分立器件和常规模块,以及创新模块和逆变砖设计等。

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奕能科技
奕能科技携SiC模块、MOSFET及解决方案首次亮相,其中UHP、ED3、EB2、FPA、PD2、FPC、APM、SPM 等多系列SiC功率模块集中亮相;除模块外,配套驱动板及UHP、SPM逆变砖也同步展出。
奕能科技表示,本次展出的多款产品中,银烧结、Clip互连、Si₃N₄/AlN AMB基板、PinFin直接水冷、三电平拓扑等先进技术均得到应用,进一步支撑产品在低杂感、低热阻、高功率输出及高可靠性等方面的综合性能表现。
重庆奕能科技有限公司是一家碳化硅半导体器件及方案提供商,专注于研发和制造行业领先的碳化硅功率半导体产品,广泛应用于电动汽车、新能源、工业、消费电子、电力、航空航天等市场领域。
东芝

本届展会上,东芝展示了其碳化硅功率器件以及基于碳化硅芯片的设计方案,特别是1200V碳化硅嵌入式封装模块引人驻足。

据介绍,在大功率应用中,嵌入式结构技术可以以更低的电感实现更高的效率。东芝的这款碳化硅嵌入式模块可以实现体积小型化、电气特性提升、免功率循环失效、提高设计灵活性等优势。

 

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东芝集团始创于1875年,有超过150年的历史,其始终致力于解决社会课题,活跃于能源、基础设施、元器件、数字技术等广泛领域。1972,东芝进入中国发展,累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
日立能源
日立能源携多款新产品亮相展会,其中包括RoadPak™ SiC电动交通(汽车)功率半导体模块及其配套的 Roadmount 液冷散热器。据介绍,该产品采用最新一代 SiC 芯片组,相比传统硅基(IGBT)开关损耗降低约 40%,系统效率提升 5% 以上
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日立能源可为电力、工业及基础设施领域的客户提供覆盖全价值链的创新解决方案与服务,在全球140多个国家拥有出色的业绩表现及世界领先的装机容量。其总部位于瑞士,在全球90多个国家拥有3.8万名员工,业务规模约100亿美元。
国基南方
本次展会,中电国基南方集团携多款碳化硅、氮化镓产品亮点,包括EerBri-131kW 液冷式储能变流器SiC MOSFET器件及模块、抗辐照GaN功率开关器件等。其中,EerBri-131kW采用全SiC模块,峰值效率达99.2%,能实现60℃不降额运行,达到微秒级响应,并兼具智能散热控制。 
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国基南方的母体科研单位五十五所位于江苏南京,是以固态器件与微系统、光电显示与探测器件为主业的军工骨干研究所。建所60多年来,以“实现半导体核心器件自主可控”为主责,在第一、二、三代半导体及新一代半导体领域建立自主发展体系,形成了从设计、工艺到封装、测试,从材料、芯片、模块到微系统的完整技术体系和产品体系。
基本半导体
基本半导体携旗下碳化硅功率器件全系列产品亮相,围绕AI算力、消费电子、新能源汽车及工业应用四大领域,集中展示了覆盖高、中、低功率场景的完整产品矩阵与系统解决方案。
值得关注的是,基本半导体也重点展出嵌入式模块,其采用新一代碳化硅MOSFET芯片,基于全桥4芯片并联设计,具备1.2nH极低寄生电感、AMB内嵌工艺实现高效散热与高系统集成度,适用于新能源汽车动力系统、工业变频器、光伏逆变器及OBC/DCDC。

深圳基本半导体股份有限公司专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,已掌握碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等,服务于电动汽车、风光储能、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

安世半导体
安世中国携功率器件、IC及系统解决方案亮相,立足「汽车・工业・AI」三大核心赛道,呈现从器件到系统的底层技术底座能力,其中包括基于SiC的600W  CCM PFC及驱动演示板等方案。

作为基础半导体器件开发和生产企业,安世半导体的器件已被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,可为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1000亿件。

富士电机

此次展会,富士电机携下一代SiC功率模块亮相。其中,M1206 三电平模块是富士电机的推广重点,据悉,这款产品支持三电平拓扑结构,能够显著降低电动汽车传动系统中电机铁芯中的波纹电流,从而减少电机损耗,提高效率。

 

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富士电机集团成立于1923年,涉及产品共计450,000余种,可以为铸造企业提供整体解决方案。而富士电机(中国)有限公司于1999年在上海成立,产品涵盖电子元器件,成套设备等多个领域,其中IGBT,自控设备,中频感应电炉等设备广泛应用于各个领域。

镓未来
镓未来此次重点展示了荣耀WIN 360W氮化镓适配器、500W PS5游戏机充电器、H-PFC 双向GaN器件测试板等产品及技术方案。
据了解,镓未来已推出650V、18mΩ 双向 GaN 功率器件,采用双向导通设计,适用于高压直流母线切换、电池保护、OBC 双向电源等场景,能够显著简化系统拓扑结构,提升整体功率密度。
珠海镓未来科技有限公司致力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件的研发与产业化,在国内率先实现全功率范围氮化镓器件的量产,其应用方案包括 PD 快充适配器、PC 电源、电动工具充电器、电机驱动、超薄TV电源、新国标 EBIKE 电源、LED 驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT服务器电源、算力电源、车载双向 DC-DC 等。
宏微科技
宏微科技携全产业链产品及解决方案参展亮相,覆盖工业控制、智能家电、可再生能源、新能源汽车第三代半导体及新兴应用等领域,集中展示最新技术成果。
具体来看,宏微科技现场重点展出面向 AI 数据中心(AIDC)与固态变压器(SST)的SiC、GaN、IGBT功率半导体解决方案,以及在智慧能源、低空经济、人形机器人等新兴应用领域的创新成果。
江苏宏微科技股份有限公司成立于2006年,是国家专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、国家绿色供应链企业,主要产品包括 IGBT、FRD、SiC 及GaN 等芯片、分立器件、模块等功率半导体器件,是国内功率半导体器件行业领军企业之一,于2021年成功登陆科创板。
飞锃半导体
飞锃半导体携多款碳化硅 MOSFET新品亮相,包括750V/1200V JFET SiC MOSFET、1200V 沟槽型SiC MOSFET、2300V/30mΩ等高压SiC MOSFET、X2PAK/QDPAK等顶部散热封装、嵌入式功率模块等产品方案。
 
飞锃半导体是中国领先的第三代半导体领军企业,专注于碳化硅功率半导体器件的研发、生产和销售,旗下产品已在新能源汽车、绿色能源、工业电源、AI 数据中心以及固态变压器(SST)等领域的国内头部企业实现规模化应用。
北一半导体
聚焦光伏储能、轨道交通、新能源汽车、AI服务器等赛道,北一半导体此次携双面冷却SiC模块、单面冷却SiC模块、一体化IGBT模块等产品亮相。
北一半导体科技成立于2017年成立,是一家专注IGBT、SiC等功率半导体设计、工艺与制造的高新技术企业,具备芯片设计、模块工艺与测试全平台能力,产品广泛应用于工业变频、光伏、风电等领域,并进入国内车企及家电头部供应链,实现进口替代。
林众电子
本次展会,上海林众电子重点展出三大产品矩阵,全面覆盖光伏储能/AIDC数据中心/电能质量、新能源汽车、工业控制核心应用领域,包括1200V 1mΩ E3 半桥SiC MOSFET模块、B3  ANPC三电平混碳模块(IGBT+SiC MOS)、DCM二单元SiC模块、A3三相全桥SIC模块、PCB埋嵌SiC/GaN模块等产品。
上海林众电子科技有限公司创立于2009年,总部位于上海市松江区,致力于电力半导体模块的研发与制造,专注于工业自动化、电梯、电动汽车、新光伏能源等行业,以成熟的动力半导体研发设计和制造管理经验,为客户快速提供标准产品及个性化定制服务,已在以上行业中服务了十余个头部客户。
PI公司
展会现场,PI公司集中展出门极驱动器、PowiGaN™氮化镓等前沿功率解决方案,覆盖新能源、轨道交通、汽车电子、AI 数据中心及工业家电等核心应用场景。
面对AI数据中心,PI公司重点展出1700V PowiGaN DER1110DER1114参考设计,依托单级变换多路独立稳压架构,省去后级稳压电路,分别实现35W多路、15W单路输出,适配数据中心高压辅助供电开发。
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Power Integrations公司是一家高性能高集成度的高压大功率集成电路器件供应商,PI提供的器件应用广泛, 涵盖了充电器,电脑,电视机,显示器,家电、智能家居、LED照明、汽车电子、风能、工业电机、太阳能等等应用领域。

EPC

EPC在现场展出了一系列最新氮化镓技术成果,包括第8代氮化镓平台、 Trinity三相集成功率级芯片人形机器人关节和无人机电机逆变器方案等。据介绍,第8代氮化镓芯片将通过直接负载点(Point-of-Load)转换、MHz 级开关频率,以及取代现有集成式稳压器架构的潜力,为下一代 AI 系统提供支持。

宜普电源转换公司(EPC)成立于2007年,致力于增强型氮化镓功率管理领域,产品广泛应用于 DC-DC 转换器、 远程传感技术、电动出行、机器人和无人机的电机驱动、低成本卫星等。此外,EPC 持续扩大开发基于 eGaN IC的产品系列,为下游应用提供节省占板面积、节能及低成本的解决方案。

天域半导体
作为行业首家H股上市碳化硅外延企业,天域半导体此次重点展示8英寸碳化硅外延技术、厚膜外延/沟槽回填外延技术等最新方案。

天域半导体成立于2009年,是我国成立最早的第三代半导体企业之一,经过十余年的积累沉淀,己发展成为我国碳化硅外延片的主要供应商,在产品技术参数、客户器件良率等方面已达到国际领先水平,是我国碳化硅领域少数具备国际竟争力的企业之一。

氮矽科技
氮矽科技携全系列氮化镓产品及解决方案亮相,并首次展示5MHz高频高压脉冲电源和PD 110W 3C1A快充方案。
本次展会展出的PD 110W 3C1A快充方案,采用PFC+QR拓扑结构设计,搭载氮矽科技氮化镓集成控制芯片DXP8011FA及DX70C130氮化镓开关管,电源总线输出21.2V/5.3A,总功率达110W。方案支持全电压输入(90~264Vac),满足海拔2000m以下工作设计及安规认证要求。
氮矽科技是一家于2019年4月由海归团队牵头,携手数位电子科技大学顶尖教授和业内精英,共同创办的高新技术企业,总部位于南京,致力于打造全国产氮化镓产品线。自创立以来,氮矽科技始终专注于氮化镓产品的研发与销售,以成都和深圳的研发与营销中心为支撑,形成覆盖技术研发、产品测试及市场服务的完整布局,持续推动氮化镓技术的创新与应用。
芯丰泽
芯丰泽携第三代自研SiC系列器件亮相,围绕“更高电压、更低损耗、更强可靠性”三条技术主线,集中展示多款碳化硅功率器件及最新产品进展,其中包括650V/8A 低温度系数 SiC 二极管、10KV 超高压SiC MOSFET等。
芯丰泽半导体是一家专注于碳化硅(SiC)器件开发和应用的高科技公司,由西安电子科技大学原微电子学院院长张玉明教授发起,迄今为止,公司所产碳化硅(SiC)器件已在特种电源 、航空航天、国家电网等行业得到大量实例应用,产品性能、可靠性及团队技术服务能力得到客户的广泛认可。
瑞迪微电子
瑞迪微电子携旗下SiC 分立器件、车用SiC模块等产品亮相,据了解,其自研SiC器件具备高耐压、高频率、高效率特性,支撑电驱系统小型化、轻量化升级,契合下一代超高压电驱技术迭代方向。
安徽瑞迪微电子有限公司成立于2019年6月,坐落于安徽省芜湖市,是一家集IGBT、FRD、SiC芯片及功率模块设计、制造、应用方案开发与技术服务于一体的高新科技企业。
韩国功率半导体展馆
本此次,多家韩国功率半导体产业链企业亦组合参展,其中包括本土企业ROOTSEMICON,并重点展示了1200V SiC MOSFET晶圆等产品。
RootSemicon是韩国一家功率半导体设计公司,专注于碳化硅功率半导体的设计与开发。今年4月,RootSemiconSK Powertech签署SiC MOSFET代工产品开发合同并启动联合开发,随后在5月完成了规格为1200V/11mΩ的大尺寸SiC MOSFET首次流片,并于629日顺利完成首次晶圆下线。
智融科技
智融科技将在现场展示最新的SiC超高效率快充、SiC高压辅助电源、SiC LED电源、SiC适配器等方案。
珠海智融科技股份有限公司成立于2014年底,是一家专注于电源管理芯片领域的数模混合芯片设计企业,主营业务为电源管理芯片的研发、设计和销售,合作伙伴包括华为、OPPO、小米、联想、公牛、ANKER、ASUS、BYD绿联、倍思等海内外一线品牌。
翼同博海科技
翼同博海科技(珠海横琴)有限公司重点展示了其定制化功率模块、工业封装模块等产品。

翼同博海科技(珠海横琴)有限公司,由翼同半导体与德国著名半导体世家创办的家族办公室BHei共同创立,专注功率半导体封装研发与生产,重点研发SiC功率模块、IGBT功率模块、Si+SiC混合模块等产品广泛适配新能源车主驱逆变器、eVOTL、高功率充电桩、风光发电储能、工业自动化等多元应用场景。

快克芯装备
本次展会上,快克芯携车规级功率半导体封装成套解决方案重磅亮相,围绕SiC 核心封装方案——银(铜)烧结等工艺,快克芯打造了从热贴固晶、微纳金属烧结到芯片封装 AOI 检测的成套装备解决方案。
快克智能装备股份有限公司创立于1993年,作为精密电子组装与半导体封装装备供应商,长期聚焦精密焊接、机器视觉、智能制造及半导体封装等核心技术,持续深耕光通信与数据中心、半导体封装、汽车电子及智能终端等重点市场,为全球电子制造产业提供高端装备及智能制造整体解决方案。
丰鹏电子
丰鹏电子重点展出嵌入式碳化硅功率模块,据了解,他们实现了 NestedChip™ 嵌入式模块的全流程自主制造:从芯片架构设计、PCBLayout,到模块封装,所有环节均在自有工厂完成。

丰鹏电子是一家拥有多年电子产品研发技术和制造经验的公司,拥有专业和经验丰富的研发团队,主营产品为第三代半导体的GaN模组,SiC模组,高性能散热模组,陶瓷基电路板(DPC、AMB、DBC),已获得专利的超微导热(HEM)PCB电路板。 

普源精电
普源精电重点展示了功率半导体动态参数测试方案,其支持单脉冲、双脉冲及多脉冲测试,集成了示波器、信号发生器、低压直流电源、高压直流电源、电压电流探头和软件,可提供高可靠性与可重复性的测试能力,覆盖IGBT与MOSFET器件(包括SiC、GaN等第三代半导体)的关键动态特性评估。

普源精电创立于1998年,是一家全球性的电子测量仪器公司,专注于通用电子测量的前沿技术开发与突破,可持续为汽车电子、新能源、半导体、教育科研、通用电子等行业提供高性能、高效率的测试测量解决方案。

威斯派尔
威斯派尔携WSP Precede车载覆铜陶瓷基板系列、WSP PowerAl 覆铜陶瓷基板系列等产品亮相。

南通威斯派尔半导体技术有限公司成立于2020年,是国内领先的车规级 SiC/IGBT 功率模块用 AMB 覆铜陶瓷基板研发与量产企业,专注半导体封装材料国产替代,已进入多家国内头部功率模块厂商供应链,实现车规级项目批量交付;同时稳步推进欧洲、日本市场样品验证,全力加速高端 AMB 基板国产化替代。

贺利氏

本届展会之上,贺利氏集中展出无银活性金属钎焊、芯片贴装烧结银、模块连接烧结银等多款行业核心产品,其中,他们的新一代钢网印刷有压烧结银产品在印刷精度上有所提升,支撑干贴和湿贴工艺,能更好满足小型化芯片的封装要求,与SiC、GaN等共同作用,延长器件使用寿命。

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贺利氏是德国哈瑙总部全球性家族科技集团,成立于1660年,现已发展为以贵金属及回收、医疗健康、半导体及电子、工业应用为核心的四大业务平台企业。在半导体及电子领域,贺利氏专注半导体产业链关键环节,提供电子封装材料、电子化学材料、高纯度石英玻璃等产品

罗杰斯

此次展会中,罗杰斯重点展示用于电力转化、控制和传输、热管理等高性能解决方案。其中,curamik®金属化陶瓷基板及散热解决方案,广泛应用于新能源汽车、可再生能源、轨道交通、智能电网、工业及AI数据中心电源等领域。

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罗杰斯科技苏州作为公司亚洲的研发与制造中心,二十多年来持续为亚洲及中国客户提供全面且本地化的服务,不断技术创新满足市场与客户需求。
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科瑞尔

此次,科瑞尔携其纳米银烧结固晶机、Pin Hold插针机、贴片机等设备亮相展会,集中展示企业在半导体封装测试领域的技术实力与产品优势。

其TCB-2000系列固晶机专为SiC功率模块银烧结制程开发,可完成芯片、焊片、陶瓷基板的精准热压贴合,满足车规级功率模块高可靠性封装要求。

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常州科瑞尔科技有限公司成立于2014年,是一家专注于半导体封装测试设备领域的国家专精特新”小巨人”企业;该公司拥有核心自主知识产权,成功打通功率半导体封装全线工艺,提供从关键装备到整线工艺规划的一站式解决方案。

飞仕得

本次展会,飞仕得带来三大板块全链路SiC解决方案:一是适用于SST与HVDC领域的驱动方案;二是专为工商业储能场景打造的功率模组;三是SiC器件动态特性测试设备。

其中,针对工商业储能应用的220kW SiC模组,搭载2000V EaSy3B SiC器件,功率密度达42.2kWIL,满载效率高达98.8%;12kV SiC器件动态特性测试设备可覆盖6.5-15kV高压SiC器件功率测试场景,并支持15kV高隔离ASiC可编程驱动。

杭州飞仕得科技股份有限公司成立于2011年,围绕IGBT、SiC MOSFET等功率半导体的应用,专业从事功率系统核心部件及功率半导体检测设备研发和销售,产品已批量应用于风力发电、光伏发电、矿用变频、新能源汽车、储能、输配电、轨道交通等多个高可靠性领域。

华科智源

华科智源携功率器件测试方案重磅亮相本次展会,集中展示其功率器件静态参数测试仪、动态测试仪、分立器件测试仪等。

据介绍,华科智源的功率器件静态参数测试仪可支持SiC的MOS管、IGBT、二极管、晶匣管等器件,测试电流电压为1600V/5000V,支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能,可广泛应用于轨道交通、电动汽车、风力发电等领域。

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华科智源成立于2017年,一直致力于功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务。产品主要涉及MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,功率循环,雪崩及浪涌测试设备等。

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本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

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