目前，《2026 碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》调研工作已正式启动，且获得同光半导体、天岳先进、天科合达、烁科晶体、浙江晶瑞、天域半导体、泰坦未来、中天晶科、三安半导体、阿尔法半导体、普兴电子、北京中电科、创锐光谱、西湖仪器、海目芯微、丞达精机、东尼电子、铭扬半导体、瑞霏光电、九域半导体（企业排名不分先后）等众多企业的参编与支持。
近期白皮书调研进程中，我们发现国内又有2家企业成功实现12英寸碳化硅衬底技术突破。值得关注的是，近年来多家企业密集布局大尺寸碳化硅技术，并不断实现导入应用，充分印证了大尺寸碳化硅技术迭代正持续提速，产业化进程也在不断加快。
近年来，包括天岳先进、天科合达在内的多家国内外企业，已陆续推出12英寸N型导电型碳化硅衬底产品；近期盛新材料、汉民科技也对外披露，他们正大力推进12英寸SiC衬底的产品布局。
据不完全统计，截止2026年8月，全球12英寸N型导电SiC衬底玩家共26家，中国企业占24家，占比超过90%。
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盛新材料
据联合报等媒体报道，广运集团旗下盛新材料（6930）在今年SEMICON Taiwan首次展出12英寸碳化硅N型单晶晶锭、12英寸CVD多晶SiC衬底等产品，并锁定AI先进封装高散热需求。
据广运集团暨盛新材料董事长谢明凯透露，通过自研设备及工艺，目前12吋SiC已成功完成长晶，并开始与客户分享相关测试数据。今年上半年公司营收超过3000万元，已超越去年全年，由于明年产能利用率预期接近满载，将启动产能扩充计划。
据联合报报道，盛新材料目前拥有约65台长晶炉，开机率约二分之一至三分之二，由于中坜工厂空间已满，下一阶段扩产将以已准备完成的平镇工厂为重要据点。考量晶锭切割、研磨及准备区等空间后，平镇工厂单一楼层约可配置200台长晶炉；此外盛新材料在南部科学园区也已取得土地，为更长期扩产预留空间。
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汉民科技
从下游产业应用来看，8/12英寸碳化硅技术主要覆盖三大应用方向。除市场熟知的功率半导体领域之外，AR光波导、AI先进封装同样成为大尺寸半绝缘、光学级碳化硅材料极具潜力的新兴落地赛道，不断打开碳化硅材料全新的成长空间。
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AR光波导
据《2026 AR眼镜光学显示调研白皮书》数据，早期SiC光波导设计通常基于4英寸衬底，但目前光波导厂商已转向8-12英寸产线布局，目前8英寸SiC成为主流，预计3年内12英寸将大幅采用。
与此同时，国内多家AR光学硬件厂商也正加速向大尺寸SiC应用布局，歌尔光学、
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AI先进封装
针对AI芯片封装的中介层应用也有望为大尺寸SiC技术打开新的市场空间。据盛新材料总经理谢明勋透露，他们开发12吋SiC并非单纯追求晶圆尺寸放大，而是锁定AI先进封装带来的散热需求。
据其解释，SiC实际导入时可根据不同封装架构及客户需求调整，例如作为Carrier（承载基板）时，不一定需要采用半绝缘材料，部分应用使用N型衬底即可；但若进一步作为Interposer（中介层），则可能需要半绝缘SiC衬底。
目前，Wolfspeed、COHERENT、格棋半导体已率先布局。今年3月，Wolfspeed宣布12英寸SiC平台可用于支撑先进人工智能和高性能计算 (HPC) 异构封装，并正与晶圆厂、OSAT（外包半导体封装和测试供应商）、系统架构师和研究机构合作。
5月，普渡大学与格棋半导体将宣布在SiC先进封装领域达成合作，双方的联合研究将聚焦SiC晶体缺陷控制与SiC材料生长工艺优化，加速向高良率8英寸、12英寸晶圆产线升级。8月，Coherent在官网宣布，其12英寸、具有高热导率的SiC衬底已开始向AI客户送样品测试，可比现有解决方案提高25%的散热效果。
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功率半导体
根据头部衬底及外延厂商的财报来看，8英寸衬底/外延已实现批量应用，渗透速度逐渐加快，12英寸SiC亦实现小批量出货。
以天岳先进为例，其在2026年半年度报告披露，8英寸产品主营业务收入占比已超50%，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付。
天域半导体则表示，上半年收入增长主要得益于8英寸外延片产能提升及下游市场需求增强，其8英寸产品已经和6英寸产品销售收入相当，均占整体收入42%左右。
瀚天天成也透露，他们的8英寸产品2026年上半年销量已超越2025年全年水平，12英寸SiC外延晶片已实现小批量订单突破。
伴随国内外碳化硅产业链企业持续加码布局，8‑12英寸大尺寸碳化硅技术迭代提速，将深度赋能功率器件、AR光波导、AI先进封装等多元下游场景，而大尺寸SiC技术也将进一步优化产业成本结构，有望成为新一轮增长的核心驱动力。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
