2026湾芯展期间，方正微电子技术副总裁刘韧接受专访时，分享了对碳化硅产业发展趋势、AI数据中心应用前景及8吋成本拐点的判断，并介绍了方正微电子在IDM模式、车规级产品布局及技术创新等方面的最新进展。

1. 今年是SiC在AIDC领域应用爆发的元年，未来相关市场将呈指数级增长。

2. 当前AI数据中心领域碳化硅渗透率接近20%。

3. 碳化硅产业正站在规模化渗透的关键节点：电动汽车的渗透从主驱向车载全场景延伸，AI算力爆发驱动数据中心电源架构迭代，两大核心需求叠加工艺成熟与成本下探，正推动碳化硅从"高端选配"走向"普惠级"功率器件。

4. 2026年内，8吋碳化硅与6吋碳化硅的成本将迎来交叉点，届时8吋晶圆单芯片成本将正式低于6吋。

5. 方正微目前在650V、750V中压领域的碳化硅器件成本已与硅基器件相当，1200V高压器件则在性能上大幅领先硅基方案，成本控制也优于海外同行。

6. IDM模式的设计工艺协同、全流程质量控制与快速迭代能力，将成为碳化硅下半场竞争的核心胜负手。

7. 近两年国内厂商技术进步显著，头部车企与工业客户出于供应链安全考虑，开始主动导入国内头部供应商，本土替代进程正加速发展。

8. 方正微正探索超级结工艺，以解决高压器件导通电阻随耐压陡增的问题，进一步提升高压产品的性价比。

9. 目前电动汽车占碳化硅总需求的60%-70%，是方正微的核心赛道。AI数据中心则成为第二增长极，与此同时，方正微正在拓展光储充、低空经济等场景。

10. 方正微AIDC相关器件已在多家AI数据中心头部客户完成验证导入，并锁定明年较大份额订单。

11. 明年Q2，方正微的8吋SiC产能达8000片/月，全年目标是将8吋产能扩展至10万片。

12. 未来2-3年，方正微研发将围绕两大方向：晶圆端，中压产品持续降本，高压领域开发超级结等新工艺；模块端，推出全系列产品，顺应车规需求从灌封向塑封升级。