8月25-28日，论坛与展览相继举办，英诺赛科将先后亮相 SiC/GaN赋能800V数据中心与新能源创新峰会，PCIM Asia 深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，携全系InnoGaN氮化镓功率器件，AI数据中心、新能源汽车、机器人与电机驱动等多系列完整方案重磅登场。诚邀行业伙伴与客户莅临，共探氮化镓产业新应用、新发展！
SiC/GaN赋能800V数据中心
与新能源创新峰会
在算力与物理智能终端爆发的全新时代，GaN正在成为驱动这场变革的核心引擎。英诺赛科邹艳波先生将带来《InnoGaN 驱动算力加速与物理智能》主题分享，演示GaN全场景解决方案如何赋能“算力加速”与“物理智能”。
活动时间：2026年8月25日
演讲时间：15:50-16:10
活动地点： 深圳(宝安区)国际会展中心皇冠假日酒店G层(负一楼)会展湾大宴会厅
PCIM Asia 深圳国际电力元件、
可再生能源管理展览会
PCIM Asia作为电力电子、功率半导体领域的标杆性行业盛会，深耕产业多年，是技术展示、资源对接、行业交流的核心平台。
本次展会，英诺赛科将全面展示最新InnoGaN氮化镓功率器件，以及面向AI算力、汽车电子、机器人电机驱动等应用领域的全场景解决方案，同时参加氮化镓主题论坛，分享《迈向MHz，氮化镓开启AI电源新时代》，全方位展示氮化镓技术在高效、高频场景的核心优势。
活动时间：2026年8月26日-28日
展馆地址：深圳宝安国际会展中心14&16号馆
英诺赛科展位：16号馆 16E32
观众预登记（扫描海报二维码）
温馨提示：两场活动时间邻近，如您计划到访，进行一对一深入技术交流，可提前与我们沟通，我们将为您预留充足时间。(Marcom@innoscience.com)
期待与您现场相见，共话 GaN 产业新机遇！
