应用于高效能源及智能终端的GaN功率电子器件技术及挑战

三安半导体GaN研发处长刘成博士在大会上发表《应用于高效能源及智能终端的GaN功率电子器件技术及挑战》主题演讲，分享三安半导体在GaN产业上的最新布局与进展。

大会现场，刘成博士具体介绍了GaN功率电子热点应用方向、器件技术发展趋势，并讲解了三安半导体GaN功率电子技术平台。据悉，三安半导体已推出工规级GaN代工服务平台，其中650V平台正配合多家客户开展工规级产品的验证与导入工作，同时启动车规级器件的前期验证，100V平台也与多家行业客户达成合作，未来将赋能AIDC、汽车电子、人形机器人、工业电源、白色家电等多领域应用。

1200V GaN 800V→48V应用及市场前景

远山新材料市场部经理宋红卫在大会上发表《1200V GaN 800V→48V应用及市场前景》主题演讲，讲解其如何赋能高效电源架构。

宋红卫经理表示，目前车企加速普及800V高压平台，但车载音响、空调、座椅、ADAS传感器等负载仍依赖48V/12V总线，800V到48V的DC-DC转换成为刚需。远山新材料基于蓝宝石基GaN外延技术，结合独有的PSJ芯片制程工艺，能够生产1200V及以上等多规格GaN功率器件，为AI数据中心、800V平台新能源汽车、大型光伏储能等下游应用提供高压高效功率器件。

InnoGaN驱动算力加速与物理智能

英诺赛科应用工程部总监邹艳波在大会上发表《InnoGaN驱动算力加速与物理智能》主题演讲，演示GaN全场景解决方案如何赋能“算力加速”与“物理智能”。

此次演讲，邹艳波总监重点介绍了英诺赛科在数据中心、机器人与智能汽车的布局与应用进展。一方面，针对AI芯片功耗激增带来的高供电功率密度需求，英诺赛科可提供All GaN方案，以HV  GaN +LV GaN 器件实现更高频、更高效的功率转换链路；另一方面，针对机器人、智能汽车两大核心载体，英诺赛科可提供覆盖自动驾驶激光雷达、单级OB、机器人关节电驱等细分领域的GaN方案。

超越1700V，高压氮化镓赋能数据中心与电动汽车应用

Power Integrations 首席技术培训师Jason Yan在大会上发表《超越1700V，高压氮化镓赋能数据中心与电动汽车应用》主题演讲，分享其高压氮化镓技术的最新进展。

据介绍，PI一直深耕高压氮化镓技术及应用创新，此前发布的1250V GaN技术可优化800V直流数据中心主功率变换级的堆叠式设计方案，简化整机架构；1700V GaN芯片已应用于单级变换的数据中心辅助电源设计。基于此，他们进一步推出2200V GaN技术，可为下一代AI数据中心、新能源汽车等高压电力系统提供充足的电压裕量，同时能够实现高开关频率，满足最大化功率密度的设计需求。

大功率双向GaN系统应用及市场展望

镓未来公司IP与技术合作总监张大江在大会上发表《大功率双向GaN系统应用及市场展望》主题演讲，分享了双向氮化镓技术的最新突破。

目前，镓未来已构建覆盖小功率（＜300W）、中功率（300W-1kW）和大功率（1kW-15kW）的全场景GaN功率器件产品矩阵。针对双向氮化镓技术的落地推广，镓未来已推出650V双向氮化镓器件，适用于OBC、光伏逆变器等场景，能够显著简化系统拓扑结构，提升整体功率密度，并能大幅降低应用成本，为系统设计带来更高灵活性与经济性。