近日，“行家说三代半”梳理发现，又有6家SiC企业有融资动作，资本布局碳化硅赛道提速：
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北一半导体：获得4亿元C轮融资，推进先进封装产线建设；
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瑞迪微电子：获得超1亿元融资，聚焦SiC扩产、研发与经营；
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功立德半导体：完成第二轮天使轮融资，专注SiC模块；
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Clas-SiC ：获1741万元政府拨款，用于升级SiC技术和设备;
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UJ-Crystal：筹集1815万元，用于开发超高耐压p型SiC衬底；
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TekSiC：融资1132万元，用于开发半绝缘碳化硅衬底。
8月15日，北一半导体宣布完成超4亿元C轮融资。本轮融资由多家新增知名机构入局，同时也有多家老股东同步追加投资。
北一半导体表示，经过前期多轮技术沉淀，他们已在 IGBT、碳化硅功率器件领域完成工艺与客户积累，此次募集资金主要投向两大板块：加速面向AI服务器的先进封装工艺落地，助力公司冲刺资本市场。
北一半导体表示，依托本轮融资，其将扩大先进封装产线建设规模，迭代封装工艺技术，打通从芯片制造到先进封装测试的全链条闭环，强化IDM 模式下的一体化交付能力，承接 AI 服务器产业链持续释放的订单需求。
据“行家说三代半”此前报道，北一半导体二期项目即将于今年9月投产。该项目聚焦 IPM 智能功率模块先进封装技术、碳化硅功率器件等前沿领域，将进一步完善产业链布局。
北一半导体成立于2017年，是一家专注IGBT、SiC等功率半导体设计、工艺与制造的高新技术企业，具备芯片设计、模块工艺与测试全平台能力，已在深圳、建湖、穆棱完成产业链布局，形成从晶圆制造到模块封装的完整能力。
7月30日，瑞迪微电子在官微宣布，其已顺利完成新一轮融资交割，融资资金超1亿元。本轮投资方为安徽省产业投资公司、创谷资本、高新国控。
据介绍，本轮投资资金将聚焦扩产、研发与稳健经营三大核心：
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产线与产能：持续优化现有封装产线自动化改造，提速二期功率模块产线筹备与建设工作，全力扩充产能规模，精准匹配新能源汽车、储能、工控等行业持续增长的市场订单需求，解决当前产能缺口难题。
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技术攻坚：加大IGBT、SiC等功率模块的研发投入力度，持续迭代核心产品性能，加速自研车规级功率模块的装车验证、可靠性测试与批量产业化进程，夯实第三代半导体核心竞争力。
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补充企业经营现金流：充实企业经营性现金流，优化财务结构，为技术研发、产线运营、市场拓展、人才储备等常态化经营工作提供充足资金保障。
瑞迪微电子成立于2019年6月，位于芜湖市弋江区高新技术产业开发区，深耕IGBT、FRD、SiC芯片自主研发与功率模块封装制造领域。目前，该公司年产120余万只功率模块产线已稳定量产，后续产能规划有序推进。自研车规IGBT、SiC模块已成功进入奇瑞、比亚迪、零跑、吉利等主流主机厂供应链。
7月10日，合肥功立德半导体科技有限公司宣布完成天使轮融资，投资方为兴泰创投，这是继2025年11月仁发新能基金投资后的第二轮天使轮融资。
功立德半导体成立于2025年1月，注册于合肥高新区，专注于功率模块封装设计与生产，重点布局第三代半导体碳化硅（SiC）功率模块封装领域。据悉，该公司已参与多项碳化硅领域国家和行业标准的制定。核心团队长期深耕功率半导体封装技术，在SiC功率模块的量产上车及大客户定制化开发方面具备深厚积累，产品可广泛应用于新能源汽车、光伏储能等新兴市场。
8月18日，据苏格兰企业发展局（Scottish Enterprise）宣布，苏格兰碳化硅晶圆厂Clas-SiC将获得190万英镑（折合人民币约1741万元）的政府资助，用于其技术和设备升级，以应对全球对碳化硅功率半导体不断增长的需求。
苏格兰企业局局长阿德里安·吉莱斯皮表示，Clas-SiC的SiC产品使得从电动汽车到可再生能源系统的动力系统更加高效。Clas-SiC 的扩张将保障苏格兰菲夫地区的技术岗位，加强他们的出口基础，并推动他们向更清洁经济转型的关键技术的发展。
据“行家说三代半”此前报道，早在2023年底，Clas-SiC 已宣布融资2400万英镑（约2.18亿人民币）用于SiC的扩产，预计将产能扩充2.5倍。这笔资金将用于扩大洁净室空间、工艺开发及设备购置。Clas-SiC新任首席执行官Jen Walls介绍，他们已开发用于MOSFET的3.3 kV工艺设计套件。
Clas-SiC是一家6英寸碳化硅晶圆代工厂，能够生产碳化硅功率二极管和MOSFET，具有一定规模的SiC产能。
7月31日，日本UJ-Crystal公司宣布，将筹集4.3亿日元（折合1815万元人民币），用于加速高耐压p型SiC衬底的研发工作。
UJ-Crystal公司表示，为应对电力市场日益严峻的挑战，他们计划采用了独特的液相法，开发具有超高耐压特点的P型SiC衬底。
UJ-Crystal成立于2021年6月，其代表董事宇治原彻是名古屋大学未来材料与系统研究所教授，研究SiC液相法超过20年，该企业也是日本较早开始研究SiC液相法的企业之一，目前尚处于研发样品阶段，较早前也曾公开展示其6英寸p型SiC衬底样品和6英寸/8 英寸n型SiC衬底。
7月23日，据外媒“Startup Mafia”报道，瑞典TekSiC公司宣布完成由Turbine Capital牵头的1600万瑞典克朗（折合人民币约1132万元）种子轮融资，用于开发欧洲本土面向国防、通信和电子领域的半绝缘碳化硅衬底。
据悉，该资金将加快TekSiC公司晶体生长平台Xforge的商业化进程，同时推进其专有SI-SiC衬底技术的研发，并减少欧洲对国外半导体供应链的依赖。
在获得融资前，TekSiC公司已取得多项重要商业里程碑：
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近期获得一家SiC国际制造商的大额订单；
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其Xforge PVT长晶炉，能够在2500°C以上的高温下运行，目前已经交付给多家工业客户；
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参与瑞典企业局（Tillväxtverket）支持的国家半导体计划，与欧洲领先的国防、电信和半导体组织展开合作，其衬底质量成功通过行业合作伙伴验证；
TekSiC成立于 2021 年，脱胎于林雪平大学（Linköping University）数十年的碳化硅研究成果。主营产品包括长晶炉和半绝缘型SiC衬底。该公司管理合伙人卡琳·埃德斯特罗姆指出，半绝缘碳化硅是一种具有战略意义的双用途材料，目前在欧洲没有商业供应商。预计到2030年，该市场的规模将增长五倍。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
