8月18日，Coherent（高意集团）在官网宣布，其12英寸、具有高热导率的SiC衬底已开始向AI客户送样品测试。据悉，这种高热导率的衬底能够比现有解决方案提高25%的散热效果，同时还能与现有的半导体制造平台保持兼容。

Coherent 公司的高级副总裁兼总经理Craig Mullaney表示，AI 性能越来越受到下一代处理器散热能力的制约，先进的碳化硅散热材料在应对这一挑战方面可以发挥重要作用。

同时，这一里程碑式进展意味着他们的SiC衬底正式从内部研发走向客户评估阶段，能为人工智能和高性能计算系统提供可行的散热方案。

据行家说三代半季报调研显示，截至2026年7月，全球12英寸N型导电SiC衬底玩家共24家。其中，新增的12英寸N型碳化硅晶锭玩家就包括Coherent。

“行家说三代半”此前曾报道，Coherent在2025年底就宣布，其下一代12英寸碳化硅平台取得重大进展，旨在满足人工智能数据中心基础设施日益增长的热管理需求。

另据行家说《2025碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》显示，随着数据中心对服务器算力的要求大幅提升，英伟达等处理器芯片厂商已经着手在新一代处理器的开发中，将CoWoS-S先进封装环节的中介层材料由硅换成SiC衬底片。

单晶SiC衬底可提升中介层的散热能力，其热导率达到490W/m·k，比硅高出2-3倍。CoWoS-S封装采用导热率更好的SiC中介层后，其散热片尺寸有望大幅缩小，从而优化封装体积和成本。摩根士丹利预计，2025年全球CoWoS封装的月产能将从2024年的3.8万片12英寸晶圆飙升至8.3万片，2026年将进一步达到11.2万片/月。

但由于当前12英寸SiC中介层衬底出货量极少，目前难以准确预判该领域能为SiC市场带来多大规模增量。Coherent此次高热导率的SiC衬底送样，正意味着碳化硅向先进封装领域量产应用迈向重要一步。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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