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SiC收入超11亿!3家企业披露半年报
行家说三代半 · 2026-08-13
SiC收入超11亿!3家企业披露半年报
SiC收入超11亿!3家企业披露半年报
近日,芯联集成、银河微电、环球晶相继发布2026年上半年业绩报告,3家企业均显示出积极增长的态势:
芯联集成:旗下负责碳化硅业务的子公司芯联动力营收超11亿元,8吋SiC产能将扩至1.5万片/月;
银河微电:报告期实现营业收入6.11亿元,加快车规级SiC导入验证;
环球晶:上半年实现营收61.14亿元,12吋SiC进行多家客户验证。
芯联集成:
SiC收入超11亿元,8吋产能将扩至1.5万片/月
8月10日晚间,芯联集成(股票代码:688469)发布2026年半年报,AI业务提速让其在上半年实现扭亏为盈。
根据公告,芯联集成在2026年上半年实现营收45.62亿元,同比增长约30.53%;归母净利润为2.78亿元,同比增长263.40%;毛利率同比提升9.17个百分点,达到12.71%。其中,负责碳化硅业务的子公司芯联动力实现营收11.82亿元,而去年同期营收为5.74亿元,今年上半年同比增长约105.9%。
SiC收入超11亿!3家企业披露半年报
在此次说明会上,董事长赵奇披露了碳化硅的产能规划:6英寸月产能9000片,8英寸7000片,8英寸产线计划扩至1.5万片/月。
芯联集成在公告中披露,应用于汽车、光伏领域的IGBT和SiC产品贡献了主要增量,是功率业务增长的核心引擎。各版块业绩及SiC业务进展如下:
AI基建和终端业务同比上涨84.31%
G2.0高频碳化硅系列产品完成开发并向头部AI服务器电源厂商送样;面向固态断路器场景的SiCJFET产品已开始给客户送样;面向SST场景的3.3KV高压碳化硅定制化方案已送样客户;此外,芯联集成还启动高可靠性高压GaN全系列产品研发,丰富宽禁带半导体产品储备。
车载业务收入同比增长3.53%
碳化硅芯片及模块进入规模量产阶段;工艺平台完成650V-10KV系列全面布局,已获得国内外众多主流车企及Tier1定点;第四代碳化硅芯片与模块已通过客户评测,实现量产。
工控应用领域营收同比增长21.29%
面向工商业场景推出全碳化硅储能模块,430kWA+B储能功率模块方案完成客户送样,430kW储能PCS单模块方案也已启动研发工作;与此同时,新一代Si基、SiC基功率单管大批量投放光储充、电池检测市场,新发布的1400V、1500VSiC新品进一步适配高压电池检测、超充场景的严苛工况。
芯联集成称,目前他们的功率业务呈现“聚焦高端、收缩低端”的态势,希望通过高门槛市场(汽车/新能源/AI算力)的份额提升和SiC/IGBT等高端产品放量,驱动盈利结构持续优化。
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银河微电:
上半年车规级SiC增长提速
8月10日,银河微电(股票代码:688689)披露2026年半年度报告。2026年上半年,银河微电实现营业收入6.11亿元,同比增长28.28%;归母净利润为4825.85万元,同比增长77.28%。
财报显示,车载业务是本轮业绩高增长的核心引擎。银河微电车载业务已连续多年保持50%以上的同比增速。截至2026年上半年末,车规产品营收占公司总营收比重已达35%。
SiC收入超11亿!3家企业披露半年报
在订单与客户方面,银河微电车规级全系列产品通过严苛AEC-Q101可靠性验证,新增多款车载MOSFET、整流桥、TVS保护器件实现车企定点与批量供货;SiC车用功率模块完成多轮可靠性摸底测试与头部客户工程验证。
报告期内,银河微电已成功导入科世达、西门子、依必安派特、先锋车载音响、尼得科、万邦等优质客户,进入吉利、沃尔沃亚太等主机厂功率MOS白名单。
在产品与技术方面,银河微电重点向第三代半导体、车规级功率器件等高附加值高端业务倾斜。其中,车用SiC MOSFET模块已进入样品送测、客户验证及产业化工艺调试阶段,有望在新能源汽车800V高压平台普及的趋势下,成为该公司新的增长点;同时,GaN器件也同步开展技术预研与样品开发。
在对外并购方面,银河微电在今年6月成功收购功率半导体企业恒泰柯100%股权,后者在150V-200V中高压SGT MOSFET领域已达国产领先水平,此次收购将有效补齐银河微电在中高压MOS产品布局上的短板。
环球晶:
上半年盈利同比大增80.9%
8月4日,环球晶(股票代码:6488)召开线上法人说明会,发布2026财年第二季度及上半年财务业绩。财报显示,累计上半年,环球晶实现合并营收291.99亿元新台币(折合人民币约61.14亿元),税后净利达56.75亿元新台币(折合人民币约11.88亿元),毛利率为20.7%,同比增长80.9%;其中,环球晶2026年第二季度实现合并营收152.14亿元新台币,环比增长8.8%。
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环球晶董事长徐秀兰在会上表示,目前公司12英寸产线持续满载,8英寸及6英寸产线需求与产能利用率逐步回温,且正与多家客户洽谈新一轮长期供货协议(LTA)。
在第三代半导体业务方面,GaN产能利用率维持满载,扩产持续推进(约 30% 已完成、约 20% 正在进行中);12吋SiC 持续进行多家客户验证,为未来商业化奠定基础;方形芯片多家客户验证作业进展顺利。
据“行家说三代半”此前报道,环球晶已在2025年9月开发出12吋方形碳化硅晶圆。在2024年底,环球晶子公司GlobalWafers还获美国政府4.06亿美元(约29.5亿元人民币)的资助,用于改造碳化硅外延片制造基地,生产6英寸和8英寸的SiC外延片。
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本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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