合计超亿元，4家GaN企业迎来新一轮融资！
近期，GaN赛道获资本青睐，4家企业获合计超亿元融资。
国镓芯科：完成A轮融资，计划年产8万片GaN衬底。
远山半导体：获恒铭达增资4900万元。
微崇半导体：完成数千万元战略融资。
韩国IVWorks：完成约3054万元融资。
国镓芯科：
完成A轮融资，计划年产8万片GaN衬底
6月4日，根据企查查信息，安徽国镓芯科半导体科技有限公司完成A轮融资。本轮投资方为安芙兰资本和池州产投，具体金额未披露。这是继2023年获得种子轮、2024年获得天使轮之后，国镓芯科又一次获得资本加持。
公开资料显示，国镓芯科成立于2022年8月，核心产品包括氮化镓单晶片等第三代半导体衬底材料。
据“中科合肥智汇工场”介绍，国镓芯科采用自主创新的HVPE（氢化物气相外延）法生长氮化镓单晶，已成功制备出4英寸、6英寸高质量衬底，部分技术指标达到国际先进水平。
在专利布局上，该公司已申请数十项核心发明专利，覆盖氮化镓单晶生长设备、热场设计、衬底剥离、缺陷控制等关键环节。与此同时，该公司还与中科院、中国科学技术大学等科研院所建立了产学研合作关系，持续推进技术迭代。
据了解，国镓芯科池州基地一期工程已进入设备调试阶段，预计2026年下半年可逐步投产。满产后，将形成年产8万片4-6英寸氮化镓单晶衬底的产能，有望成为国内规模最大的氮化镓衬底供应商之一。
远山半导体：
获恒铭达增资4900万元
5月26日，据恒铭达公告，他们拟向远山新材料科技有限公司增资4900万元，其中2177.56万元计入注册资本，剩余2722.44万元计入资本公积。
官网显示，远山半导体成立于2017年，是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业，现有产品包括
“行家三代半”了解到，今年3月，远山半导体也和新风光签署了战略合作框架协议。根据协议，在未来条件成熟时，新风光将积极探讨对远山新材料进行战略投资、股权合作或产业并购的可能性。
微崇半导体：
完成数千万元战略融资
3月16日，微崇半导体发文宣布，他们已顺利完成数千万元战略融资，本轮融资由首都科技发展集团与霄宇领先基金共同投资，资金将用于公司的研发、市场拓展，以及团队扩充和建设。
官微显示，微崇半导体成立于2021年，由海归半导体技术团队发起，是一所创新量检测半导体设备企业。其核心产品包括ASPIPER 3000（二谐波晶圆检测设备）、BRAVERY 3000（热波量测设备）和CLARITY 3000（超声波扫描显微镜设备），目前相关产品已进入国内多家头部主流晶圆厂并获得相关验证。
微崇半导体副总裁周朴希在不久前的“2026九峰山论坛”表示，微崇半导体自主研发的二谐波检测技术，提供了一种适用于各类衬底的非接触、无损检测方案，可对GaN HEMT的载流子迁移率等关键电学参数进行微米级空间分辨率的精确表征，在高低阻AlGaN/GaN样片上均验证了该技术的高可靠性。该技术为GaN HEMT的电学性能在线监测提供了创新路径，有望成为质量控制中的关键手段，为客户带来显著应用价值。
韩国IVWorks：
完成超3000万元融资
4月17日，韩国IVWorks近期完成新一轮约450万美元（折合约3054万元人民币）的融资，累计融资金额达到3300万美元（折合人民币约2.2亿），新获得的资金将用于加强大规模生产所需的基础设施，以应对全球对GaN产品的需求。
据介绍，韩国IVWorks成立于2011年，主要生产面向射频（RF）和功率电子应用的100–200毫米氮化镓外延片。产品涵盖碳化硅基氮化铝高电子迁移率晶体管、硅基GaN HEMT以及垂直 GaN 外延晶圆等。
IVWorks表示，其“reGaN”技术基于核心选择性区域再生长能力，能降低氮化镓器件的接触电阻，显著提升了器件性能与效率。目前该技术已通过完成主要代工厂认证，并向全球半导体代工厂开启供货。同时，该技术已应用至卫星通信和无线回传、人工智能供电市场等领域。
值得注意的是，在进行本轮投资的同时，IVWorks已启动韩国科斯达克（KOSDAQ）上市准备工作，由韩国投资证券株式会社担任主承销商。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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