北京、天津又有2个SiC项目落地
近日，“行家说三代半”获悉，国内又有2个SiC衬底项目相继落地，分别在北京、天津：
晶格领域：在北京顺义投产晶领域SiC衬底产业化项目，预计总投资5000万元。
宽晶半导体：天津理工大学SiC成果产业化落地，预计2026年7月交付。
晶格领域：
北京顺义SiC项目，预计投资5000万
6月30日，据“北京青年报”报道，北京市顺义区共有22个优质项目被纳入“2026年首批面向民间资本推介项目清单”，其中包括晶格领域半导体有限公司所建SiC项目。
据介绍，本次晶格领域所建的北京晶领域SiC衬底产业化项目，预计总投资5000万元，拟引入民间资本投资额4000万元。
早前，晶格领域已在顺义建成一条液相法SiC衬底中试线，截至2023年11月，该公司披露的产能从年产5000片碳化硅衬底跃升至年产2.5万片。
企查查显示，晶格领域成立于2020年，不同于主流的PVT长晶法，晶格领域是一家采用液相法生长SiC晶体技术的企业，其制备的P型碳化硅衬底和3C-N型碳化硅衬底填补了市场空白。晶格领域总经理张泽盛曾在座谈会中提及，采用液相法生长SiC单晶，可稳定生长3C-SiC，与已广泛应用的4H-SiC相比，3C-SiC缺陷态更低、导通电阻更低、能量损耗更小，在新能源汽车、电网、轨道交通等领域应用具有更高可靠性、更低能耗、更长寿命。
晶格领域中试线
据“新京报”报道，2024年晶格领域国内外订单总金额近300万元，客户主要集中在半导体器件领域。
宽晶半导体：
12英寸光学SiC基地今年7月交付使用
6月24日，据“南站华苑生活圈”透露，天津理工大学功能晶体研究院与滨海高新区在2026世界智能产业博览会上签署共建“功能晶体材料成果产业化基地”的战略协议，正式开启了实验室成果产业化落地阶段。
当前，该基地已明确两个重点产业化方向：
12英寸碳化硅单晶项目，专用于AR眼镜光波导及AI芯片散热封装，计划于2026年内实现小批量供货。
6英寸磷化铟单晶项目，面向AI算力基础设施中高速光模块的核心材料需求，正与行业龙头企业开展技术对接。
此外，面向高速光通信应用的磁光晶体项目也已纳入研究布局“清单”，旨在突破旋光片等关键元器件的国产化瓶颈。
据介绍，该基地面积共2800多平米，预计将于2026年7月交付使用。另外，目前项目运营主体——天津宽晶半导体科技有限公司也已完成工商注册。
“行家说三代半”了解到，天津理工大学功能晶体研究院是由吴以成院士领衔的SiC科研团队，目前团队在半导体单晶材料领域取得了阶段性的核心突破，已完成大尺寸光学级碳化硅单晶和新型VB法（坩埚下降法）磷化铟单晶实验室小试研发，即将在上述基地中落地转化。
天津宽晶半导体科技有限公司脱胎于天津理工大学功能晶体研究院，是其科研产业化的落地体现。6月29日，该校功能晶体研究院副院长徐永宽在接受《天津日报》采访中表示，计划在2-3年内把12英寸碳化硅单晶项目在该基地实现规模化生产。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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