又有7家SiC企业进军固态变压器赛道
近期，国内碳化硅产业迎来一波面向固态变压器应用的新品发布潮——臻驱科技、晶能微、芯联集成、利普思、赛晶科技、至信微和德氪微等多家企业，相继从固态变压器系统、功率模块、MOSFET器件到高压隔离芯片推出针对性解决方案，加速碳化硅技术在固态变压器中的落地步伐。
臻驱发布7MW SST
采用3.3kV SiC功率模块
近日，臻驱科技旗下子公司宣布推出35kV SST，单机容量提升至7MW，并采用3.3kV SiC功率模块。
企查查显示，今年4月，臻驱科技成立子公司——臻驱智慧能源（上海）有限公司，首期产品瞄准固态变压器。
据了解，2025年夏天，臻驱科技就成立了SST专项组，由原GE中压变频器项目核心班底领衔，超30人全职加入。
据媒体报道，目前臻驱智慧能源的SST项目已经完成了功率模块、高频变压器、控制系统等核心部件的测试验证。预计今年7月将完成功率模组样机，9-10月完成整机开发，预计Q4向若干家AI数据中心交付样机测试。
此外，这款35kV的SST产品搭载臻驱自研3.3kV全SiC功率模块，较行业主流1.2kV SiC方案耐压等级更高，可大幅减少功率模组级联数量，有效降低SST整机的导通损耗、装配复杂度与物料成本，提升系统长期运行可靠性。
晶能微：
发布SST碳化硅模块
6月20日，晶能微宣布推出固态变压器SiC功率模块系列产品，并提出了“AI级SiC模块”新标准。
据介绍，晶能微发布的固态变压器SiC功率模块R2C采用了多项前沿技术，包括铜夹片Cu-Clip大面积正面连接、芯片银烧结与环氧材料灌封等。基于这些技术，R2C在长时可靠运行的核心指标PCsec能力上，可以达到传统工业级功率模块的十倍。
此外，R2C还采用了升级的PPS外壳，具有优异的耐高温性能，独特Si3N4陶瓷散热设计给SiC芯片提供更好散热路径；优化的芯片Layout布局及Pressfit阵列可容纳5颗5mm*5mm芯片。
芯联集成发布3.3kV SiC MOS
已向核心客户送样验证
6月22 日， 芯联集成宣布，他们基于 8英寸碳化硅工艺平台，推出3300V SiC MOSFET器件，该产品面向固态变压器等应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。
据介绍，芯联集成的3300V SiC器件采用高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了卓越的导通与开关性能。
该公司表示，以10kV中压固态变压器前端为例，相比1200V方案，3300V器件方案的综合BOM成本可减少20% - 35%。
同时，芯联集成还透露，他们将推出适配3300V SiC MOSFET的高频、 高耐压、高功率密度磁性器件。
利普思：
发布3300V SiC模组
6月13日，利普思 宣布在PCIM Europe展会上发布了多款针对AI算力中心的新品。
据了解，利普思在展会上重点展示2个面向SST领域的SiC模组系列产品，其中：
LPP系列面向电网及高压驱动市场，3300V SiC模组适用于固态变压器、牵引变流器等应用领域；
LEP系列面向AIDC的SST市场，覆盖1200V～2300V，具备低损耗高输出功率、高可靠性等特点 。
据 “行家说三代半”调研了解，国内某头部企业已经在固态变压器中搭载了利普思的碳化硅模块产品。
赛晶科技：
发布众多SST碳化硅产品
6月11日，赛晶科技 在PCIM Europe展会上，全面展示了多年产业布局和创新研发的成果 ，其中包括面向AI数据中心固态变压器的产品解决方案。
据介绍，面向固态变压器，赛晶科技推出了 1200V/3.25mΩ半桥拓扑、1400V/6.5mΩ H桥拓扑Easy2B系列碳化硅MOS模块，以及2300V 碳化硅MOS模块，其中：
1200V产品导通电阻低至3.25mΩ，相较行业同类产品降低约20%，可有效减少运行损耗，显著提升固态变压器整体运行效率。
最新研发的 2300V 碳化硅模块，包含easy系列、xp系列、tpak系列、fp系列等多款封装外型。
至信微：
发布2.4kV 碳化硅MOS
6月22日，至信微宣布推出2400V全系列高压碳化硅MOSFET产品，导阻规格覆盖19mΩ、40mΩ及80mΩ。
据介绍，该系列产品专为固态变压器和1500V高压平台应用量身打造，该公司还同步提供从晶圆到Easy 2B、62mm、ED3等多款标准封装模块的全套解决方案。
德氪微电子：
展示SST高压隔离芯片
6月3日，德氪微电子在SNEC展上展示毫米波无线隔离芯片与模组，并展示了面向固态变压器及高压工业电源等场景的应用拓扑。
据介绍， 德氪微电子此次展示的毫米波无线隔离芯片与模组，基于超短距毫米波非接触传输架构，可在隔离屏障两侧实现高速信号传输。该技术以无线方式完成隔离链路中的信号跨越，在满足高压隔离需求的同时，兼顾低延迟、高 CMTI 和长期可靠性，适用于隔离驱动和高速数字隔离等关键环节。
在核心性能方面，德氪微电子毫米波无线隔离产品已实现TDDB 10 kVrms连续测试4个月零失效，通过30kVrms浪涌测试、25kVrms/60s隔离耐压测试，同时CMTI实测值达到 400 kV/μs。
围绕固态变压器的高压、高频、高dv/dt应用需求，德氪微还在展会现场重点呈现了毫米波无线隔离芯片与模组在寄生参数控制、局部放电可靠性及长期高压可靠性等方面的技术探索。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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