2026年6月19日——英诺赛科宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。

上述裁决与美国国际贸易委员会（“ITC”）上月作出的全体一致裁决高度一致。ITC已认定英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌主张的一项涉及封装设计的美国专利（美国第9,899,481号专利）。慕尼黑地区法院此次审理的正是该专利的德国同族专利(一项发明专利和一项实用新型)。与ITC的结论一致，慕尼黑法院仅认定小部分历史产品——即某些额定电压为650V至700V的封装晶体管产品——构成侵权，而这些产品此前已退出市场。因此，相关禁令不涉及现有产品，对英诺赛科在德国的经营及其客户对相关产品的使用不产生任何实质性影响。

此次德国裁决，标志着英诺赛科在全球主要司法辖区的持续性胜利再获突破——继上周在中国成功获得针对英飞凌的销售禁令及侵权赔偿裁判，以及上月在美国ITC取得决定性胜利之后，英诺赛科在德国再度确认其现有产品的合法性和商业自由。

尽管德国相关程序（包括英诺赛科针对英飞凌德国专利提起的无效挑战）仍在推进中，但一系列跨法域裁决已清晰表明，这场由英飞凌最初发起的全球诉讼攻势不仅未能改变市场竞争格局，反而从多个司法体系独立印证了英诺赛科的创新能力，客观上强化了市场对英诺赛科技术实力与产品合规性的信心。

英诺赛科将继续坚定推进技术创新与全球市场拓展，在公平竞争的环境中为客户提供领先的GaN解决方案。

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英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案。凭借已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。

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