又一头部企业扩建8英寸GaN晶圆线
随着台积电退出氮化镓代工，叠加AI数据中心等市场的氮化镓器件的确定性需求，最近多家氮化镓头部企业开始扩建自己的8英寸晶圆线，而投产节点指向2027年。
前段时间，瑞萨已经着手建设8英寸GaN晶圆线（回顾.），最近，罗姆半导体也开始引入设备推进GaN产线的建设。
6月8日，2家氮化镓设备企业发文宣布，他们与罗姆半导体达成了战略合作。
爱思强：罗姆已选择他们的G10-GaN MOCVD设备，将在罗姆的日本滨松工厂建立内部GaN外延生产线。
爱思强还透露，目前罗姆的MOCVD系统正在进行产能爬坡，目标是批量生产650V和100V平台的8英寸GaN外延片。
牛津仪器：为罗姆公司提供离子体原子层刻蚀(ALE) 设备，助力罗姆自主研发8英寸氮化镓生产工艺，将650V氮化镓功率器件制造业务转移到公司内部。
事实上，罗姆此前就对外释放了建设氮化镓晶圆线的信号。
今年2月，罗姆宣布已与台积电签署GaN技术许可协议，目标是将台积电的工艺技术转移至罗姆的静冈滨松工厂，计划2027年前在集团内部建立GaN功率器件一体化生产体系。
罗姆半导体之前的650V氮化镓主要是由台积电代工，2024年12月双方曾签署了关于汽车级氮化镓的合作协议。而氮化镓器件的封装工艺则外包给了日月新公司（ATX Semiconductor）。
据“行家说三代半”了解，罗姆的滨松工厂之前在大规模生产GaN基蓝光LED方面积累了丰富的生产经验，拥有硅基GaN外延的量产制造线。2022年，罗姆在浜松的LED生产区域增设GaN功率器件生产区域，同年3月罗姆的滨松工厂开始开始量产150V的GaN晶圆，同时由罗姆的京都府工厂负责器件后端封装工艺。
总的来说，罗姆通过将GaN晶圆工艺纳入内部生产，可以更好地掌控器件制造流程的关键环节，并增强规模生产能力，有望在快速发展的AI和汽车等市场中快速响应客户需求。
同时，罗姆作为全球功率半导体的代表企业，他们在氮化镓领域的投资力度，一方面展现了该公司对氮化镓市场前景的看好，另一方面也将增强下游厂商采用氮化镓的信心，从而进一步推动氮化镓技术在广泛领域的规模化应用。
加入SiC/GaN群，请联系许若冰VX：hangjiashuo999
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
其他人都在看：
基本半导体冲刺IPO，披露最新SiC营收及出货量
3家SiC企业获新融资，加速车规MOS/模块量产
国内厂商出货增长数倍，储能SiC迎来爆发拐点
行家说三代半 向上滑动看下一个
行家说三代半 写留言 ,选择留言身份
