理想汽车：超150万颗SiC MOSFET上车
近日，理想汽车功率芯片团队在学术会议（ISPSD）上发表两篇论文，透露了在SiC MOSFET芯片领域的最新研究成果。与此同时，理想汽车透露，其自研SiC MOSFET芯片累计搭载量已突破150万颗，广泛应用于纯电主驱系统，质量表现优异。
值得关注的是，理想汽车已打通从芯片设计到整车应用的SiC全链路闭环。本文将简明介绍其最新SiC技术进展，并系统梳理其在SiC芯片、模块及电驱领域的布局演进。
理想汽车：
公布两项SiC新技术
据理想技术官微介绍，他们此次发表的两篇论文分别聚焦芯片工艺缺陷、芯片开发中的寿命预测模型两大领域。
其一，理想汽车功率芯片团队通过对10万颗自研SiC MOSFET芯片进行加速老化考核，发现了不足万分之一的低频失效芯片，并通过仿真模拟与复现实验锁定失效根源为碳化硅芯片制造中碳膜工艺产生的微小凹坑缺陷，并提出了更严格有效的拦截筛选方法，进一步解决了这一行业共性难题。
其二，理想汽车团队发现，在周期性温度变化的加速反向偏压测试中，超过50%的芯片故障发生在仅占总测试时长2.34%的温度变化阶段，而传统固定高温寿命测试方法因忽略了这一关键风险点，可能高估芯片实际寿命；基于大量试验数据，团队提出了首次引入温度变化相关修正因子的改进寿命预测模型，为车规级SiC MOSFET芯片在真实汽车工况下的寿命评估提供了更准确的工具。
同时，理想汽车表示，他们成功打通了芯片设计一材料生长一晶圆代工一封装测试一整车应用的完整闭环，为碳化硅芯片和汽车行业探索并验证了一种全新的开发范式。
盘点理想汽车SiC布局：
已与三安/芯联/安森美/意法合作
早在2025年2月，理想汽车就宣布，其自研的碳化硅功率芯片完成装机，自研自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成已分别在理想汽车苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线。
“行家说三代半”发现，近年来理想汽车在SiC领域的布局模式逐渐转向"自主研发+代工/自主生产"，SiC上车进程显著加速。
SiC芯片领域
2025年11月，湖南三安举行碳化硅芯片上车仪式，标志着三安与理想汽车自2022年合作以来，战略协同正式进入新阶段。据了解，基于三安在8吋衬底、低缺陷密度工艺的技术储备，将为理想汽车高压平台车型的开发提供强有力的“芯”支撑。
2025年10月，芯联集成宣布与理想汽车举办了理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式。芯联集成表示，自2024年3月正式签署战略合作框架协议以来，由理想汽车设计开发、芯联集成代工量产的碳化硅产品现已开启量产交付。
2024年1月，安森美宣布与理想汽车成功续签长期供货协议。根据协议内容，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美EliteSiC 1200V裸芯片。
2023年12月，意法半导体宣布与理想汽车签署一项碳化硅长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供第三代1200V SiC MOSFET，支持理想汽车进军800V纯电动车市场的战略部署。
SiC模块领域
2022年，三安光电和理想汽车合资设立苏州斯科半导体有限公司，计划总投资10亿元用于碳化硅模块的研发和生产，2024年底一期产线已实现通线。今年6月，三安光电透露，苏州斯科半导体规划年产240万只碳化硅半桥功率模块，目前年产能为120万只。
据了解，目前理想汽车自主研发的高压碳化硅功率模块名为LPM（Li Power Module)，相比典型半桥模块，模块面积减小50%，相比行业典型水平，系统寄生电感优化50%，已搭载于理想i8中上市，未来会陆续搭载在所有理想纯电车型上。
SiC电驱
2021年，理想和汇川联合成立了常州汇想新能源汽车零部件有限公司，在常州设立了电驱动总成生产基地，项目总投资2.115亿元，可年产新能源汽车动力总成系统70万套/年。
据不完全统计，理想汽车已经推出i8、MEGA、i6、MEGA HOME等SiC车型，据行家说《2026第1季度三代半产业分析报告》数据，2026年第一季度，理想汽车SiC车型的销量已突破6万辆，同比增长超20倍。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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