数百SiC菁英齐聚上海，探索AIDC/电动交通新未来
今日，2026 行家说三代半【碳化硅赋能未来：数据中心・电驱・能源技术应用创新峰会】在上海盛大开幕。本次峰会聚焦第三代半导体技术创新与产业落地，汇聚了来自SiC材料、器件、设备、终端应用及投融资等领域的数百位行业精英。
峰会上大咖云集、Wolfspeed、东微半导体、科利金、三菱电机、天域半导体、北京中电科、普兴电子、三安半导体、创锐光谱、瀚薪科技、北美OEM整车厂、昕感科技、常曜电子、狮门半导体、晶能微、元山电子、羿变电气、汉磊科技、积塔半导体、浙江晶瑞、阿尔法半导体、方正微、中天晶科等国内外知名企业负责人与技术专家轮番登台，围绕SiC产业格局及市场机遇展开深度分享，碰撞出众多前沿观点与产业共识。
同时，中国电科55所、三菱电机、海姆希科、普源精电、科利金、北京中电科、矽加半导体、玖恩智能EGP、阿尔法半导体等公司也在现场展示最新的碳化硅产品和技术解决方案。
峰会期间，《2026 碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》、《2026 碳化硅器件与模块产业调研白皮书》也正式启动调研，将汇聚产业链上下游力量共研产业趋势。
直击现场
14场重磅主题报告
点破AI与新能源应用痛点
行家说三代半
研究总监 张文灵
开场报告：全球HVDC数据中心发展趋势暨SiC应用机遇
行家说三代半研究总监张文灵率先带来开场报告《全球HVDC数据中心发展趋势暨SiC应用机遇》，为与会者梳理全球HVDC数据中心产业发展脉络，拆解SiC技术落地应用的市场机遇与发展前景。
张文灵总监指出，伴随AI算力高速发展，全球数据中心供电架构迎来全面革新，HVDC高压直流方案因具备高效节能优势，海内外头部企业均已加速布局落地。与此同时，适配高压、高频场景的SiC器件，在HVDC数据中心固态变压器等设备中快速渗透，将持续释放SiC器件的市场价值，为行业带来广阔的结构性发展机遇。
Wolfspeed
主任应用工程师 杜烊铭博士
SiC在HVDC和SST中的应用进展和解决方案
Wolfspeed主任应用工程师杜烊铭博士带来专题报告《SiC在HVDC和SST中的应用进展和解决方案》，为与会者梳理碳化硅技术在高压直流、固态变压器领域的落地进展，分享适配产业场景的成熟解决方案。
杜烊铭博士认为，随着HVDC数据中心、新型电力系统加速迭代，固态变压器逐步替代传统工频设备，成为行业升级核心趋势。依托SiC器件优异的性能优势，可有效优化HVDC供电架构、简化SST变换链路、降低系统损耗、提升功率密度。目前Wolfspeed已推出3.3kV碳化硅功率模块等产品，将切实解决行业能效与小型化痛点。
东微半导体
研发总监 陈帆
国产SiC技术现状与数据中心应用进展
东微半导体研发总监陈帆带来专题报告《国产SiC技术现状与数据中心应用进展》，为与会者解读国产SiC器件落地数据中心场景的最新进展与产业化成果。
陈帆总监指出，国产SiC技术的日趋成熟与数据中心高效化升级需求高度契合，将持续打开国产替代市场空间，为本土SiC产业带来坚实的增长机遇。他还介绍了东微最新的SiC产品进展，比如适合服务器电源图腾柱PFC拓扑的高速开关E系列产品，新颖的SiC BDS产品等。
科利金
研发总监 王美玉
湿贴有压银膏在功率半导体上的应用
科利金研发总监王美玉带来专题报告《湿贴有压银膏在功率半导体上的应用》，为与会者梳理湿贴有压银膏的技术优势，详解其在功率半导体领域的落地应用与技术价值。
王美玉总监指出，随着SiC等第三代功率半导体器件向高功率、高集成、高散热方向迭代，行业对封装导热、导电材料的性能要求持续提升。科利金自主研发的多款湿贴有压银膏产品——可实现5×6mm²芯片>60MPa的高强度、>350W/m·K的高导热、
三菱电机
应用技术经理 黄红光
面向电动交通和智慧能源应用的SiC功率半导体解决方案
三菱电机应用技术经理黄红光带来专题报告《面向电动交通和智慧能源应用的SiC功率半导体解决方案》，为与会者梳理三菱电机SiC方案在电动交通、智慧能源等核心场景的落地方案与应用成果。
黄红光经理深入解析了三菱电机SiC功率芯片的技术演进，逐一讲解第4代沟槽栅SiC-MOSFET与SBD内嵌式高压平面栅SiC MOSFET的结构创新与性能突破。针对电动汽车市场、轨道牵引等高压领域、智慧能源领域应用，他还重点介绍了J3系列SiC模块、Unifull™系列SBD嵌入式SiC模块等最新解决方案。
天域半导体
研发副总监 余烨
面向高压SiC器件的大尺寸厚膜外延技术进展
天域半导体研发副总监余烨带来专题报告《面向高压SiC器件的大尺寸厚膜外延技术进展》，讲解大尺寸厚膜外延及沟槽填充外延技术的研发突破、技术优势及产业化落地进展。
余烨副总监指出，厚膜外延作为高压SiC器件的核心底层技术至关重要。天域半导体深耕大尺寸SiC厚膜外延领域，已研制出10kV SiC外延等产品，技术成熟度与量产能力持续提升，可精准适配高压SiC器件的制造需求。同时，天域半导体也在推进沟槽填充外延技术应用，为高压SiC器件提供前沿技术思路与实践参考。
北京中电科
副总经理 冷生辉
大尺寸SiC磨划工艺解决方案
北京中电科副总经理冷生辉带来专题报告《大尺寸SiC磨划工艺解决方案》，为与会者剖析SiC衬底及器件晶圆加工的工艺难点，分享适配产业化量产的磨划工艺的解决方案。
冷生辉指出，大尺寸晶圆的磨削、切割加工难度显著提升，传统工艺易出现崩边、裂纹、良率偏低等问题，成为制约量产提速的关键瓶颈。针对行业痛点，北京中电科迭代优化大尺寸SiC磨划核心工艺，形成高精密、高稳定性的成套解决方案，有效提升加工精度与成品良率。
普兴电子
市场总监 张国良
8英寸碳化硅厚层外延生长技术的关键挑战与突破
普兴电子市场总监张国良带来专题报告《8英寸碳化硅厚层外延生长技术的关键挑战与突破》，为与会者梳理8英寸碳化硅厚层外延技术的产业现状，解析工艺研发难点与技术突破成果。
张国良总监指出，8英寸SiC厚层外延是高压大功率器件产业化的核心关键，相较于传统尺寸工艺，在厚度均匀性、缺陷控制、良率稳定性等方面存在诸多技术壁垒，也是制约高端SiC器件规模化量产的重要因素。目前普兴电子在8英寸厚层外延领域持续深耕攻关，不断优化生长工艺与设备体系，实现多项关键技术突破，有效解决产业化落地痛点。
三安半导体
材料销售副总监 贺祺晟
高质量碳化硅单晶材料技术发展与挑战
三安半导体材料销售副总监贺祺晟带来专题报告《高质量碳化硅单晶材料技术发展与挑战》，盘点碳化硅单晶材料的技术发展脉络，剖析当前行业技术进展与核心挑战。
贺祺晟副总监指出，高质量单晶材料已成为高端SiC器件量产的核心基础，目前三安半导体已在晶体生长、纯度控制、缺陷抑制等环节实现关键突破，碳化硅衬底平均电阻率稳定至11mΩ•cm，较传统量产20mΩ•cm减半，同时层错、位错、微管、面型等指标对标量产标准，成功破解“低电阻与高品质” 不可兼得的行业难题。
创锐光谱
工业市场销售总监 郑乔允
基于光学无损检测技术的衬底/外延/器件的全链缺陷追踪
创锐光谱工业市场销售总监郑乔允带来专题报告《基于光学无损检测技术的衬底/外延/器件的全链缺陷追踪》，详解光学无损检测技术在碳化硅产业链的缺陷追踪应用与产业价值。
郑乔允总监指出，随着SiC产业规模化量产提速，衬底、外延、器件制造各环节的微观缺陷，成为影响产品良率、制约产业化降本的核心难题。光学无损检测技术可实现无损伤、高精度的缺陷筛查与溯源追踪，有效覆盖衬底、外延、成品器件生产链条，大幅提升制程管控精度与产品一致性。
行家说
CEO 蔡建东
行家说报告：8英寸SiC进程与汽车应用分析及趋势
行家说CEO蔡建东带来《行家说报告：8英寸SiC进程与汽车应用分析及趋势》，聚焦全球8英寸SiC产业迭代进程，深度剖析碳化硅技术在汽车领域的落地现状与未来发展趋势。
据蔡建东指出，当前SiC产业正加速从6英寸向8英寸尺寸迭代升级，大尺寸晶圆量产工艺持续成熟，有效带动产业降本增效。与此同时，伴随新能源汽车800V高压平台持续普及，SiC器件在车载主驱、车载充电机等核心环节渗透率稳步提升，8英寸SiC产能持续释放叠加汽车高端化升级需求，将持续拓宽行业增长空间。
瀚薪科技
销售与市场部总监 谢健佳
SiC器件在新能源汽车电动压缩机系统中的应用与价值
瀚薪科技销售与市场部总监谢健佳带来专题报告《SiC器件在新能源汽车电动压缩机系统中的应用与价值》，为与会者梳理SiC器件在新能源汽车电动压缩机领域的产业应用现状，拆解技术落地优势与场景核心价值。
谢健佳总监指出，采用SiC MOSFET的功率集成模块，为新能源汽车空调压缩机与PTC加热器的深度融合提供了理想的技术路径。瀚薪科技已推出多款SiC MOSFET PIM模块，包括6合1、8合1、9合1等DIP21和DIP31封装形式，不同的电路拓扑结构、电压、电流规格分别满足不同的设计场景需求，可覆盖50CC排量以下空调压缩机控制器的应用。
北美OEM整车厂
供应链管理 袁康
功率模块SiC在新能源电子应用和控制点
北美OEM整车厂供应链管理袁康带来专题报告《功率模块SiC在新能源电子应用和控制点》，从整车供应链视角解析SiC功率模块产业化落地的核心要点与关键管控控制点。
袁康指出，在整车批量应用过程中，SiC功率模块的选型匹配、系统适配、可靠性验证、量产良率与成本管控等环节，成为车企落地应用的核心控制点。他强调，随着高端新能源车型持续迭代，整车端对SiC功率模块的应用标准与管控体系不断完善，将进一步推动SiC功率模块标准化、规模化装车应用，为行业带来持续的增量机遇。
SiC白皮书调研启动
峰会上，《2026碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》&《2026碳化硅（SiC）器件与模块产业调研白皮书》调研工作正式启动。
《2026碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》参编/参与单位（排名不分先后）包含同光半导体、天岳先进、天科合达、烁科晶体、天域半导体、浙江晶瑞、中天晶科、三安半导体、阿尔法半导体、普兴电子、北京中电科、创锐光谱、西湖仪器、东尼电子、铭扬半导体等产业链上游核心企业，将依托各企业技术积淀与产业实践数据，深入剖析SiC衬底大尺寸升级、外延工艺迭代、良率提升、成本优化等产业化痛点与突破路径。
《2026碳化硅（SiC）器件与模块产业调研白皮书》参编单位（排名不分先后）包含中瑞宏芯半导体、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、中恒微半导体、矽迪半导体、昕感科技、科利金等产业链核心企业，将整合产业一线数据、量产经验与市场应用案例，深度剖析SiC器件的技术瓶颈、产品迭代方向及市场应用前景。
高管圆桌对话
峰会同期，还特别开设两场圆桌论坛，围绕【数据中心/新能源市场进入“SiC时刻”】、【8英寸SiC如何重塑产业格局？】两大议题，邀请多家企业高管参与对话。
数据中心/新能源市场进入“SiC时刻”
本场圆桌论坛由行家说三代半研究总监张文灵主持，昕感科技总经理刘建华、瀚薪科技CEO李隆正、常曜电子总经理陈国玉、狮门半导体副总经理罗军昌、晶能微 CTO 朱晔、元山电子 CTO 兰欣、羿变电气副总经理段三丁、东微半导体研发总监陈帆参与研讨。
各位嘉宾围绕AIDC等终端市场落地节奏展开深度交流，聚焦当前SiC器件的导入节点、成本瓶颈及市场趋势，剖析行业 进入“SiC时刻” 背后的产业逻辑。
8英寸SiC如何重塑产业格局？
本场圆桌论坛由行家说 CEO 蔡建东担任主持，汉磊科技副总经理王有为、积塔半导体总经理助理 / 七厂厂长吴贤勇、浙江晶瑞总经理盛永江、阿尔法半导体副总经理周勋、方正微产品总监杨俭、中天晶科销售总监李涛同台对话。
本次研讨重点围绕 8 英寸 SiC 量产良率攻关、产线投产进度、成本下行路径展开探讨，剖析大尺寸晶圆迭代对产业格局、市场竞争及终端应用带来的变革。
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至此，2026行家说三代半上海SiC峰会圆满落幕。本次峰会凝聚了产业链上下游共识，为后续技术迭代、产业降本增效指明了发展方向，助力碳化硅产业持续向高端化、规模化、场景化迈进，欢迎更多行业同仁与我们一起，共同开启SiC创新应用的崭新格局。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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