出货量破千万颗，SiC MOS为何能攻入PD快充？
当前，SiC MOS在PD快充赛道的商业化落地持续提速，行业渗透跑出了“加速度”。
据不完全统计，目前已有超30家终端厂商将SiC器件导入各类PD快充产品中，而国内多家SiC企业也相继实现批量出货，部分厂商消费类SiC MOS出货量已突破千万颗级别。
长期以来，SiC MOS多用于高电压、高功率场景，如今却快速攻入PD快充这一消费级核心赛道，其推动因素及未来增量值得进一步探讨。
超30家终端厂商采用SiC
部分企业出货量达千万颗
据不完全统计，目前已有超30家消费电子厂商将SiC功率器件应用于PD快充产品，既包含机械革命、华硕等品牌原厂，也囊括绿联、倍思、创维、飞利浦等国内一线PD快充厂商，行业普及度持续攀升。
图：部分采用SiC器件的消费电子厂商，来源：行家说三代半
PD快充品牌的集中入局，直接带动不少SiC企业订单放量。近年来，国内多家SiC厂商相继实现在PD快充等消费电子领域的规模化批量出货，发展态势持续向好。
2025年10月，至信微在官微透露，他们已成功将碳化硅功率器件打入消费电子领域，成功导入超过30家消费类上市公司，预计2025年消费级碳化硅器件年出货量将突破千万颗。
2025年末，英嘉通相关负责人对外透露，公司750V SiC MOSFET产品已赢得倍思、铭普、瑞吉达、乐瑞等多家知名PD快充厂商的青睐，正积极将SiC MOSFET导入电视、适配器、LED驱动、两轮车充电等更多消费电子场景。
2026年2月，昕致科技市场应用中心总监徐星德在接受采访时表示，他们的SiC MOSFET在PD快充领域快速渗透，其650V SiC MOSFET器件在消费类电子领域的出货量已达千万颗级别。
梳理行业厂商的PD快充布局动态可以发现，当前碳化硅器件在消费快充领域的应用已然摆脱试验阶段，呈现出清晰的迭代升级趋势。
其一，产品应用从SiC二极管向SiC MOSFET迭代，SiC MOSFET的市场主导空间持续扩容。目前市面主流PD快充厂商会采用650V-800V规格SiC MOSFET，针对大功率快充产品，部分厂商已开始落地1200V高压SiC MOSFET方案。
其二，SiC MOSFET的落地场景持续延伸，摆脱了单一手机快充的应用局限。从最初适配手机单口快充场景，逐步拓展至笔记本电脑快充、多接口桌面快充坞、大功率桌面充电器等细分领域，继而打开了消费级SiC器件的增量市场。
针对行业发展特征，中瑞宏芯半导体分析表示，SiC MOS方案在PD快充中的渗透呈现"从中功率向高低功率延伸"的特征，不同功率段的产品设计与场景需求深度绑定。
在18W-48W低功率段，SiC MOS可满足低成本、小型化、低待机功耗的需求；在65W中功率段，需求集中在高功率密度、高效率、多口兼容，SiC方案可实现“效率与成本的平衡”。面向100W+高功率段，SiC MOS当前仍处于导入期，将渗透更多场景。
茂睿芯相关负责人近期也在行业论坛上表示，在65W及以上大功率快充产品中，SiC MOSFET相较于传统方案，效率与散热设计优势明显，应用前景更佳。
三重红利叠加
SiC MOS加速渗透
SiC MOS得以在PD快充领域快速渗透落地，核心驱动力来源于降本增效能力。据国内某SiC厂商透露，对比现有市场方案，他们推出的140W SiC单级PFC产品方案可将效率提高至93.01%，成本进一步下降30%。
综合产业调研信息来看，现有SiC MOS方案成本下降，并能快速渗透PD快充市场，背后是三大产业因素的推动结果。
一是SiC MOS价格持续下探，逐步比肩硅基器件。
长期以来，成本偏高是制约SiC器件大规模普及的核心瓶颈。据“行家说三代半”调研发现，随着行业工艺持续优化、晶圆产能稳步释放，消费级SiC MOS器件价格持续下行，逐步拉近与传统硅基器件的价格差距。
至信微联合创始人何京京曾透露，他们实现了SiC在消费领域的应用条件与成本控制的突破，2024年650V系列产品价格就降至硅基器件水平。
英嘉通半导体营销副总白强表示，2025年单片SiC wafer成本相比2024年同期已下降超过100%，未来将进一步下降。以等效规格对比6英寸晶圆上的总芯片数量，SiC芯片产出量较CoolMOS高出450%以上，较VDMOS更是高出750%，未来8英寸晶圆量产落地后，SiC器件的成本优势将进一步放大。
图：不同6英寸晶圆等效规格芯片产出对比，来源：英嘉通、行家说三代半
昕致科技市场应用中心总监徐星德则对“行家说三代半”透露，现阶段他们主要为客户提供平面栅SiC MOSFET， 产品价格已与CoolMOS基本持平，部分规格甚至更低，同时还具备性能优势。
不仅如此，茂睿芯半导体通过实验数据表明，采用500毫欧SiC MOS替换300毫欧Si后，效率及温升表现更佳，为行业低成本选型提供了新思路。
二是采用SiC MOS后配套器件和散热成本降低。
合科泰半导体等厂商表示，SiC MOS的核心价值，在于通过器件性能升级，带动BOM成本、散热成本同步下降，实现整体方案的降本增效。
一方面，采用SiC MOS提升开关频率后，变压器可选择更小一号的线圈，同步整流部分也能采用更低耐压的器件，线材线径也会减小。某一适配器厂商将硅基方案改成SiC MOS后，变压器规格缩小，同步整流耐压从85V降到60V，线材线径减了一号，整个系统的BOM成本降低约10%。
另一方面，按照行业法规标准，快充适配器外壳温升需控制在77℃以内，常规设计要求内部功率器件温度不超过100℃。与SiC MOS相比，传统硅基器件在100℃高温环境下，内阻会上涨1.6倍，发热问题突出，必须搭配散热片。采用SiC MOS可省去散热片，压缩硬件成本与产品体积。
三是直驱+合封SiC方案成熟，加速下游规模化导入。
SiC方案能在PD快充领域快速渗透，还得益于直驱及合封方案的日渐成熟，打破了SiC进入电源适配器的工艺适配难题。
首先来看直驱SiC路线的进展。过往直驱技术多应用于GaN器件，随着消费快充市场需求倒逼，国内PWM控制器厂商纷纷推出SiC MOSFET直驱方案，无需外置驱动器，从而简化电路设计、提升功率密度。
茂睿芯半导体华南区应用经理梁潮裕分析，PD快充采用直驱SiC方案后，由于直驱反激IC具备高耐压，可简化辅助绕组的设计，另外和同步整流驱动器配合，可降低启机和短路应力。
从成本端看，36W到150W的电源适配器采用直驱SiC+同步整流的方案，可有效降低成本。据业内人士透露，在24V/3A恒压输出适配器方案中，800V 500毫欧SiC MOS+直驱反激IC+同步整流芯片+变压器的主要器件成本仅为3元左右，性价比优势明显。
目前国内直驱SiC控制器生态逐渐完善，茂睿芯、智融科技、梵塔半导体、晶丰明源、芯茂微、菱奇半导体、必易微等多家厂商完成布局，产品覆盖PFC、LLC、AHB、双管反激、Flyback等主流拓扑，同时更多企业也在推进研发。
再看回SiC合封方案，其核心优势在于在于高集成化，通过将SiC MOS、驱动芯片、控制器一体化封装，进一步减少整体器件用量及体积。
中瑞宏芯半导体分析认为，SiC合封方案可直接省去光耦、TL431等隔离与反馈器件，外围器件用量减少30%-50%，PCB板面积压缩25%以上。在量产端，该方案将传统分立方案1-2个月的调试周期缩短至2周以内，同时EMI裕量提升10-15dB，有效降低了量产风险。
图：24W适配器采用合封SiC方案的优势，来源：芯茂微、行家说三代半
目前，茂睿芯、晶丰明源、芯茂微、智融科技、硅动力、鼎芯微、菱奇半导体等厂商已推出合封SiC芯片，覆盖36W、65W、100W等PD快充主流功率段，适配消费电子市场需求。
整体而言，随着SiC MOS价格下探、系统降本逻辑成型、应用方案持续成熟，消费级SiC快充生态将趋向完善，并持续替代传统硅基方案，开启规模化渗透浪潮。
需求扩容叠加降本需求
SiC打开长期增量空间
在SiC 器件持续渗透PD快充赛道的同时，消费类快充市场本身也在稳步扩容，为SiC器件的落地提供了充足的市场底盘。
据IDC发布的行业数据显示，2025年全球智能手机全年出货总量达到12.6亿部，同比增长1.9%。另据奥维云网（AVC）监测数据，今年4月手机充电器线上市场零售额达3.7亿元，零售量520.4万台，环比3月分别增长24.5%和32.1%。量增速远超额增速近8个百分点。
但从2026年1-4月整体市场走势来看，国内线上手机充电器均价呈现持续下行态势，从1月81元逐步回落至4月71元，累计降幅达12.3%。价格持续下探的背后，是行业正进入典型的以价换量扩容周期。
结合以上出货与价格数据，可以清晰梳理出两大核心行业趋势。其一，PD快充市场的出货量及需求仍在持续增长，整体市场体量持续壮大；其二，行业价格战成为市场常态，在此背景下，降本增效、优化产品性价比，成为所有快充厂商及上游供应链企业的核心竞争焦点。
由此看来，在PD快充市场扩容与行业降本需求的基调下，SiC器件的替代优势愈发凸显，长期市场空间将持续打开。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
其他人都在看：
总投资10亿！新增SST项目采用SiC
这家企业SiC营收超5亿，今年产能将扩大250%
国内厂商出货增长数倍，储能SiC迎来爆发拐点
行家说三代半 向上滑动看下一个
行家说三代半 写留言 ,选择留言身份
