又一企业扩建8吋GaN产线
近日，瑞萨第二个GaN晶圆厂建设进程迎来新的节点。
5月7日，爱思强发文称，他们已经向瑞萨电子交付了多台GaN外延生产设备，目标是帮助瑞萨实现规模化大批量GaN生产，扩大晶圆制造产能。
2025年，瑞萨在接受“行家说三代半”采访时就曾透露，他们正在建设第二个自有的GaN晶圆厂，产线要从目前的6英寸转向8英寸。
据了解，瑞萨的8英寸GaN晶圆厂即将在2027年建成投产，预计将主要生产低压GaN芯片。
前段时间，瑞萨在与EPC的合作公告中提到，双方将在一年内，合作建设低压GaN的内部晶圆制造能力。
据瑞萨预测，未来2年200V以下的低压GaN出货量将大幅提升，尤其到了2030年，低压GaN的需求量将占总体GaN市场的30%左右。
据“行家说三代半”了解，瑞萨的GaN外延采取完全自有工厂的生产模式，将在美国加州、日本和中国台湾三个工厂进行。
而在GaN晶圆端，他们将采取自建产线+外协代工的方式。
除了前面提到的8英寸GaN晶圆厂外，瑞萨在日本还拥有1个6英寸GaN晶圆厂，同时还在美国拥有一个8英寸GaN晶圆代工厂，这两个工厂将主要生产650V中高压GaN芯片。
众所周知，2024年6月，瑞萨电子完成了对GaN代表性企业Transphorm的收购，估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。
在收购Transphorm后，瑞萨的GaN器件主要是在日本AFSW的6英寸晶圆厂进行生产制造。根据Transphorm之前的介绍，该晶圆厂的GaN产能为3万片/年。
2025年4月，瑞萨与美国Polar Semiconductor达成战略协议，后者的8英寸车规级量产工厂将为瑞萨生产650V硅基GaN器件。
据“行家说三代半”了解，Polar的明尼苏达州工厂正在扩建，规划的8英寸晶圆月产能将从2万片提升至近4万片。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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