又一8吋SiC晶圆线完成试产
5月5日，世界先进（VIS）公司召开了线上法说会，介绍了碳化硅晶圆产线的业务进展。
完成8吋SiC试产
产能1500片/月
2026年第一季度，世界先进累计营收约为新台币125.32亿元（约合人民币27.24亿），较去年同比增长约4.9%。2025年全年世界先进的营收达到485.91亿新台币（约合人民币105.62亿），同比增长 10.3%。
晶圆出货量方面，今年世界先进一季度晶圆出货量达到了64.2万片（以8英寸晶圆计算），较上一季度增长了约3%。而2025年全年，其晶圆出货量达到253.2万片。
电源管理芯片依然是该公司最核心的营收支柱，占比高达76%。不过，世界先进正在加快碳化硅和氮化镓的代工业务布局。
据世界先进总经理尉济时透露，其8英寸SiC晶圆产线的建置正在持续推进，今年4月份，其SiC试产线建设已大致完成，目前已进入试产阶段。
“行家说三代半”此前曾报道，2024年9月，汉磊科技宣布与世界先进签订策略合作协议，双方合作推动8英寸SiC晶圆的技术研发与生产制造。
尉济时表示，该产线目前是由汉磊提供部分SiC产品进行试产，初期锁定IDM客户导入，后续再拓展至IC设计公司，预期2026年底可进入验证阶段。
据了解，汉磊与世界先进合作的8 吋SiC试产线的规划产能为1500片/月。
现阶段，汉磊技术已推出4代平面栅SiC MOSFET技术平台，以及U2沟槽栅SiC MOSFET技术平台，主要采用6英寸碳化硅产线进行制造。
据“行家说三代半”了解，2022年初，汉磊6英寸SiC月产能约为1000片，而到了2025年上半年，汉磊6 吋SiC产能已增加至5000片/月。
不过，根据汉磊科技的产品技术路线图，2026年之后他们将有望推出第五代和第六代平面栅SiC MOSFET，这两代技术平台将转向8英寸SiC 晶圆线进行生产制造。
三安/三菱电机/天岳/普兴/北京中电科等领衔
6月上海8吋碳化硅大会亮点抢先看
在8英寸碳化硅升级浪潮中，汉磊并非个例，国内外一众SiC企业的8英寸产线已陆续启动生产。
最近，博世功率半导体亚太区负责人Bruno Schuster在接受采访时表示，2026年是博世实现从6英寸到8英寸全面切换的关键年份，2026年第一季度他们已在全球范围内完成切换，目前德国和美国的工厂均已基于8英寸产能向客户交付SiC产品。
在8英寸碳化硅技术迭代与产能升级的关键节点，行家说即将于6月3日在上海举办碳化硅行业盛会，将特设8英寸碳化硅专题论坛，届时行家说Research将同步发布“8英寸SiC市场趋势深度分析”专题报告，揭晓8英寸产业链的供需格局及价格走势，为听众提供宏观产业视角。
此外，全球领先的SiC衬底、SiC外延、SiC器件及设备企业将齐聚一堂，深度探讨8英寸碳化硅的量产挑战、降本路径。目前，三安半导体、三菱电机和天岳先进等8英寸碳化硅先锋企业已确认参会，欢迎大家扫描下方二维码参会。
三安半导体已经在湖南和重庆布局了8英寸碳化硅衬底生产线，目前现有产能合计约为4000片/月，未来将规划提升至48万片。同时，三安的重庆安意法合资公司现有8英寸晶圆线产能为8000片/月，未来将规划提升至48万片。
三菱电机方面，其日本熊本工厂支持8英寸SiC晶圆的生产，并引入了具备最新节能性能的高度自动化洁净室。该工厂已于2025年10月1日举行竣工仪式，计划于2026年开始SiC功率半导体的试生产，较原计划提前约5个月。
天岳先进是8英寸碳化硅衬底领域的佼佼者，2024年其8英寸产品主营业务收入占比约为30%，2025年进一步提升至44%左右，8英寸产品比重持续提高。
普兴电子2016年开始研发SiC外延技术，是国内最早批量供应车规级SiC MOSFET外延片的企业之一。在8英寸SiC外延技术方面，2023年普兴电子完成大尺寸核心技术的关键跨越，核心指标达到国内领先水平。2025年，普兴电子大力推动8英寸SiC外延产品批量供货，以匹配市场对更大尺寸、更低成本产品的需求。
北京中电科是国内减薄设备的领军企业之一，并且在SiC减薄设备领域已形成全方位布局。2026年初，该公司的8英寸&12英寸SiC晶锭和衬底减薄设备率先在龙头企业端导入，交付量已超过20台套。
此外，本次会议还有2大热点论坛：
上午场将打造“AI数据中心SiC技术应用研讨会”，聚焦于AI算力浪潮下SiC在数据中心供电架构中的技术变革。
下午场将设置“电动交通/数字能源与SiC技术协同创新研讨会”，覆盖从电动交通到风光储充的SiC创新技术，全景式呈现SiC在新能源变革中的巨大潜力。
我们诚挚欢迎AI数据中心、新能源领域的专家学者、企业代表与从业者齐聚一堂，共赴这场行业盛会，共探技术前沿，共同开启 SiC产业发展的全新征程！
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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